Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "diodes" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-98 z 98
    Tytuł:
    Diody świecące jako źródła światła
    Lighting emission diodes as a new lighting source
    Autorzy:
    Pawlak, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/180845.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    oświetlenie
    diody
    lighting
    diodes
    Opis:
    W artykule przedstawiono przykładowe zastosowania diod świecących małej mocy, ich historię rozwoju oraz ogólną zasadę działania, a także omówiono sposoby wytwarzania światła białego w tych diodach.
    This paper presents the evolution of lighting emission diodes (LED) and general rules of their operation. There is also a description of how white light is created in those LEDs.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2007, 12; 24-27
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DC characteristics of the SiC Schottky diodes
    Autorzy:
    Janke, W.
    Hapka, A.
    Oleksy, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon carbide
    Schottky diodes
    static characteristics
    high-temperature
    Opis:
    The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
    High power laser diodes - design optimisation issues
    Autorzy:
    Malag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192142.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa dużej mocy
    konstrukcja diod laserowych dużej mocy
    optymalizacja wiązki promieniowania
    high power laser diodes
    high power laser diodes construction
    Opis:
    Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).
    Current achievements in the field of high-power laser diodes (LD) construction are briefly presented. The scope has been limited to issues of heterostructure optimisation in terms of the parameters the most important for high power devices, such as power conversion efficiency (PCE), COD level and an emitted beam quality (M2 and divergence). Presented results (of leading laboratories and ITME) indicate that simultaneous maximisation of these parameters is very difficult. There is a wide diversity of the record-high attainments in terms of preferred design solutions and due to different wavelengths and material systems.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 1, 1; 21-46
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature dependent electrical characteristics of Nichrome/4H-SiC Schottky barrier diodes
    Autorzy:
    Khanna, Shaweta
    Noor, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1076274.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    Nichrome
    Schottky Diodes
    Schottky barrier height
    ideality factor
    rapid thermal annealing
    Opis:
    Nichrome Schottky barrier diodes have been fabricated on 4H-SiC substrates to investigate the temperature dependant electrical characteristics of the fabricated contacts. The electrical parameters such as barrier height, ideality factor and donor concentration were found from the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Barrier Contacts showed non-ideal behaviour like lower value of barrier height and high value of ideality factor. A barrier height of 1.53eV obtained from C-V measurements and 0.79eV obtained from the I-V measurements with ideality factor of 1.96 for as-deposited diodes at room temperature. The diodes, therefore, were annealed in the temperature range from 25-400 ºC to see the effect of annealing temperature on these parameters. Schottky barrier height (SBH) and ideality factors were found temperature dependent. After rapid thermal annealing (RTA) upto 400 ºC barrier height of 1.27 eV from C-V measurements and the value of 1.13 eV were obtained from I-V measurements with ideality factor of 1.12. Since barrier height deduced from C-V measurements were consistently larger than those from I-V measurements. To remove this discrepancy we re-examined our results by including the effect of ideality factor in the expression of the saturation current. The insertion of ideality factor results in comparably good agreement between the values of barrier height derived by above two methods. We believe that the enhancement in the electrical parameters result from the improvement in the quality of interfacial layer.
    Źródło:
    World Scientific News; 2019, 116; 169-179
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Myśliwiec, M.
    Górecki, K.
    Kisiel, R.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Schottky diodes
    transient thermal impedance
    thermal measurements
    silicon carbide
    packaging
    Opis:
    This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
    Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
    Autorzy:
    Szewczyk, A.
    Stawarz-Graczyk, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    szumy RTS
    dioda Schottky'ego
    RTS noise
    Schottky diodes
    Opis:
    One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
    Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Diody LED - odpady niebezpieczne dla środowiska
    LED diodes - environmentally hazardous waste
    Autorzy:
    Sokołowska, W.
    Karaś, A.
    Zalewska, I.
    Harasimowicz-Siemko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192226.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda LED
    ICP-OES
    FAAS
    ochrona środowiska
    recykling
    light-emitting diodes
    environmental protection
    recycling
    Opis:
    W Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej Czystości ITME przeprowadzono analizę składu chemicznego kilku rodzajów diod LED obecnych na polskim rynku [2]. Omówiono zawartość metali kancerogennych oraz metali niebezpiecznych dla środowiska . Porównano je z rezultatami uzyskanymi w UCI (Uniwersytet Kalifornia) opisanymi w [1] i normami TTCL.
    An analysis of the chemical composition of several types of light-emitting diodes available on the Polish market was conducted in the Department of High Purity Materials Characterization of ITME [2]. In the course of the analysis, the content of carcinogenic metals and environmentally hazardous metals was explored. The findings were compared with the results achieved at the University of California, Irvine, described in [1], and with TTCL standards.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 23-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of IGCT turn-on transients in circuit configurations with series connected diodes
    Autorzy:
    Tschirley, S.
    Bernet, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/262745.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
    Opis:
    This paper describes the effect of series connected diodes and their balancing networks m the clamp circuit in IGCT converters. It is shown, that the balancing of the clamp diodes has other requirements than the balancing of the series connected freewheeling diodes in the switch cell. The dynamic and static balancing of the clamp diodes is analyzed in detail.
    Źródło:
    Electrical Power Quality and Utilisation. Journal; 2006, 12, 2; 33-39
    1896-4672
    Pojawia się w:
    Electrical Power Quality and Utilisation. Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Detection of Persisting Photoelectrons in AlGaAs Double Heterostructure Laser Diodes by DLTS
    Autorzy:
    Brehme, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879950.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    LPE-made AlGaAs double heterostructure laser diodes having a Sn-doped n-type confinement layer were investigated. A significant change of the low-temperature part of DLTS spectra and C(T) curves was observed after applying forward or higher reverse voltage. Relaxation of the curves took several hours. This persistent photoconductivity phenomenon is explained by photoionization of the DX centres.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 239-242
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
    Autorzy:
    Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
    Muziol, Grzegorz
    Żak, Mikolaj
    Hajdel, Mateusz
    Siekacz, Marcin
    Feduniewicz-Żmuda, Anna
    Skierbiszewski, Czesław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173471.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    gallium nitride
    molecular beam epitaxy
    contacts
    Opis:
    We investigated the influence of the In0.17Ga0.83N:Mg contact layer grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on the resistivity of p-type Ni/Au contacts. We demonstrate that the Schottky barrier width for p-type contact is less than 5 nm. We compare circular transmission line measurements with a p-n diode current-voltage characteristics and show that discrepancies between these two methods can occur if surface quality is deteriorated. It is found that the most efficient contacts to p-type material consist of In0.17Ga0.83N:Mg contact layer with Mg doping levelas high as 2 × 1020 cm–3.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 2; 323-330
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Light-Emitting Diodes Illumination Period and Light Intensity on High Rate Algal Reactor System in Laundry Wastewater Treatment
    Autorzy:
    Tangahu, B. V.
    Triatmojo, A.
    Purwanti, I. F.
    Kurniawan, S. B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/123276.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    algae
    Chlorella vulgaris
    laundry wastewater
    illumination period
    light-emitting diodes
    light intensity
    microalgae
    Opis:
    Wastewater that contains high concentration of nutrients can create instability in water ecosystem if left untreated. Laundry wastewater contains nutrients in high concentration. The nutrients that commonly found in laundry wastewater are nitrogen and phosphorus. This study had a purpose to determine the effect of illumination period and light intensity for the removal of Chemical Oxygen Demand (COD), Nitrogen-ammonia (NH3-N), and phosphate (P) content using Chlorella vulgaris in High Rate Algal Reactor (HRAR) treatment. Variables that used were exposure period of 12 and 24 hours and light intensity of 2000–3000 Lux, 4000–5000 Lux, and 6000–7000 lux. The parameters tested to determine the efficiency of nutrient removal were COD, Nitrogen-ammonia, phosphate and Chlorophyll α to determine the condition of algae development. The results showed that the highest nutrient removal were obtained by the reactor with 24 hours illumination period with light intensity of 6000–7000 Lux that was capable of removing 54.63% of COD, and 22.15% of P. The 12-hour illumination period was better in terms of NH3-N removal, up to 50.07%. On the basis of the of statistic test result, the illumination period did not significantly influence the removal efficiency of COD, NH3-N and P indicated by P-value >0.05, while the light intensity significantly affect the removal of COD and NH3-N showed by P value <0.05.
    Źródło:
    Journal of Ecological Engineering; 2018, 19, 6; 170-175
    2299-8993
    Pojawia się w:
    Journal of Ecological Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Breakdown Mechanisms in Vacuum Diodes
    Autorzy:
    Osmokrović, P.
    Ilić, D.
    Stanković, K.
    Vujisić, M.
    Lončar, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1535645.pdf
    Data publikacji:
    2010-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    51.50.+v
    Opis:
    This paper investigates the roles of different mechanisms constituting the process of electrical breakdown in vacuum. Random variable "vacuum breakdown voltage" was measured for pulse breakdowns in five types of vacuum diodes, with different values of vacuum pressure and inter-electrode gap. Conclusions about the influence of vacuum pressure and inter-electrode distance on the parameters of theoretical statistical distributions have been drawn. Based on the distribution to which the "vacuum breakdown voltage" random variable adheres, the dominance of certain breakdown mechanisms has been established for specific ranges of vacuum pressure. The observed absence of anode vacuum breakdown at small inter-electrode gaps has been given a theoretical interpretation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 4; 585-588
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure equation as novel strategy for optimum reflector design
    Autorzy:
    Ou, Chung-Jen
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174423.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    illumination design
    light-emitting diodes
    structure equation
    Opis:
    The optimal use of energy resources is the central dogma for green technology and bio-optics. Reflectors provide a simple and fundamental structure for energy transport from a light emitting diode (LED) chip, and an appropriately designed reflector can reduce the fabrication cost of secondary optics for the LED. This paper demonstrates the role of three proposed reflector geometric factors in the two performance metrics – uniformity and collected energy (power), for designing LED reflectors. Through canonical factor analysis, a linear structure equation for LED reflector is suggested, and the methodology for designing the optimal shape is discussed. In addition, a generalized factor and a synthesis response are proposed for a more comprehensive investigation of optical performance. Results indicate a key parameter for balancing the optical performance, and the effects of various parameters and the trade-offs are revealed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 1; 95-110
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spectrally tunable light source based on light-emitting diodes for custom lighting solutions
    Autorzy:
    Burgos-Fernandez, F. J.
    Vilaseca, M.
    Perales, E.
    Herrera-Ramirez, J. A.
    Martinez-Verdu, F. M.
    Pujol, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173803.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    solid state lighting
    light-emitting diodes
    CIE standard illuminants
    minimization algorithm
    customized lighting design
    radiometry
    Opis:
    This study describes a novel spectral LED-based tunable light source used for customized lighting solutions, especially for the reconstruction of CIE (Commission Internationale de l'Eclairage) standard illuminants. The light source comprises 31 spectral bands ranging from 400 to 700 nm, an integrating cube and a control board with a 16-bit resolution. A minimization algorithm to calculate the weighting values for each channel was applied to reproduce illuminants with precision. The differences in spectral fitting and colorimetric parameters showed that the reconstructed spectra were comparable to the standard, especially for the D65, D50, A and E illuminants. Accurate results were also obtained for illuminants with narrow peaks such as fluorescents (F2 and F11) and a high-pressure sodium lamp (HP1). In conclusion, the developed spectral LED-based light source and the minimization algorithm are able to reproduce any CIE standard illuminants with a high spectral and colorimetric accuracy able to advance available custom lighting systems useful in the industry and other fields such as museum lighting.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 1; 117-129
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reconfigurable Antennas: the State of the Art
    Autorzy:
    Yashchyshyn, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226828.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    antenna arrays
    reconfigurable antennas
    semiconductor devices
    MEMS switches
    surface PIN diodes
    Opis:
    The paper provides an overview of the state of the art in the area of reconfigurable antennas. This emerging area has been rapidly developing in the recent years. This article brings a comprehensive summary of the high quality applied and fundamental research contributions in the above-mentioned field. A broad spectrum of topics is covered, reflecting the areas in which Institute of Radioelectronics's expertise is recognized worldwide.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 319-326
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wide Range Wavelength Tuning of InGaAsP/InP Laser Diodes
    Autorzy:
    Bajda, M.
    Trzeciakowski, W.
    Majewski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492843.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.Jb
    Opis:
    We present results of theoretical studies of external tuning for laser diodes based on InGaAsP/InP heterostructures at temperatures from 300 K down to 80 K and at hydrostatic pressures up to 2.27 GPa. The tuning range achieved by pressure and grating was 390 nm (from 1220 nm to 1610 nm). At lower temperatures the tuning range achieved with grating was significantly reduced. Our results indicate that pressure tuning is much more effective than temperature tuning when combined with tuning by external grating.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 852-855
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Experimental evaluation of circuit board components under extreme conditions
    Autorzy:
    Sokół, Krzysztof
    Ptak, Piotr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2106230.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
    Tematy:
    experimental test
    mathematical model
    semiconductor diodes
    thermal chamber
    WCA
    Opis:
    Designing products operating in harsh conditions is a challenging task. Years of experience, developed standards and good practices are crucial in achieving the intended result. The article shows a methodology for designing electronic systems based on the worst-case analysis (WCA) and comparing its outcomes with the experimental verification of an actual circuit through large-scale tests. The analysed diode-based semiconductor circuit is part of a temperature measuring system of industrial application. The objective of the design and analysis process is to achieve a reliable solution, which has all the required functionalities under actual, extreme operating conditions. The preliminary circuit design is developed using ideal components. The truth table, which represents customer requirements, is created to check the correct operation of the system. Simulation software, such as LTSpice, are used as the main tools to verify the correct functioning based on ideal or close-to-real component models. Next, based on the results of computer simulations, the WCA is conducted, considering all extreme (worst) operating environment parameters, such as, among others, ambient temperature or ageing. WCA results were verified through an experimental, large-scale measurement of the real system, with defined forward voltage as a function of the current flowing through the semiconductor at various ambient temperatures.
    Źródło:
    Acta Mechanica et Automatica; 2022, 16, 1; 8--15
    1898-4088
    2300-5319
    Pojawia się w:
    Acta Mechanica et Automatica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Źródło światła z matrycą diod superelektroluminescencyjnych (SLED) dla celów pomiarowych
    The source of light with array of superluminescent diodes (SLED) for measurement purposes
    Autorzy:
    Odon, A.
    Krawiecki, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153056.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    stabilizowane źródła światła
    diody superelektroluminescencyjne stabilizowane półprzewodnikowe źródła światła
    matryce LED
    stabilized source of light superluminescsent light-emitting
    diodes
    stabilized LED sources
    Led arrays
    Opis:
    Zaprezentowano opis konstrukcji i zasady działania stabilizowanego źródła światła z matrycą zawierającą dziesięć szeregowo połączonych diod superluminescencyjnych (SLED) przeznaczonego dla celów pomiarowych. Dzięki zastosowaniu stabilizacji temperaturowej diod i układu regulacji z ujemnym, optycznym sprzężeniem zwrotnym uzyskano efekt stabilizacji mocy promieniowania i charakterystyki spektralnej diod superelektroluminescencyjnych.
    In this paper the construction and principle of operation of a stabilized source of the light with an array made by 10 connected in series superluminescent diodes are described. By using the thermal stabilisation of the diodes and an optical feedback loop the output power level of SLEDs as well radiation spectral characteristics of SLEDs can be stabilized.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 332-335
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zasilacz diod laserowych dużej mocy o regulowanym prądzie w zakresie 0-60 A
    Power supply of high-power laser diodes with regulated current in the range of 0-60 A
    Autorzy:
    Świderski, J.
    Pichola, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/210327.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
    Tematy:
    zasilanie diod laserowych
    kontrola parametrów diod laserowych
    power supply of laser diodes
    control of diode laser parameters
    Opis:
    W artykule przedstawiono opracowany zasilacz diod laserowych dużej mocy wraz z układem chłodzenia umożliwiający kontrolę i sterowanie ich podstawowych parametrów. Zasilacz ten gwarantował na wyjściu prąd stabilizowany i regulowany w przedziale 0-60 A, przy napięciu nie większym niż 4 V z możliwością ograniczenia wartości maksymalnej prądu. Ponadto zasilacz ten umożliwiał: zadanie wartości prądu płynącego przez diodę, ustawienie temperatury diody w zakresie 15-30°C, monitorowanie aktualnej temperatury diody, kontrolę stanów pracy termochłodziarki i zasilacza mocy.
    The paper presents the developed diode laser supply system including a cooling system. It ensures monitoring and controlling basic parameters of laser diodes. The system delivers, at its end, the stabilized and regulated current in the range of 6-60 A (by the voltage up to 4 V) with the possibility of limiting the maximum current value. Moreover, the diode laser supply provides: setting the current value flowing through a diode junction before switching-on the diode, monitoring the value of the current flowing through a diode, setting the diode temperature in the range of 15-30°C, monitoring a current temperature of a diode, control of the operating conditions of a thermo-cooler and power supply.
    Źródło:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2008, 57, 1; 263-276
    1234-5865
    Pojawia się w:
    Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of InGaN laser diodes based on numerical simulations
    Autorzy:
    Sakowski, K.
    Strak, P.
    Krukowski, S.
    Marcinkowski, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1075368.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    02.60.Cb
    Opis:
    Simulations of blue and green laser diodes with InGaN quantum wells are presented. In this study, a particular emphasis on efficiency and optical power of the structures was placed. Effect of the aluminum content in an electron blocking layer on the electron overflow and efficiency is discussed. Substantial decrease of efficiency of laser diodes is reported for low aluminum levels. It is also shown that polarization charges existing in AlInGaN heterostructures grown on GaN polar direction and low ionization degree of magnesium acceptors lead to high resistance of these devices. These effects hinder the carriers from reaching an active region and consequently they impose high operating voltages.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-33-A-35
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    C,N-cyklometalowane kompleksy irydu(III) : wydajne emitery fosforescencyjne dla organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED). Cz. 1 i 2
    C,N-cyclometalated iridium(III) complexes : efficient phosphorescent emitters for organic electroluminescent diodes (OLED). Part 1 and 2
    Autorzy:
    Orwat, Bartosz
    Kownacki, Ireneusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1413294.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Chemiczne
    Tematy:
    emitery fosforescencyjne
    diody elektroluminescencyjne
    kompleksy irydu(III)
    phosphorescent emitters
    light-emitting diodes
    iridium(III) complexes
    Opis:
    Organic electroluminescent panels have been widely available on the commercial market for several years, in the form of screens used in mobile phones, tablets, and TV sets. The display panels are produced in RGB technology, in which iridium(III) coordination compounds act as phosphorescent emitters of red and green light. Because of their high emission quantum efficiency and stability, the emitters containing 2-phenylpyridinato ligands and their derivatives have proved to be particularly useful. An interesting issue was the contrast between an extensive state of knowledge on the abovementioned compounds and a poor state of knowledge on analogous iridium(III) complexes equipped with benzo[h]quinolinato ligands. Application of the latter seemed interesting because of the similar size of benzo[h]quinoline and 2-phenylpyridine coordination pockets, but much more rigid structure and a greater degree of conjugation of the former, which could have a significant impact on the properties of complexes equipped with this type of ligand. Regarding to the above, this dissertation concerns the subject of the design and synthesis of new iridium(III) coordination compounds equipped with a benzo[h]quinoline motif, as well as the analysis of the structural changes impact on the photophysical, electroluminescent, thermal, electrochemical and spectroscopic properties of selected classes of compounds targeted for the application in OLED technology. Accordingly, the article presents the results of studies on two classes of heteroleptic of C,N-cyclometalated iridium(III) complexes, namely, of the salt type with the general formula [Ir(bzq)2(N^N)]+A-, stabilized by structurally different N,N-donating ligands, as well as neutral coordination compounds of the type [Ir(bzq)2(N^O)], bearing N,O-donating ß-ketoiminato ligands in the structure equipped with aryl moieties of various structure. The work included research on the determination of the correlation between the structure of ancillary ligand introduced into the coordination sphere of the metal and the above-mentioned properties. Additionally, based on the results of quantum-chemical calculations, work was undertaken to develop synthetic pathways enabling the incorporation to the C,N-cyclometalating benzo[h]quinoline ligand of substituents characterized by different stereo-electronic properties, enabling the modification of the emission parameters of the target complexes. In the next phase of research, the functionalized precursors of the bzq ligand were successfully used in the synthesis of binuclear complexes, key reagents in the preparation of corresponding mononuclear iridium coordination derivatives with electroluminescent properties.
    Źródło:
    Wiadomości Chemiczne; 2021, 75, 1-2; 163-231
    0043-5104
    2300-0295
    Pojawia się w:
    Wiadomości Chemiczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Concept and implementation of adaptive road lighting concurrent with vehicles
    Autorzy:
    Zalewski, S.
    Pracki, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200253.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    lighting technology
    road lighting
    lighting control
    light emitting diodes
    Opis:
    The paper presents the authors’ concept of an adaptive road lighting that is concurrent with vehicles moving on roads. The lighting system is based on luminaires with light emitting diodes. The authors describe the operation of the adaptive road lighting system and point out benefits and limitations of the solution. The theoretical considerations are supported by an analysis of the installed and working system that was implemented at Bożeny street in Poznan, Poland. The system was also evaluated by the residents living near the street.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 6; 1117-1124
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of junction temperature on the spectral power distribution of Light Emitting Diodes
    Autorzy:
    Budzyński, Ł
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/115467.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Fundacja na Rzecz Młodych Naukowców
    Tematy:
    LED
    junction temperature
    spectral power
    measurement
    temperatura złącza
    widmo mocy
    pomiary
    Opis:
    This article describes electrical method for measuring junction temperature of high power LEDs. Measurement system consisting of a temperature controller and a thermostatic chamber was designed and constructed. A number of studies of LEDs in a typical thermal conditions that exist in luminaries were performed. Basing on these results, influence of junction temperature on luminous flux and spectral power distribution of LED was determined. Obtained results allow to optimize the construction of LED lighting fixtures, in the ambient temperature range from 0°C to 100°C, especially in the aspect of improving the photometric properties of the luminaire.
    Źródło:
    Challenges of Modern Technology; 2015, 6, 4; 3-7
    2082-2863
    2353-4419
    Pojawia się w:
    Challenges of Modern Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electroluminescence Enhancement of Polymer Light Emitting Diodes Through Surface Plasmons by Ag Nanoplates
    Autorzy:
    Aziz, T.
    Salleh, M.
    Bakar, N.
    Umar, A.
    Rahman, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1186484.pdf
    Data publikacji:
    2016-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Mf
    Opis:
    This paper reports a study on the surface plasmon effect of Ag nanoplates on electroluminescent property of polymer light emitting diodes. The diode is a single layer light emitting device made of poly [9,9-di-(2-ethylhexyl)-fluorenyl-2,7-diyl] (PEHF). 5 wt.% of Ag nanoplates were incorporated into the PEHF layer. The results showed that the electroluminescence intensity of the diodes is increased by 51.85%, compared with the device without the Ag nanoplates. The enhancement is due to the coupling process between the Ag surface plasmon with the emission light from the PEHF. The occurrence of the coupling process was proved firstly based on the fact that the exciton lifetime of the PEHF:Ag layer is shorter than that without Ag, as measured by time-resolved photoluminescence spectroscopy. Secondly, the PEHF photoluminescence peak at 425 nm is overlaping with the surface plasmon absorption peak of Ag nanoplates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 711-713
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of electrical non-isolated load sharing systems operation with use of the auctioneering diodes
    Autorzy:
    Kozak, Maciej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376808.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    DC link
    microgrids
    FOC
    asynchronous generator
    synchronous generator
    load sharing
    Opis:
    The paper presents the background and results of numerical simulation and experimental research of a system using auctioneering diodes used to distribute the power of direct current between two power converters operating in parallel. Non-isolated power distribution systems using blocking diodes are used in the ship's electrical power systems, however, they create problems related to control and the possibility of ground faults. Another issue occurring during the operation of this type of systems is the increased heat dissipation. Selected problems related to the operation of the above systems have been identified by means of simulation studies and experiments carried out in a 11 kVA laboratory system and the theoretical basis along with results are provided in the article.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 98; 77-88
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Design of LED collimator for uniform illumination using two freeform lenses
    Autorzy:
    Zeng, J.
    Li, X.
    Ge, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173429.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    illumination design
    lenses
    light-emitting diodes
    optical design
    high uniformity
    Opis:
    Regulating the illuminance distribution of an LED collimator to produce a uniform illumination in both the near field and the far field is a challenge in illumination design. In this paper, we present an effective method for designing two separated freeform lenses to control the illuminance distribution and the direction of the rays from the LED. The first lens redistributes the ray energy, and the second one collimates them to obtain a uniform collimated illumination. According to the conservation law of energy, Snell’s law, Fermat’s law and tangent-plane iterative method, the two freeform surfaces could be calculated simultaneously. The simulation results show that the two freeform lenses can control most of rays into an angle within ±1.5° for an LED with 1 × 1 mm size. The illuminance uniformities are higher than 0.9 in both the near field and the far field.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2018, 48, 3; 413-420
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Characterization of Vanadium/Vanadium Pentoxide/Vanadium (V/V₂O₅/V) Tunnel Junction Diodes
    Autorzy:
    Zia, M.
    Abdel-Rahman, M.
    Al-Khalli, N.
    Debbar, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1401362.pdf
    Data publikacji:
    2015-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Kk
    Opis:
    A metal/insulator/metal (MIM) diode is a structure in which a thin oxide layer is sandwiched between two metal layers. Metal/insulator/metal (MIM) diodes coupled to antennas have been widely investigated as detectors for millimeter wave and infrared radiation for imaging and spectroscopic applications. In this work, we report on the fabrication and characterization of MIM tunnel junction diodes by using a new material combination, vanadium-vanadium pentoxide-vanadium (V/V₂O₅/V), with contact areas of 2× 2 μm². The V/V₂O₅/V MIM was fabricated using electron-beam lithography, sputter deposition and conventional liftoff methods. The fabricated V/V₂O₅/V MIM diodes showed a maximum absolute sensitivity of 2.35 $V^{-1}$. In addition, noise spectra for the fabricated MIM diodes were measured and analyzed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 4; 1289-1291
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrostatic Pressure Studies of Asymmetric Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes
    Autorzy:
    Diniz, R.
    Smoliner, J.
    Gornik, E.
    Suski, T.
    Meiners, U.
    Brugger, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1861459.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    73.40.Gk
    Opis:
    Tunneling processes in double-barrier GaAs/AlAs diodes with an incorporated AlGaAs pre-barrier were studied under hydrostatic pressure. The electrical characteristics resulting from a pre-barrier on the side of the emitter can be explained at 1 bar, solely by the Γ-profile: increasing pressure shows that the pre-barrier does not reduce the Γ-X tunneling. A pre-barrier on the collector side leads to charge buildup at the X minimum within the AlAs collector barrier.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 625-628
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
    Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376490.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    modelowanie
    dioda Schottky'ego
    SPICE
    węglik krzemu
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
    The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 137-144
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Frequency Dependence of Shot Noise in Resonant Diodes under Coherent Tunneling
    Autorzy:
    Aleshkin, V.
    Reggiani, L.
    Rosini, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1179729.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.70.+m
    72.20.-i
    72.30.+q
    73.23.Ad
    Opis:
    The current spectral density and the Fano factor of a resonant diode are investigated as a function of frequency up to values just below the inverse of the transit time. We consider the case of coherent tunneling for a symmetric double barrier structure at voltages up to the first current peak at 77 K. At high frequencies the Fano factor is found to become suppressed systematically at a value of 0.25 independently of frequency. This suppression below 0.5 is an indication of coherent against sequential tunneling transport.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 298-303
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Recycling of Gallium from End-of-Life Light Emitting Diodes
    Autorzy:
    Nagy, S.
    Bokányi, L.
    Gombkötő, I.
    Magyar, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356762.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    LED
    LED recycling
    LED chip
    gallium
    mechanical enrichment
    mechanochemical activation
    leaching
    Opis:
    Nowadays Light Emitting Diodes (LEDs) are widely utilized. They are applied as backlighting in Liquid Crystal Displays (LCD) and TV sets or as lighting equipments in homes, cars, instruments and street-lightning. End of life equipments are containing more and more LEDs. The recovery of valuable materials – such as Ga, Au, Cu etc. – from the LEDs is essential for the creating the circular economy. First task is the development of a proper recycling technology. Most of the researchers propose fully chemical or thermal-chemical pathway for the recycling of LEDs. In the meantime our approach based on the thorough investigation of the structure and composition of LEDs, and shown in this paper, is the combination of mechanical and chemical techniques in order to recover more valuable products, as well as to facilitate the mass transfer. Our laboratory scale experiments are introduced, the final aim of which is Ga recovery in accordance with our above approach. It was experimentally proved that the LED chips contain Ga and can be recovered by mechanical processes along with copper-product. Ga is presented on the surface of the chips in GaN form. Mechano-chemical activation in high energy density stirred medium mill and the following acidic leaching resulted in the enrichment of 99.52% of gallium in the pregnant solution.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2B; 1161-1166
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fast Chaos with Slow p-n Junction Diodes
    Autorzy:
    Mykolaitis, G.
    Tamaševičiūtė, E.
    Miškinis, R.
    Bumelienė, S.
    Tamaševičius, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813384.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    05.45.Ac
    05.45.Pq
    05.45.Gg
    85.30.Kk
    Opis:
    We demonstrate both experimentally and numerically that slow recovery p -n junction diodes can be exploited to generate chaos at high megahertz frequencies. An extremely simple resonator consisting of an inductor in parallel with a diode when externally periodically driven exhibits chaotic response.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 971-974
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature and Composition Dependence of Photovoltaic Spectra of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se Diodes
    Autorzy:
    Khoi, Le Van
    Szczerbakow, A.
    Karczewski, G.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1886570.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    Opis:
    Photovoltaic spectra of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se homojunctions have been measured in the infrared spectral region within the temperature range 15-300 K. The junctions have been formed by cadmium diffusion into the p-type Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se crystals with manganese content 0 ≤ x ≤ 0.08. From the positions of the photovoltaic maxima the energy band gap of the diode material has been determined. A phenomenological expression describing the energy band gap of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se as a function of temperature and crystal composition has been proposed. In diodes containing high manganese content x = 0.06 and x = 0.08 a second photovoltaic maximum caused by indirect optical transitions between the main conduction band and the secondary valence band located along the $\Sigma$-axis of the Brillouin zone has been observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 287-290
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
    Limitation on short current by serial reactors with circuit of diodes
    Autorzy:
    Baszyński, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/320373.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    prąd zwarcia
    dławik
    dioda
    short current
    reactor
    diode
    Opis:
    W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
    This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
    Źródło:
    Elektrotechnika i Elektronika; 2005, 24, 2; 119-124
    1640-7202
    Pojawia się w:
    Elektrotechnika i Elektronika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Characterization of Defects in Schottky Au-CdTe:Ga Diodes
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Płaczek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Szatkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791359.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    85.30.De
    84.37.+q
    Opis:
    Deep electron states in gallium doped CdTe have been studied by deep-level transient spectroscopy method. The Schottky Au-CdTe diodes were processed to perform the investigations. Rectifying properties of diodes have been examined by the room temperature current-voltage and capacitance-voltage measurements. Deep-level transient spectroscopy measurements performed in the range of temperatures 77-350 K yield the presence of three electron traps. The thermal activation energies and apparent capture cross-sections have been determined from related Arrhenius plots. The dominant trap of activation energy $E_2$ = 0.33 eV and capture cross-section σ_2 = 3 × $10^{-15} cm^2$ has been assigned to the gallium related DX center present in the CdTe material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 944-946
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ion Beam Surface Modification of GaN Films for High Efficient Light Emitting Diodes
    Autorzy:
    Wu, G.
    Lin, Y.
    Tu, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400460.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    41.75.Ak
    81.65.-b
    42.70.Qs
    77.84.Bw
    Opis:
    Focused gallium (Ga) ion beam technology has been proposed to modify the surface of GaN thin films. Due to the significant advancement in nitride semiconductors, the solid-state light emitting diodes will gradually replace fluorescent lamps in the next decade. However, further improvements in light extraction and power efficiency are still highly desired. GaN is limited by its high refractive index, with low light escape cone angle at about 24.6°. The external quantum efficiency is low due to the unwanted reflection and absorption. As the patterning technology scales down to the nanometer level, photonic crystal lattice in the visible light wavelength range can be achieved. Therefore, we improved the external efficiency by the new design of hexagonal photonic crystal lattice with air hole arrays in the diameter of 150 nm and the depth of 120 nm. The Ga beam was accelerated at 30 kV and the ion current was 100 pA. The plane wave expansion method along with the finite difference time domain was useful to investigate the quantum confinement. The nanopatterning by the focused ion beam could save time and processing step. In addition, we have successfully prepared blue InGaN/GaN samples with hexagonal period of 200 nm. The device micro-photoluminescence results have demonstrated that the peak illumination intensity was improved by 30%.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 884-887
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of InGaN waveguide on injection efficiency in III-nitride laser diodes
    Autorzy:
    Hajdel, Mateusz
    Muzioł, Grzegorz
    Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
    Siekacz, Marcin
    Wolny, Paweł
    Skierbiszewski, Czesław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173219.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    InGaN
    laser diode
    waveguide
    injection efficiency
    Opis:
    The influence of using InGaN waveguides on blue laser diodes was theoretically studied using 1D drift diffusion model and 2D optical mode calculation. Despite of the known effect of increased confinement of an optical mode, especially for long wavelengths, an unexpected influence on the efficiency of carrier injection into the active region is discussed. It is found that InGaN-AlGaN interface is crucial to achieving high injection efficiency. A numerical model is created, which describes the influence of InGaN waveguide and Mg doping of electron blocking layer on basic properties of laser diodes. It is found that an increase of injection efficiency allows to reduce the doping level in an electron blocking layer and take advantage of decreased optical losses.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 2; 311-321
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wyniki badań subiektywnych oddawania barw lamp z diodami świecącymi
    Subjective research of colour rendering lamps with light emitting diodes
    Autorzy:
    Taisner, M.
    Michałowska, N.
    Wandachowicz, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376519.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    wskaźnik oddawania barw
    diody świecące
    badania subiektywne
    Opis:
    W artykule opisano wyniki badań laboratoryjnych, które polegały na obserwacji próbek barwnych oświetlanych lampami stosowanymi zazwyczaj we wnętrzach mieszkalnych oraz pomieszczeniach biurowych. Celem badań była subiektywna ocena oddawania barw lamp diodowych w porównaniu z oddawaniem barw występującym przy zastosowaniu żarówek i świetlówek. Wyniki badań przeprowadzone na grupie 10 obserwatorów porównano z wartościami wskaźników oddawania barw ocenianych lamp. Przedstawiono sposób projektowania stanowiska badawczego oraz kryterium doboru próbek barwnych i źródeł światła.
    The article describes the results of laboratory tests. The research involves the observation of colourful samples illuminated with lamps used in lighting design. The aim of the study was the subjective evaluation and comparison of the colour rendering by LED lamps, light bulbs and fluorescent lamps. The results for the group of 10 observers were compared with the values of the colour rendering indexes (CRI) of tested lamps. The design of the laboratory position was presented, including technical conditions and criteria for the selection of colourful samples and light sources.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 123-131
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rezystancja termiczna diod led a wiarygodność danych katalogowych
    Thermal Resistance of Cheap Led Diodes and Precision of Catalogue Data
    Autorzy:
    Wesołowski, M.
    Skrzypczak, P.
    Hauser, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159174.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    diody LED
    rezystancja termiczna
    LED
    thermal resistance
    Opis:
    Współczesne diody LED charakteryzują się imponującymi parametrami eksploatacyjnymi, zarówno w odniesieniu do generowanych strumieni świetlnych, jak i sprawności przetwarzania energii elektrycznej. Jednak w wielu przypadkach, parametry podawane w notach aplikacyjnych, nie są możliwe do osiągnięcia. Fakt ten wynika z prezentacji tych danych w warunkach cieplnych nie występujących podczas normalnej eksploatacji. W niniejszym artykule analizie poddano problematykę skutecznego odprowadzania ciepła z złącz p-n, do obudów diod. Intensywność tego procesu zależna jest od tzw. rezystancji termicznej, będącej jednym z istotnych parametrów podawanych w notach katalogowych. Z uwagi na znaczną liczbę awarii, zwłaszcza tanich diod LED, podjęto próbę oceny rzeczywistych wartości rezystancji termicznych tych elementów oraz porównanie ich z wartościami podawanymi w katalogach.
    Today’s LEDs are characterized by high exploitation parameters. Both light intensities and efficiencies are the highest in the comparison to other light sources. However, in many cases, parameters given in application notes are impossible to reach. In the article, some aspects of thermal energy dissipation from p-n junctions were discussed. Some methods for the measurements of the thermal resistance of LED junctions were presented. The measurement results were compared to application data.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2016, 272; 6-20
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of Long-Time Delay in Lasing in Homo- and Heteroepitaxially Grown II-VI Laser Diodes
    Autorzy:
    Isemann, A.
    Behringer, M.
    Wenisch, H.
    Fehrer, M.
    Ohkawa, K.
    Hommel, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969096.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    Opis:
    Gain guided laser diodes exhibit unexpected low threshold current densities. Under these conditions, lasing only occurs under a current dependent long-time delay, which is three orders of magnitude larger than the time needed to reach population inversion. This effect is attributed to a thermally induced index guiding. The change in temperature of the quantum well region can be estimated using the shift in the wavelength of emission to be up to 70 K. As a further consequence, the threshold current density can be reduced by a factor of 4 simply by changing the pulse width of the applied current.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 355-358
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Adaptacyjny układ sterowania LED-ów i diod laserowych
    An adaptive control system of lEDs and laser diodes
    Autorzy:
    Gilewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/158747.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    sterownik LED
    zasilanie diody laserowej
    FPGA
    LED driver
    laser diode supply
    FPGAs
    Opis:
    W artykule przedstawiono koncepcję architektury wielokanałowego układu sterującego zestawem LED-ów i diod laserowych. Zawarto w niej schemat ogólny całego systemu oraz schematy szczegółowe modułów składowych. Są to opracowania własne autora oraz implementacje istniejących sterowników. W szczególności jest to rozwinięcie koncepcji zaproponowanej w projekcie MniSzWiN N518 284340. W niniejszej pracy scharakteryzowano również warunki temperaturowe oraz możliwość współpracy z mikrokomputerem. Sposób sterowania systemu przedstawiono w odrębnej publikacji "Algorytmy sterujące stałoprądowym zasilaniem LED-ów i diod laserowych".
    The paper describes the multichannel control system of a set of laser diodes and LEDs. It includes a diagram of the system and component drawings. They are their own solutions and modifications to existing drivers. Also developed the concept of the grant No. MniSzWiN N518 284340. Thermal conditions are also discussed, and the ability to connect a computer. System control method can be found in the "DC power control algorithms of leds and laser diodes" publication.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 260; 121-128
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/199922.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge termination
    silicon carbide
    4H-SiC
    p-i-n diode
    breakdown voltage
    JTE
    Opis:
    In this work, in order to obtain breakdown voltage values of the 4H-SiC p-i-n diodes above 1.7 kV, three designs have been examined: single-zone junction termination extention (JTE), double-zone JTE and a structure with concentric rings outside each of the areas of the double-zone JTE (space-modulated JTE). The influence of geometry and the level of p-type doping in the JTE area as well as the charge as the interface between the p-type JTE area and the passivation layer on the diode breakdown voltage was studied. The effect of statistical dispersion of drift layer parameters (thickness, doping level) on diodes breakdown voltage with various JTE structures was investigated as well. The obtained results showed that the breakdown volatge values for a diode with single zone JTE are very sensitive both to the dose of JTE area and charge accumulated at the JTE/dielectric interface. The use of a double zone or space-modulated JTE structures allows for obtaining breakdown voltage above 1.7 kV for a much wider range of doping parameters and with better tolerance to positive charge at the JTE/dielectric interface, as well as better tolerance to statistical dispersion of active layer parameters compared to a single zone JTE structure.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 367-375
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Power sharing system with use of DC-DC converter and intermediate circuit of VSI inverter
    Autorzy:
    Kozak, Maciej
    Gordon, Radosław
    Zarębski, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376476.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    energy storage systems
    synchronous generator
    dual active bridge
    DC grid
    auctioneering diodes
    Opis:
    The article describes issues related to power distribution between a power plant system consisting of a synchronous generator operating at variable shaft speed and a super capacitor which is a short-term source of electricity for sudden electrical load changes. In the presented system a generator and a battery of supercapacitors were connected with use of power electronic converters. The synchronous generator is connected to the DC network via an AC-DC converter and the super capacitor is connected with means of an isolated DC-DC converter. Both converters have been equipped with auctioneering diodes to prevent the flow of equalizing currents. The theoretical basis and results of experimental research obtained on a laboratory test-stand equipped with the aforementioned system are presented.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2020, 103; 69-84
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
    Autorzy:
    Sikorski, S.
    Jung, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378443.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Tematy:
    diody Schottky'ego
    modelowanie
    detektory z barierą Schottky'ego
    przyrządy półprzewodnikowe
    Schottky diodes
    modelling
    Schottky barrier photodiodes
    semiconductor devices
    Opis:
    The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 5; 1-5
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stability of Diodes with Poly(3-hexylthiophene) and Polyazomethines Thin Organic Layer
    Autorzy:
    Bednarski, H.
    Gąsiorowski, J.
    Domański, M.
    Hajduk, B.
    Jurusik, J.
    Jarząbek, B.
    Weszka, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1409596.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ei
    73.50.Pz
    Opis:
    Herein we report results of studies on stability of diodes based on organic semiconductors such as poly (3-hexylthiophene) (P3HT) and soluble derivative of polyazomethine poly(1,4-(2,5-bisoctyloxy phenylenemethylidynenitrilo)-1,4-phenylenenitrilomethylidyne), (BOO-PPI). Both polymers were deposited on glass/ITO substrate with or without covering with blocking layer: poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) and finished with Al back electrode. Prepared devices were studied by monitoring their electrical conductivity under nitrogen atmosphere and ambient air conditions. Under nitrogen atmosphere a marked influence of presence of the blocking layer on the diodes electrical conductivity was revealed. The P3HT diodes prepared without PEDOT:PSS thin film shown quick degradation, whereas presence of these layers stabilizes electrical conductivity in these devices. Inversely, the PPI based diodes without the PEDOT:PSS revealed stable conducting properties, while corresponding diodes with PEDOT:PSS layer showed degradation traces of their conducting properties.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1083-1086
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of Ultrafast Schottky Diodes to High Megahertz Chaotic Oscillators
    Autorzy:
    Mykolaitis, G.
    Tamaševičius, A.
    Bumelienė, S.
    Namajūnas, A.
    Pyragas, K.
    Pyragas, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1179720.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    05.45.Ac
    05.45.Pq
    05.45.-a
    47.52.+j
    Opis:
    The considered chaotic oscillator consists of an amplifier, 2nd order LC resonator, Schottky diode and an extra capacitor in parallel to the diode. The diode plays the role of a nonlinear device. Chaotic oscillations are demonstrated numerically and experimentally at low as well as at high megahertz frequencies, up to 250 MHz.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 365-368
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Germanate glasses co-doped with Ce3+/Ln3+ (Ln = Pr, Tb, Dy) for white light emitting diodes
    Autorzy:
    Górny, Agata
    Sołtys, Marta
    Pisarska, Joanna
    Pisarski, Wojciech A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173993.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    glasses
    rare earth ions
    white luminescence
    Opis:
    Glasses doped with lanthanides ions may be good white light emitters due to their interesting physical and spectroscopic properties. In this paper, the optical spectroscopy of rare earths doped glasses with a special emphasis on application as white LED were presented. The luminescent glass materials containing Ln3+ (Ln = Pr, Tb, Dy) and Ce3+ ions were obtained. The glasses samples were prepared by a traditional melt-quenching technique. The optical properties of glasses containing various concentrations of rare earth ions were analyzed. It was observed that luminescence bands corresponding to characteristic transitions of Ln3+ and cerium ions are present on spectra measured under direct excitation of Ce3+. Therefore, it indicates that the energy transfer process between Ce3+ /Pr3+, Ce3+ /Tb3+, Ce3+ / Dy3+ ions in glasses occurs. Some parameters such as correlated color temperature (CCT) and chromaticity coordinates (CIE) that characterize white LEDs were analyzed and discussed in detail.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2019, 49, 3; 383-391
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Pressure and Temperature on AlGaInP and AlGaAs Laser Diodes
    Autorzy:
    Adamiec, P.
    Świetlik, T.
    Bohdan, R.
    Bercha, A.
    Dybała, F.
    Trzeciakowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036026.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    42.60.-v
    78.45.+h
    Opis:
    InGaP/AlGaInP lasers (emitting from 630 to 690 nm) and GaAs/AlGaAs lasers (emitting at 780 nm) were studied under hydrostatic pressure up to 20 kbar and at temperatures from 240 to 300 K. The electrical characteristics, the power-current dependencies and the emission spectra were measured. The emission spectra shifted in agreement with the pressure/temperature variation of the band gaps in active layers of the laser. Since at high pressure theΓ-X separation in the conduction band is strongly reduced (both in AlGaInP and AlGaAs), the dominant loss mechanism of the lasers is the electron leakage to X minima in the p-claddings. This, in turn, leads to high sensitivity of threshold currents to temperature. The dependence of threshold currents on pressure and on temperature is in good agreement with the simple theoretical analysis taking into account the carrier leakage and the radiative and nonradiative recombination. Better agreement between the theory and the experiment is obtained assuming drift rather than diffusion leakage. This indicates that threshold currents could be further reduced if the p-doping is improved in the claddings.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 585-593
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    From High Electron Mobility GaN/AlGaN Heterostructures to Blue-Violet InGaN Laser Diodes. Perspectives of MBE for Nitride Optoelectronics
    Autorzy:
    Skierbiszewski, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043710.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    42.60.By
    73.21.Cd
    Opis:
    The recent progress in growth of nitride based semiconductor structures made by plasma assisted MBE is presented. This technology is ammonia free and nitrogen for growth is activated in RF plasma source from nitrogen molecules. The new growth mechanism - adlayer enhanced lateral diffusion of adatoms on semiconductor surface is studied in plasma assisted MBE. This mechanism enables us to achieve high quality step-flow epitaxy at temperatures 600-750ºC, much lower than expected from classical estimates based on the melting point of GaN. We show that growth at low temperatures in metal rich (gallium or indium) regime, together with use of low dislocation bulk GaN substrates, results in high quality of (In, Al, Ga)N layers and sharp interfaces. We demonstrate record high mobility of two-dimensional electron gas at GaN/AlGaN interface (with mobility exceeding 100 000 cm$\text{}^{2}$/(V s) at 4.2 K and 2500 cm$\text{}^{2}$/(V s) at 300 K) and report on first blue-violet InGaN multiquantum well laser diodes, operating in 407-422 nm wavelengths range. In this paper, we discuss also properties of strain compensated InAlN/InGaN multiquantum wells grown by plasma assisted MBE which are very attractive for telecommunication applications at 1.5μm wavelengths like electro-optical modulators or all-optical switches.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 635-651
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
    Autorzy:
    Kraśniewski, J.
    Janke, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    temperature-sensitive parameter calibration curves
    Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
    krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
    dioda Schottky z węglika krzemu
    Opis:
    Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
    Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ekologiczne rozwiązania w magazynach
    Ecological solutions in warehouses
    Autorzy:
    Mardeusz, Ewa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818689.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    zielona logistyka
    zielony magazyn
    odzysk ciepła
    destratyfikator powietrza
    diody elektroluminescencyjne
    automatyzacja magazynu
    green logistics
    green warehouse
    heat recovery
    air destratificator
    light emitting diodes
    warehouse automation
    Opis:
    W poniższym artykule przedstawiona została koncepcja zielonej logistyki ze zwróceniem szczególnej uwagi na obszary magazynowe. Wyodrębniono podstawowe informacje z zakresu certyfikacji zielonych magazynów. Głównym celem pracy było scharakteryzowanie wybranych rozwiązań ekologicznych stosowanych we współczesnych magazynach. Wymienione zostały systemy, których działanie koncertuje się na odzysku ciepła. Ponadto opisano zalety destratyfiaktorów powietrza, diod elektroluminescencyjnych oraz automatyzacji magazynu jako skuteczne narzędzia ekologiczne.
    The following paper presents the concept of green logistics with special attention to warehouse areas. Basic information on the certification of green warehouses was extracted. The main objective of the study was to characterize selected ecological solutions used in modern warehouses. The systems whose operation is based on heat recovery are mentioned. In addition, the advantages of air destratifiers, LEDs and warehouse automation as effective ecological tools are described.
    Źródło:
    Journal of TransLogistics; 2021, 7, 1; 9--18
    2450-5870
    Pojawia się w:
    Journal of TransLogistics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ekologiczne rozwiązania w magazynach
    Ecological solutions in warehouses
    Autorzy:
    Mardeusz, Ewa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818712.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    zielona logistyka
    zielony magazyn
    odzysk ciepła
    destratyfikator powietrza
    diody elektroluminescencyjne
    automatyzacja magazynu
    green logistics
    green warehouse
    heat recovery
    air destratificator
    light emitting diodes
    warehouse automation
    Opis:
    W poniższym artykule przedstawiona została koncepcja zielonej logistyki ze zwróceniem szczególnej uwagi na obszary magazynowe. Wyodrębniono podstawowe informacje z zakresu certyfikacji zielonych magazynów. Głównym celem pracy było scharakteryzowanie wybranych rozwiązań ekologicznych stosowanych we współczesnych magazynach. Wymienione zostały systemy, których działanie koncertuje się na odzysku ciepła. Ponadto opisano zalety destratyfiaktorów powietrza, diod elektroluminescencyjnych oraz automatyzacji magazynu jako skuteczne narzędzia ekologiczne.
    The following paper presents the concept of green logistics with special attention to warehouse areas. Basic information on the certification of green warehouses was extracted. The main objective of the study was to characterize selected ecological solutions used in modern warehouses. The systems whose operation is based on heat recovery are mentioned. In addition, the advantages of air destratifiers, LEDs and warehouse automation as effective ecological tools are described.
    Źródło:
    Journal of TransLogistics; 2021, 7, 1; 9--18
    2450-5870
    Pojawia się w:
    Journal of TransLogistics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170~MeV Xenon Ions
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Nha, Vo
    Tarasik, M.
    Shpakovski, S.
    Filipenia, V.
    Skuratov, V.
    Wieck, A.
    Kołtunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400481.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the $p^{+}$-region (implantation energy 170 MeV, fluence Φp from $5 \times 10^7$ to $10^9 cm^{-2}$). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 926-928
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
    Autorzy:
    Malik, S.
    Usman, Muhammad
    Hussain, M.
    Munsif, M.
    Khan, S.
    Rasheed, S.
    Ali, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818198.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    ultraviolet
    light-emitting diodes
    efficiency
    quantum wells
    Opis:
    The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On the Frequency C-V and G-V Characteristics of Au/Poly (3-Substituted thiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky Barrier Diodes
    Autorzy:
    Özdemir, A.
    Akcan, D.
    Lapa, H.
    Yavuz, A.
    Duman, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402507.pdf
    Data publikacji:
    2015-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.30.+y
    Opis:
    The frequency-dependent electrical characteristics of Au/Poly (3-Substituted thiophene) (P3DMTFT)/ n-GaAs Schottky barrier diodes have been investigated by using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements at room temperature. Negative capacitance behavior has been observed in the C-V characteristic for each frequency. The magnitude of absolute value of C was found to increase with decreasing frequency in the forward bias region. The value of G/ω increases with decreasing frequency in the positive region. This can be attributed to the increase in the polarization at low frequencies and to the fact that more carriers are introduced into the structures. Negative capacitance phenomenon can be explained by the loss of interface charges from the occupied states below the Fermi level, caused by impact ionization process. According to obtained result, the values of C and G/ω are strong functions of frequency and applied bias voltage, particularly in the accumulation an inversion region. Doping concentration $(N_{d})$, diffusion potential $(V_{d})$, Fermi energy level $(E_{f})$, and barrier height $(Φ_{b}(C-V))$ values have been calculated from reverse bias $C^{-2}-V$ plots for 3 MHz. Finally, the obtained value of $R_{s}$ in the accumulation region increases with decreasing frequency.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 2B; B-450-B-454
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
    Autorzy:
    Malik, S.
    Usman, Muhammad
    Hussain, M.
    Munsif, M.
    Khan, S.
    Rasheed, S.
    Ali, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818193.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    ultraviolet
    light-emitting diodes
    efficiency
    quantum wells
    Opis:
    The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon ions
    Autorzy:
    Sharma, R. K.
    Hazdra, P
    Popelka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397767.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    4H-SiC
    characterization
    JBS diode
    PIN diode
    simulation
    dioda JBS
    dioda PIN
    symulacje
    Opis:
    This paper presents the development and application of simulation models for proton and carbon irradiated 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. Commercial JBS diode chips were irradiated to the identical depth with different doses of hydrogen and carbon ions. The resulting defects were then identified by deep level transient spectroscopy (DLTS). Comprehensive I-V and C-V measurement performed prior to and after ion irradiation was used for calibration of simulation models. Results show that compared to protons, heavier carbon ions introduce more defects with deeper levels in the SiC bandgap and more stable damage. For the first time, the free carrier concentration profile extracted from CV simulations for irradiated JBS diode has been compared with experimental data. The simulation of irradiated JBS diodes exhibit excellent matching with experimental data and can be very useful for the optimization of SiC power devices. Furthermore, it is shown that the developed model can be used for prediction of the effect of ion irradiation on both the static and dynamic characteristic of PiN diode.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 2; 59-63
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zaawansowane technologie detekcji promieniowania jonizującego w urządzeniach przenośnych
    Advanced technologies of ionizing radiation detection in portable devices
    Autorzy:
    Nowicki, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/214017.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    detekcja promieniowania gamma
    detekcja neutronów
    scyntylatory
    diody PiN
    SiPM
    gamma and neutron radiation detection
    scintillators
    PiN diodes
    Opis:
    Zasygnalizowano aktualne tendencje w konstrukcji przenośnych urządzeń do pomiaru promieniowania jonizującego pozwalające na miniaturyzację detektorów przy równoczesnym zwiększeniu ich możliwości pomiarowych. Przedstawiono kilka rozwiązań technicznych, w tym radiometru MKS-11GN SPECTRA ze względu na internetowe wzmianki o jego stosowaniu w Polsce.
    The current tendencies in the construction of portable counters for measuring ionizing radiation including miniaturization of detectors while increasing their measuring capabilities have been indicated. A number of technical solutions were presented, including the MKS-11GN SPECTRA radiometer due to its probably use in Poland.
    Źródło:
    Postępy Techniki Jądrowej; 2020, 3; 10-15
    0551-6846
    Pojawia się w:
    Postępy Techniki Jądrowej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Selected metrology problems implied by the application of LED technology in lighting
    Wybrane problemy metrologiczne implikowane stosowaniem technologii LED w oświetleniu
    Autorzy:
    Błaszczak, U. J.
    Zając, A. S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408716.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    light emitting diodes
    measurement
    lighting technology
    diody elektroluminescencyjne
    pomiary
    technika świetlna
    Opis:
    High power LEDs replace traditional light sources in all possible lighting applications, causing significant problems in assessing the quality of lighting. This issue is not limited only to the construction aspects of the measuring equipment, but also has a cognitive dimension. The article presents an overview of the current state of knowledge on color rendering and evaluation of discomfort glare in relation to the widespread use of LEDs in lighting. Some selected parameters developed copyright sources with LED sets. Basic limitations in UGR measurement were indicated
    Diody świecące dużej mocy zastępują klasyczne źródła światła właściwie we wszystkich możliwych aplikacjach oświetleniowych, co powoduje znaczne problemy w ocenie jakości oświetlenia. Zagadnienie to nie sprowadza się wyłącznie do aspektów konstrukcyjnych aparatury pomiarowej, lecz także ma wymiar poznawczy. W artykule przedstawiono przegląd aktualnego stanu wiedzy na temat oddawania barw oraz oceny olśnienia przykrego w odniesieniu do powszechnego stosowania diod LED w oświetleniu. Omówiono wybrane parametry opracowywanych autorskich źródeł z zestawami LED. Wskazano podstawowe ograniczenia w technice pomiarów UGR.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 3; 6-11
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Simulation of the impact of the degree and type of shading on generation of electrical energy by the PV system in MATLAB&SIMULINK environment
    Autorzy:
    Jarmuda, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/97511.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    PV system
    poor shading effect
    strong shading effect
    bypass diodes
    MATLAB environment
    Opis:
    In the study the method of modelling of the photovoltaic system (PV) in MATLAB & SIMULINK environment was presented along with test results of the impact of shading on the value of energy output from the photovoltaic system. The PV system model constructed of five parallel connected photovoltaic panels of TPSM6U type was proposed. Simulation tests were conducted considering the effect of poor and strong shading of panels causing differences in the density of the radiation power (irradiance) for individual panels and the PV system. The values of electrical energy generated by individual PV panels and the whole photovoltaic system were determined for the purposes of the actual forces. Optional switching on and off of the bypass diodes was considered in the photovoltaic panels. The tests were developed and final conclusions were formulated.
    Źródło:
    Computer Applications in Electrical Engineering; 2015, 13; 454-468
    1508-4248
    Pojawia się w:
    Computer Applications in Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effects of space vector modulation strategy on hybrid (Si-SiC) inverter losses
    Autorzy:
    Bonisławski, M.
    Hołub, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/140592.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    przekształtnik hybrydowy
    elektronika energetyczna
    urządzenie z szeroką przerwą energetyczną
    SVPWM
    DPWM
    power electronic inverter
    SiC diodes
    hybrid inverter
    wide band gap devices
    Opis:
    This work summarizes efficiency measurement results of a full bridge, 3 phase inverter composed of state-of-the-art Si IGBT transistors and Si or SiC diodes. Different (symmetrical and discontinuous) space vector modulation strategies were chosen in order to examine their influence (together with modulation frequency) on inverter losses. Induction machine was used as load, different load points were examined. Results clearly show, that proper modulation strategy, minimizing the switching losses of semiconductor switches, can increase the overall output efficiency at about 1% in case of both silicon and hybrid constructions. The drawback of DPWM approach is connected with the decreased quality of inverter output current. Hybrid technology can also improve the output efficiency at about 1% when compared to traditional constructions, but only in case of elevated switching frequencies. At low frequencies (below 10 kHz) modern semiconductor offer comparable results at much lower device costs.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2012, 61, 1; 69-75
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Role of Hydrostatic Pressure in Electrical Properties of Au/n-GaAs Schottky diodes with Substituted Polyaniline Interfacial Layer
    Autorzy:
    Özdemir, A.
    Abdolahpour Salari, M.
    Kökce, A.
    Uçar, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1031654.pdf
    Data publikacji:
    2017-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Kp
    73.20.At
    74.62.Fj
    Opis:
    Au/polymer P2ClAn(H₃BO₃)/n-GaAs Schottky barrier diodes, where P2ClAn stands for poly(2-chloroaniline), have been fabricated. To fabricate Schottky diodes with polymer interface, n-type GaAs wafer was used. The P2ClAn polymer solution was applied on the front face of the n-GaAs wafer by a pipette. The P2ClAn emeraldine salt was chemically synthesized by using boric acid (H₃BO₃). Schottky diode parameters, such as ideality factor, barrier height and series resistance have been measured, as functions of hydrostatic pressure, using the current-voltage technique. The ideality factor values of Au/P2ClAn/n-GaAs Schottky barrier diodes have decreased from 3.38 to 3.01, the barrier height has increased from 0.653 to 0.731 eV at 0.36 kbar and series resistances were ranging from 14.95 to 14.69. The results obtained from I-V characteristics of Au/P2ClAn/n-GaAs Schottky barrier diodes show that pressure treatment improves the rectifying properties of the diodes. These diodes can be used as pressure-sensitive capacitors, due to pressure-dependence of diode parameters.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 3; 1118-1121
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dobór diod zabezpieczających w falownikach silników BLDC z elektronicznym bocznikowaniem części uzwojenia
    Selection of protective diodes in inverters used for BLDC motors with electronically shunted excitation winding
    Autorzy:
    Fręchowicz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1369638.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    diody zabezpieczające
    falowniki silników BLDC
    elektroniczne bocznikowanie
    uzwojenie
    Opis:
    Some drive systems with PM excited motors use two zones of rotational speed control. Smooth transition from "constant torque" zone to "constant power" zone is achieved by either weakening PM field Or by gradual switching off (shunting) of parts of winding with the help of power electronics elements (IGBT transistors). The second method of speed control may be especially useful in those PM motor drives, where small rotor inertia is required or where application of IPM rotors (permanent magnets inset into rotor iron) might be difficult (disc rotors, motors with rotating external excitation). In those machines we use magnets glued onto rotor surface, and this results in rapid decrease of motor's maximum torque during field weakening. If we look at a motor dedicated to operation with parts of the winding shunted, the terminal box exhibits Tyree terminals, representing armature winding beginning, end and midpoint. Midpoints and endpoints may be shortcircuited with transistors and therefore star-connected armature bands may exhibit more or less turns. During start-up and at low rotating speeds, lower group transistors operate (those are transistors short-circuiting bands' endpoints). The motor operates in a way identical to standard brushless dc motor (BLDC). At high rotating speeds, the bands' midpoints start to become short-circuited by upper group transistors and this results in further increase of rotor speed. Application of transistors makes transition from motor mode of operation to recuperative braking operations more complex. Different variants of drives are described in the paper, all drives making possible kraking accompanied by energy recuperation into the supply source. It has been proved that in some circuits some part of conducting current is taken over by backward diodes. In order to select these diodes properly, one must be aware of magnitude of this current. The paper demonstrates how to evaluate this current.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 3, 96; 49-55
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wyznaczanie charakterystyk pracy impulsowej wysoko wydajnych diod elektroluminescencyjnych
    The determination of characteristics of highly-efficient LED diodes impulse work
    Autorzy:
    Czajka, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/257310.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Eksploatacji - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    system oświetlenia
    widzenie maszynowe
    oświetlacz impulsowy
    proces dynamiczny
    lighting system
    machine vision
    impulse lighting illuminators
    dynamic process
    Opis:
    Automatyczna optyczna inspekcja w wielu procesach wymaga stosowania oświetlaczy, które są w stanie w bardzo krótkim czasie zapewnić wysoką wartość natężenia światła. Jednym z rozwiązań jest zastosowanie oświetlaczy diodowych w warunkach pracy impulsowej z chwilowym przekroczeniem nominalnych parametrów prądowych diod LED. Coraz częściej w systemach oświetlenia stosowane są wysoko wydajne diody LED, o mocach rzędu kilku watów. Przedmiotem badań był wpływ natężenia prądu i długości impulsu na wartość i stabilność natężenia światła diody w impulsie. Badania przeprowadzono dla diod Luxeon światła białego o mocach 1, 3 i 5 W. Wyniki badań mogą być wykorzystane przy projektowaniu oświetlaczy i ich sterowników.
    Automatic optical inspection in many processes demands the application of lighting illuminators, which are able to ensure high value intensity of illumination in a very short time. One of solutions is the application of LED lighting illuminators in impulse work conditions with temporary crossing border parameters of current diodes LED. Highly-efficient LED diodes with the power of several watts are more and more often used in lighting systems. The topic of research was the influence of current intensity and impulse length on the value and uniformity of the illumination diode intensity in impulse. Research was conducted for Luxeon diodes with white light and power of 1, 3 and 5 watts. Research results can be used in the course of designing lighting illuminators and their controllers.
    Źródło:
    Problemy Eksploatacji; 2008, 2; 33-44
    1232-9312
    Pojawia się w:
    Problemy Eksploatacji
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Generowanie wyższych harmonicznych przez półprzewodnikowe źródła światła (LED) stosowane w gospodarstwach domowych
    Higher harmonics generating by light emitting diodes bulbs practical in households
    Autorzy:
    Putz, Ł.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159399.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    żarówka diodowa LED
    wyższe harmoniczne
    dioda elektroluminescencyjna
    współczynnik zawartości harmonicznych napięcia i prądu
    Opis:
    W artykule zaprezentowano zastosowania diod elektroluminescencyjnych (LED). Przedstawiono budowę oraz zasadę działania takich diod wraz z charakterystyką napięciowo-prądową. Artykuł prezentuje także pozytywne i negatywne aspekty pracy diod LED z naciskiem na niekorzystne generowanie wyższych harmonicznych. Część główną publikacji stanowi zaprezentowanie wstępnych badań na elektroluminescencyjnych źródłach światła w zakresie generacji wyższych harmonicznych. Badania dotyczą żarówki LED-GU1018-WHT firmy APOLLO lighting. Ze względu na stosunkowo niską cenę jest to jedno z najpowszechniej stosowanych diodowych źródeł światła w przeciętnych gospodarstwach domowych. Badania przeprowadzono przy użyciu analizatora jakości energii FLUKE 434. Na podstawie wyników pomiarów sporządzone zostały wykresy zawartości harmonicznych napięcia i prądu w przewodach fazowym oraz neutralnym. Następnie dokonano szerokiej analizy uzyskanych charakterystyk.
    In this article is presented appliance of light emitting diodes. Introduced the structure and the rule of working of such diodes with voltage-current characteristics. The article is also presented positive and negative aspects of work of light emitting diodes with pressure on unprofitable generation of higher harmonics. The main part of the publication determines presenting of reconnaissance on electroluminescence light sources in the range of higher harmonics generations. Research refer LED-GU1018-WHT bulb of the APOLLO lighting company. For comparatively the minor price this is one from most spread practical diode light sources in average households. Research was done with use FLUKE 434 Power Quality Analyzer. On the ground of measurement results was prepared graphs of voltage and current harmonics content in phase and neutral lines. At the end was execute wide analysis of obtained characteristics.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 63-72
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
    Practical aspects of short-circuit withstand of the power semiconductor devices
    Autorzy:
    Przybysz, J.
    Owsiński, M.
    Piątek, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159769.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    półprzewodniki
    tyrystory
    diody
    wytrzymałość zwarciowa
    badania
    semiconductors
    thyristors
    diodes
    short circuit withstand
    research
    Opis:
    W ramach prowadzonych w Instytucie Energetyki w Warszawie badań urządzeń elektroenergetycznych wykonywane są między innymi próby sprawdzania ich wytrzymałości zwarciowej. W niniejszym artykule zebrano doświadczenia uzyskane podczas badań dla elementów półprzewodnikowych dużej mocy. Przedstawiono zachowanie się obiektów wyposażonych w elementy półprzewodnikowe, między innymi podczas łączenia prądów zwarciowych w stanie pracy znamionowej i awaryjnej. Pokazano zalety stosowania takich rozwiązań oraz omówiono zasadność wykonywania badań pozwalających uzyskać charakterystyki dynamiczne wykorzystywanych elementów półprzewodnikowych. Zwrócono również uwagę na zalety wykorzystania na etapie konstruktorskim zależności przejściowej impedancji termicznej struktur półprzewodników.
    Short-circuit withstand of electric power system equipment is a part of the tests carried out by Institute of Power Engineering in Warsaw. In this article we have gathered our experience gained during the research of the power semiconductor devices. It shows the behavior of devices equipped with semiconductor components during short-circuit currents flow in case of nominal and emergency operation. The advantages of such solutions and method of obtaining the dynamic characteristics of semiconductor devices were shown as well. Attention was also drawn to the advantages of the use of transient thermal impedance based on semiconductor structures during the designing stage.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 47-61
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Porównanie wybranych właściwości diod elektroluminescencyjnych
    Comparison of selected properties of light-emitting diodes
    Autorzy:
    Wrona, I. A.
    Jarosik, M. W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/101844.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Polskie Towarzystwo Promocji Wiedzy
    Tematy:
    dioda elektroluminescencyjna
    czas narastania
    szerokość impulsów
    moc optyczna
    właściwości elektryczne
    light-emitting diode
    rise time
    pulse width
    optical power
    electric properties
    Opis:
    W ramach pracy przeanalizowano wybrane właściwości niebieskich diod elektrolumi-nescencyjnych w celu doboru odpowiednich parametrów umożliwiających wykorzystanie badanych diod do kalibracji detektora promieniowania Czerenkowa. W szczególności eksperymentalnie przebadano 10 modeli diod LED mierząc czas narastania, szerokość impulsu, impedancję zastępczą oraz moc optyczną. Pomiary elektrycznych właściwości diod zostały wykonane przy użyciu analizatora impedancji oraz kąta przesunięcia fazowego. Na podstawie uzyskanych rezultatów możliwe było wyznaczenie rezystancji oraz pojemności diod przy różnych wartościach napięcia. Charakterystyki czasowe wyznaczono przy użyciu oscyloskopu LeCroyWaverunner 62Xi, generatora funkcyjnego DDS oraz fotopowielacza. Pomiary wykonano dla różnych wartości napięcia oraz przy wykorzystaniu kilku filtrów ograniczających natężenie światła docierającego do fotopowielacza. W każdym rozpatrywanym przypadku badane były 2 różne diody tego samego typu, co pozwoliło na określenie różnic między poszczególnymi egzemplarzami. W ramach badań właściwości optycznych wyznaczono moc optyczną diod. Następnie wykorzystując uzyskane rezultaty obliczono liczbę fotonów przypadających na pojedynczy impuls. Do pomiarów wykorzystano miernik Newport 1835-C wyposażony w detektor 818-UV/CM. Wykonane badania miały na celu wyselekcjonowanie diod LED o odpowiednich parametrach czasowych, elektrycznych i optycznych, które najlepiej sprawdzą się podczas kalibracji detektora promieniowania Czerenkowa. W kolejnym kroku planowane są badania polegające m.in. na testowaniu właściwości układów diod w różnych połączeniach.
    In the paper some selected properties of the blue light-emitting diodes planned to be used to calibration of Cherenkov radiation’s detector have been analysed. In particular ten LEDs models have been experimentally examined by measuring the rise time, pulse width, complex impedance and optical power. Measurements of LEDs electric properties have been made by using impedance and phase analyser. On the basis of obtained results the resistance and capacitance of each LED for different voltage values have been calculated. Timing characteristics were determined by using LeCroyWaverunner 62Xi oscilloscope, DDS function generator and photomultiplier. Measurements have been performed for different values of voltage and a few neutral density filters to restrict the intensity of light reaching the photomultiplier have been used. In each case two different diodes of the same type have been tested to define differences between copies. Research of optical properties consisted of measuring optical power of LEDs. Then, using the obtained results, number of photons per pulse has been calculated. To measurement a Newport 1835-C optical power measurer fitted with a 818-UV/CM detector has been used. Research has been performed to select the diode with relevant parameters, which best suits during calibration of Cherenkov radiation’s detector. In the next step testing properties of LEDs in various connections is planned.
    Źródło:
    Journal of Technology and Exploitation in Mechanical Engineering; 2015, 1, 1-2; 107-123
    2451-148X
    Pojawia się w:
    Journal of Technology and Exploitation in Mechanical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zalety stosowania diod świecących w lampach do użytku domowego oraz w oprawach oświetleniowych
    Benefits of using light-emmiting diodes in household lamps and office luminaires
    Autorzy:
    Wandachowicz, K.
    Michałowska, N.
    Taisner, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377329.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    lampy do użytku domowego
    oprawy oświetleniowe
    moduły diodowe
    świetlówki liniowe
    Opis:
    W artykule przedstawiono badania właściwości elektrycznych oraz fotometrycznych wybranych lamp do użytku domowego oraz opraw oświetleniowych. Lampy do użytku domowego zostały tak dobrane, iż są zamiennikami żarówki o mocy 60 W. Badane lampy zostały poddane ocenie pod względem wymagań normatywnych. Analiza porównawcza pozwala określić ich przydatność, funkcjonalność oraz korzyści płynące ze stosowania zamienników tradycyjnej żarówki. Przedstawiono również porównanie, pod względem fotometrycznym i elektrycznym, opraw oświetleniowych biurowych wyposażonych w świetlówki T5 z możliwością wymiany tych źródeł na moduły diodowe.
    This article presents a study of electrical and photometric properties of selected household lamps and luminaire. Household lamps were chosen in such a way that they are reprecements for 60 watt bulb. The comparative analysis allows to determine their usefulness, functionality and benefits of chosing an alternative to traditional bulbs. The article also presents a comparison, in terms of photometric and electrical properties, of standard office luminaires that are equipped with linear source of light – T5 fluorescent lamps with the possibility of replacing these sources with diode modules.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 83; 203-211
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Investigation of Large-Signal Noise in Nanometric Schottky-Barrier Diodes Operating in External Resonant Circuits
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Vaissière, J.
    Reggiani, L.
    Pérez, S.
    González, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1178800.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    We report Monte Carlo simulations of electronic noise in heavily doped nanometric GaAs Schottky-barrier diodes operating in series with a parallel resonant circuit when a high-frequency large-signal voltage is applied to the whole system. Significant modifications of the noise spectrum with respect to the unloaded diode are found to occur in the THz-region.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 396-399
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon $p^{+}n$-Diodes
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Tarasik, M.
    Shpakovski, S.
    Filipenia, V.
    Skuratov, V.
    Wieck, A.
    Kołtunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503994.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    The diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Krypton ions are implanted to the side of the $p^{+}$-region of diodes (energy 107 MeV, fluence Φp from 5 × $10^7$ to 4 × $10^9 cm^{-2}$). It is shown that recovery charge $Q_{rr}$ is inversely proportional to the square root of the irradiation fluence value Φp. When the fluence increases, the part of the recovery charge Q_{rrA}, due to the high reverse conductance phase, decreases faster than the value $Q_{rr}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 111-114
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fabrication and Study of the Organic-Inorganic Semiconductor Diodes Formed on n-Si
    Autorzy:
    Vengalis, B.
    Šliužienė, K.
    Lisauskas, V.
    Grigaliūnaitė-Vonsevičienė, G.
    Butkutė, R.
    Lygaitis, R.
    Gražulevičius, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506270.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ph
    73.40.Lq
    73.40.Ei
    73.40.Ns
    Opis:
    We report fabrication and electrical characterization of the organic-inorganic semiconductor diode structures formed by evaporating thin films of three novel low molecular mass organic compounds on n-type Si substrates. The organic compounds containing carbazole and triphenylamine structural units, namely: 9,9'-bis(4-butylphenyl)-3,3'-bicarbazolyl (BPBC), 4-(1H-perimidin-2-yl)-N,N-diphenylbenzenamine (PER) and 9,9'-diethyl-3,3'-bicarbazolyl (EBC) have been synthesized. The current-voltage characteristics of the Au/(BPBC, EBC, PER)/n-Si diode structures measured at T = 295 K revealed rectifying behavior with a potential barrier height values of 0.71 eV, 0.73 eV, 0.76 eV, respectively.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 262-264
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes
    Autorzy:
    Muzioł, G.
    Turski, H.
    Siekacz, M.
    Sawicka, M.
    Wolny, P.
    Cheze, C.
    Cywiński, G.
    Perlin, P.
    Skierbiszewski, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403640.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    42.82.Et
    81.15.Hi
    Opis:
    One-dimensional optical waveguide calculations were performed to study the dependence of waveguide design on confinement factor (Γp) and optical losses ($\alpha_i$) of nitride laser diodes for emission wavelength ranging from 405 nm to 520 nm. We found that the conventional waveguide design containing GaN waveguide and AlGaN cladding layers known from violet laser diode does not support sufficient confinement of the optical mode for long wavelength devices (λ > 450 nm). We proposed a new design consisting of a thick InGaN waveguide which enhances the confinement. We compared the theoretical predictions with laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1031-1033
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Distance transmitters based on laser diodes
    Dalmierze z diodami laserowymi
    Autorzy:
    Manak, I.
    Bialiauski, U.
    Wójcik, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/152230.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    dalmierz
    dioda laserowa
    struktura czasowo-przestrzenna promieniowania
    radiation space-time structure
    laser diode
    photo range-finder
    long-distance band
    short-range band
    jitter
    Opis:
    The mathematical device for the analysis of the laser diode radiation space-time structure in a distant zone for laser range-finder is developed. The influence of phase heterogeneity and radiation delays variations on distances measurement accuracy is investigated. The method of distances measurement is offered by phase range-finder, which allows to take into account influence of a modulation phase variation.
    Opracowane zostało narzędzie matematyczne do analizy struktury czasowo-przestrzennej emisji diod laserowych do dalmierzy. Zbadany został wpływ heterogeniczności fazy i zmienności opóźnienia promieniowania na dokładność pomiaru. Zaproponowano metodę pomiaru odległości za pomocą dalmierza fazowego, która pozwala na uwzględnienie wpływu zmienności modulacji fazy.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 11, 11; 29-33
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nanokrystaliczne luminofory krzemianowe na bazie jonów lantanowców dla diod luminescencyjnych emitujących światło białe
    Nanocrystalline silicate phosphors based on lanthanide ions for white light electroluminescent diodes
    Autorzy:
    Skrętek, S.
    Sokolnicki, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/270346.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
    Tematy:
    luminofor
    krzemian
    LED
    światło białe
    Eu2+
    luminophore
    silicate
    white light
    Opis:
    Otrzymano szereg luminoforów domieszkując jonami Eu3+ lub Eu3+/Tb3+ dwie matryce krzemianowe: Ca3Y2(Si3O9)2 i Y2Si2O7 stosując kombinację metod spaleniowej i zol-żel oraz atmosferę redukującą (25% H2 + 75% N2). Badania strukturalne i morfologiczne prowadzono za pomocą dyfrakcji proszkowej (XRD) i mikroskopu elektronowego (TEM). Stwierdzono, że próbki miały strukturę nanokrystaliczną i były jednofazowe. Ca3Y2(Si3O9)2 i Y2Si2O7 domieszkowane Eu3+ lub Eu3+/Tb3+, wykazują szerokopasmową emisję z jonów Eu2+ i charakterystyczną emisję dla jonów Eu3+ i Tb3+ której wypadkowa barwa dla odpowiedniego stosunku stężeń jonów domieszkowanych lokuje się w obszarze białym diagramu kolorów.
    A number of phosphors was obtained by doping Ca3Y2(Si3O9)2 and Y2Si2O7 silicate hosts with Eu3+ or Eu3+/ Tb3+ ions. Two methods of sample synthesis were applied: the sol-gel method and the combination of the combustion method and the sol-gel method. The samples were heated in the reducing atmosphere. The structural and morphological research was conducted with the use of powder diffraction (XRD) and electron microscopy (TEM). It was found out that the samples had the nanocrystalline structure and were single-phase. Ca3Y2(Si3O9)2 and Y2Si2O7 co-doped with Eu3+, Tb3+ display the broadband emission of the Eu2+ ions and the characteristic emission of Eu3+ and Tb3+ ions, the resultant colour of which for the appropriate ratio of concentrations is located in the white area of the colour chromaticity diagram. These phosphors are efficiently excited in the wavelength range of 300-420 nm, which perfectly match¬es a near UV-emitting InGaN chip. It was proved that Eu2+ ions can be stabilized in Y2Si2O7 host, thus silicates which do not contain 2+ cation can be considered as good hosts for phosphors based on Eu2+.
    Źródło:
    Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2013, 18, 1; 31-39
    2392-1765
    Pojawia się w:
    Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Iprovements OLED operation due to using additional layers
    Poprawa działania diod typu OLED przy wykorzystaniu dodatkowych warstw
    Autorzy:
    Hotra, Z.
    Volynyuk, D.
    Voznyak, L.
    Kostiv, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159361.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    organiczna dioda elektroluminescencyjna
    dioda
    warstwa transportowa
    elektroluminescencja
    organic light emitting diodes
    hole transport layer
    electroluminescent
    Opis:
    In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
    W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 19-24
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Nha, Vo
    Shpakovski, S.
    Filipenya, V.
    Skuratov, V.
    Kołtunowicz, T.
    Kukharchyk, N.
    Becker, H.
    Wieck, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402222.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3-200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 891-893
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Sprawność konwersji w luminoforach YAG:Ce współpracujących z emiterami półprzewodnikowymi z zakresu UV-VIS
    Conversion efficency of the YAG:Ce luminophores cooperated with UV-VIS semicondutor emmiters
    Autorzy:
    Prorok, M. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408471.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    luminofor
    luminescencja
    emiter półprzewodnikowy
    temperatura barwowa
    phosphors
    luminescence
    light emitting diodes
    colour temperature
    Opis:
    Powszechnie stosowana metoda emisji światła białego wykorzystująca technologię LED-ową opiera się na użyciu luminoforu oraz emitera półprzewodnikowego z zakresu długości fali 440–460 nm (barwa niebieska). W wyniku zjawiska fotoluminescencji luminofor oparty na krysztale YAG-u z domieszkami ceru emituje szerokie spektrum z zakresu widzialnego o barwie zielonożółtej. Promieniowanie będące wynikiem fotoluminescencji, mieszając się ze źródłem wymuszającym daje barwę białą o temperaturze barwowej zależnej od typu luminoforu. W artykule przeprowadzone zostały badania dotyczące zarówno sprawności konwersji samego luminoforu jak i odpowiedzi spektralnej na niededykowane wymuszenie zrealizowane emiterami półprzewodnikowymi.
    Commonly used white light emmision method utilizing LED technology depends mostly on luminophore and wavelenght 440–460 nm (blue) semicondutor emiter use. Emission of the wide visible spectrum, greenish yellow in colour, is an effect of fotoluminescence in cerium doped YAG cristal based luminophore. As the effect of fotoluminescence, radiation interferes with source radiation, resulting in white colour light with colour temperature depending on luminophore type. The article presents the research on both conversion efficency of the luminophore and the spectra response for the nondedicated forcing, realised by usage of semiconductor emitters.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2017, 7, 2; 74-77
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interplay between Internal and External Electric Field Studied by Photoluminescence in InGaN/GaN Light Emitting Diodes
    Autorzy:
    Staszczak, G.
    Khachapuridze, A.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Piotrzkowski, R.
    Perlin, P.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492901.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Fi
    78.67.De
    85.60.Bt
    85.60.Jb
    Opis:
    We have studied a series of polar InGaN/GaN light emitting diodes, consisting of either a blue (440-450 nm) quantum well, or combination of blue and violet (410 nm) quantum wells (with indium content 18% and 10%, respectively). The blue quantum well was always placed close to p-type region of the particular LED. We found that the electroluminescence induced by low current is characterized by light emission from the blue quantum well only. In comparison, optical excitation of our LEDs leads to light emission with energies characteristic either for blue and/or violet quantum wells. The corresponding microphotoluminescence spectra evolve depending on external polarization and variable light intensity of excitation supplied by He-Cd laser. Interplay between built-in electric field and externally applied polarization/screening decides about the band structure profiles and thus radiative recombination mechanisms.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 891-893
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie odkształceń prądów i napięć generowanych przez oprawy z diodami LED
    The research of current and voltage distortions generated by luminaries with the light emmiting diodes
    Autorzy:
    Kosicki, Ł.
    Typańska, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378309.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    jakość energii elektrycznej
    oprawy LED
    oświetlenie elektroluminescencyjne
    przebiegi odkształcone
    współczynnik THD
    wyższe harmoniczne
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki badań oprawy oświetlenia zewnętrznego przeprowadzone z wykorzystaniem analizatora jakości energii elektrycznej Fluke 434/PWR. Wykonano pomiary prądów, napięć, ich przebiegów czasowych, mocy czynnej, biernej i pozornej, współczynnika mocy, wyższych harmonicznych prądów i napięć oraz współczynników odkształceń dla napięcia (THDU) i prądu (THDI). Badania nowoczesnych opraw oświetlenia zewnętrznego wyposażonych w źródła światła LED wykonano w celu sprawdzenia ich wpływu na parametry elektryczne instalacji oświetleniowej. Badaniom poddano oprawę drogową produkcji firmy Fagerhult, serii Evolume 1, zawierającą 4 diody LED dużej mocy. Całkowita moc czynna oprawy wynosi 22 W.
    In the article has been presented the results of research the external luminaries with use Fluke 434/PWR Power Quality Analyzer. The measurements of voltage value and current value, their waveforms, active, reactive and apparent power, power factor and THD ratio for voltage and current was performed. The authors focused mainly on checking the contents of higher harmonics in current and voltage. The tests were performed to determine the impact of modern outdoor lighting fixtures equipped in LEDs on the electrical lighting installation. The study was based on Evolume 1 luminaire, produced by Fagerhult, fitted in four power LED. The total active power of luminaire is equal 22 W.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 215-226
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of light emitting diodes on the growth and development of Gerbera jamesonii ‘Dura’ in in vitro cultures
    Autorzy:
    Pawlowska, B.
    Zupnik, M.
    Szewczyk-Taranek, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/951227.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    light emitting diode
    horticulture
    lighting
    Gerbera jamesonii
    in vitro propagation
    growth
    plant development
    plant reaction
    photosynthetic response
    light quality
    photoperiod
    Źródło:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2015, 96, 1
    0860-7796
    Pojawia się w:
    BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of laser diodes and photodetectors on multiple-quantum wells at the hot-metal pyrometry
    Autorzy:
    Sen'kov, A. G.
    Firago, V. A.
    Kononenko, V. K.
    Christol, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153735.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pyrometry
    spectroreflectometry
    near-infrared range
    photodetector
    laser diode
    methodical error
    pirometria
    spektroreflektometria
    zakres bliskiej podczerwieni
    fotodetektor
    dioda laserowa
    pomyłka metodyczna
    Opis:
    In the paper, the method of relative spectroreflectometry at using the infrared photodetectors with a wide diapason of the spectral photosensitivity is suggested. Methodical errors at exponential and power dependencies of the emissivity of an object on the wavelength are analysed. Possible design of a pyrometer for measurements of temperature of hot metals is described and attractiveness of quantum-well laser diodes and superlattice photodetectors based on the GaSb compounds is discussed.
    W pracy zaproponowano metodę spektrofotometrii porównawczej z wykorzystaniem fotodetektorów podczerwieni o szerokim zakresie czułości spektralnej. Określono błędy systematyczne związane z wykładniczą i kątową zależnością od długości fali i współczynnika emisyjności obiektów. Przedstawiono jedną z możliwych konstrukcji pirometru do pomiaru rozgrzanych metali. Dyskutuje się również możliwość zastosowania diod laserowych o rozmiarach kwantowych oraz fotodetektorów zbudowanych w oparciu o złącza GaSb.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 597-600
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Induction, growth and paclitaxel content of needle- and petiole-derived calli in Himalayan yew (Taxus wallichiana Zucc.) under light-emitting diodes
    Autorzy:
    Nhut, D.T.
    Nguyen, P.L.H.
    Don, N.T.
    Hien, N.T.T.
    Huy, N.P.
    Nam, N.B.
    Vinh, B.T.
    Luan, T.C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/19361.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Źródło:
    Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica; 2014, 56, 2
    0001-5296
    Pojawia się w:
    Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
    The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Nakielska, M.
    Teodorczyk, M.
    Sobczak, G.
    Romaniec, M.
    Malag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192203.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    heterostruktura
    badania starzeniowe
    niezawodność diody laserowej
    laser diode
    heterostructure
    burn-in tests
    degradation
    Opis:
    Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
    The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 3-13
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Broad Band THz Sensing by 2DEG Bow-Tie-Type Diodes
    Autorzy:
    Valušis, G.
    Seliuta, D.
    Tamošiūnas, V.
    Širmulis, E.
    Balakauskas, S.
    Gradauskas, J.
    Sužiedėlis, A.
    Ašmontas, S.
    Anbinderis, T.
    Narkūnas, A.
    Papsujeva, I.
    Lisauskas, A.
    Roskos, H. G.
    Köhler, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041684.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.-h
    85.30.De
    72.30.+q
    Opis:
    We suggest a novel approach to detect broad band, 0.078-2.52 THz, electromagnetic radiation at room temperature using an asymmetrically-shaped bow-tie diode based on a modulation-doped GaAs/AlGaAs structure. We show that the voltage sensitivity in the range from 0.078 THz up to 0.8 THz has a plateau and its value is within 0.3-0.5 V/W. We consider the bow-tie diode design to increase the sensitivity of the device.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 184-187
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
    Autorzy:
    Skierbiszewski, C.
    Siekacz, M.
    Wiśniewski, P.
    Perlin, P.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Cywiński, G.
    Smalc, J.
    Grzanka, S.
    Grzegory, I.
    Leszczyński, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047002.pdf
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    42.60.By
    73.21.Cd
    Opis:
    Room temperature, continuous wave operation of InGaN multi-quantum wells laser diodes made by rf plasma assisted molecular beam epitaxy at 411 nm wavelength is demonstrated. The threshold current density and voltage were 4.2 kA/cm$\text{}^{2}$ and 5.3 V, respectively. High optical power output of 60 mW was achieved. The lifetime of these laser diodes exceeds 5 h with 2 mW of optical output power. The laser diodes are fabricated on low dislocation density bulk GaN substrates, at growth conditions which resembles liquid phase epitaxy. We demonstrate that relatively low growth temperatures (600-700°C) pose no intrinsic limitations for fabrication of nitride optoelectronic components by plasma assisted molecular beam epitaxy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 345-351
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range
    Metoda i system pomiarowy do pomiaru charakterystyk stałoprądowych diod w bardzo szerokim zakresie prądów
    Autorzy:
    Cichosz, J.
    Szewczyk, A.
    Stawarz-Graczyk, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268771.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    diody SiC
    pomiary
    charakterystyka stałoprądowa
    SiC power diode
    measurement
    DC characteristic
    Opis:
    The new measurement set-up of DC characteristics of power diodes measurements was presented. Authors proposed to organize measurements in a pulse manner, because in typical method junction temperature of power diodes under test during measurements increase. The system elaborated on the base of method for measuring DC in a very wide current range which utilizes modified R-2R resistor ladder (short-circuit keys instead of switching keys) was constructed. The measurement system is controlled by the computer with LabView application that allows to apply measurement procedure in a very short time.
    W artykule przedstawiono nowy układ pomiarowy do pomiarów stałoprądowych charakterystyk diod. Autorzy zaproponowali układ do pomiarów impulsowych w celu zachowania niezależności wyników od zmian temperatury diody. Do wytworzenia odpowiednio dużej liczby punktów pomiarowych wartości prądu wykorzystano układ zmodyfikowanej drabinki R-2R) z pojedynczymi kluczami sterującymi. Do sterowania system pomiarowym wykorzystano specjalnie opracowaną aplikację w środowisku LabView.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2012, 31; 41-44
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes
    Kierunki poprawy jakości wiązki promieniowania szerokopaskowych diod laserowych dużej mocy
    Autorzy:
    Maląg, A.
    Sobczak, G.
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Dąbrowski, A.
    Nakielska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192421.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    laser diode
    laser beam
    heterostructure
    directional characteristics of emission
    dioda laserowa
    wiązka laserowa
    heterostruktura
    charakterystyki kierunkowe emisji
    Opis:
    Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.
    Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 7-14
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs
    Autorzy:
    Havare, A.
    Okur, S.
    Yagmurcukardes, N.
    Can, M.
    Aydin, H.
    Seker, M.
    Demic, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400033.pdf
    Data publikacji:
    2013-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Hb
    73.20.Mf
    73.21.-b
    73.22.-f
    73.25.+i
    73.40.Ei
    73.40.Jn
    73.40.Ns
    Opis:
    In order to understand the electronic properties of the organic Schottky diode, ITO/TPD/Al and ITO/SAM/TPD/Al organic Schottky devices were fabricated to obtain current-voltage characteristics. From the slopes and y-axis intercepts of the plots, the values of the ideality factor, barrier heights of the ITO/SAM/TPD/Al diode were determined as 2.03 and 0.56 eV, respectively. The surface characterizations of modified and unmodified ITO were performed via atomic force microscopy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 456-458
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cultivation of sweet pepper (Capsicum annuum L.) transplants under high pressure sodium lamps supplemented by light-emitting diodes of various wavelengths
    Uprawa rozsady papryki słodkiej pod światłem lamp HPS i LED
    Autorzy:
    Bagdonavičienė, A.
    Brazaitytė, A.
    Viršilė, A.
    Samuolienė, G.
    Jankauskienė, J.
    Sirtautas, R.
    Sakalauskienė, S.
    Miliauskienė, J.
    Maročkienė, N.
    Duchovskis, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11543117.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
    Opis:
    In greenhouses, artificial lighting is applied in winter and early spring as sup-plementary light source to increase photosynthesis and plant growth. The objective of this study was to evaluate the cultivation of sweet pepper transplants under LED lamps that were developed to supplement HPS lamps used in greenhouses. The experiments were carried out in the greenhouses at the Lithuanian Research Centre for Agriculture and For-estry Institute of Horticulture. Sweet peppers (Capsicum annuum) L. cultivar ‘Reda’ and the hybrid ‘Figaro’ F1 were used for investigation. Four types of solid-state lamps were used with light-emitting diodes (LEDs) with peak emissions at blue 455 nm and 470 nm, cyan 505 nm, and green 530 nm. PPFD of each type of LED lamp was 15 μmol m-2 s-1, and the PPFD of HPS lamps was 90 μmol m-2 s-1. The reference transplants were grown under the illumination of HPS lamps (110 μmol m-2 s-1). The photoperiod of artificial lighting was maintained at 18 hours. Our experiments revealed different responses to sup-plemental LED lightings between the cultivar and the hybrid. The supplemental 470 nm illumination with HPS lamps mostly resulted in increases in the following areas: leaf area, fresh and dry weight, and the photosynthetic pigment content of the sweet pepper ‘Reda’ transplants. A similar positive effect was determined using supplemental 455 and 505 nm LED lights. However, the supplemental green 530 nm LED lights had no effect on growth, and they inhibited the development of the sweet pepper ‘Reda’ transplants. The HPS light had a positive effect on the growth parameters of the ‘Figaro’ F1 transplants, but all of the supplemental LED lights suppressed their growth and development
    W szklarniach sztuczne oświetlenie stosowane jest zimą i wczesną wiosną jako dodatkowe źródło światła, aby zwiększyć fotosyntezę i wzrost roślin. Celem pracy była ocena możliwości uprawy rozsady papryki słodkiej w szklarni pod lampami HPS z dodatkiem LED. Badania przeprowadzono w Instytucie Ogrodnictwa Litewskiego Centrum Nauk Rolniczych i Leśnych. Przebadano dwie odmiany papryki słodkiej (Capsicum annuum L.): ‘Reda’ i ‘Figaro F1’. Jako dodatkowe światło, oprócz lamp HPS, zastosowano cztery rodzaje lamp LED o długościach fal: niebieskie 455 i 470 nm, zielono-niebieskie 505 nm oraz zielone 530 nm. PPFD LED wynosiło 15 μmol m-2 s-1, a lamp HPS – 90 μmol m-2 s-1. Długość dnia – 18 godzin. Na podstawie wyników stwierdzono, że dodatkowe światło LED miało różny wpływ na wzrost odmian papryki. Po dodaniu do światła lamp HPS LED-470 w rozsadzie papryki słodkiej odmiany ‘Reda’ stwierdzono największą powierzchnię liści, najwięcej świeżej i suchej masy roślin oraz największą zawartość barwników foto syntetycznych. Podobny wpływ wywierało dodatkowe światło LED 455 i 505 nm. Natomiast dodatkowe zielone światło LED-530 nie miało wpływu na wzrost, a hamowało rozwój rozsady odmiany ‘Reda’. Światło HPS miało korzystny wpływ na parametry wzrostu siewek ‘Figaro F1’, zaś dodatek światła LED hamował ich wzrost i rozwój.
    Źródło:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus; 2015, 14, 6; 3-14
    1644-0692
    Pojawia się w:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Magnetic Field on Detection Properties of Planar Microwave Diodes
    Autorzy:
    Sužiedėlis, A.
    Ašmontas, S.
    Požela, J.
    Gradauskas, J.
    Nargelienė, V.
    Paškevič, Č.
    Derkach, V.
    Golovashchenko, R.
    Goroshko, E.
    Korzh, V.
    Anbinderis, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506099.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.57.Kp
    78.70.Gq
    75.47.Pq
    73.40.Kp
    73.40.-c
    75.70.-i
    Opis:
    The results of experimental investigation of detection properties of the planar microwave diodes of various configuration on DC magnetic field are presented in this paper. The detection of microwave radiation was measured at 51 GHz, 72 GHz and 144 GHz frequencies. The magnetic field was applied in plane and perpendicularly to the plane of the diodes. The experiment was performed at room temperature. Dependence of the detected voltage of the diodes on the magnetic field had asymmetric character with respect to the polarity of the magnetic field. This fact allowed us to suspect the magnetic rectification influencing the detected voltage. Therefore, average value of the detected voltage with respect to the polarity of the applied magnetic field gives its dependence on the applied magnetic field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 218-221
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Błędy w projektowaniu oświetlenia pośredniego z diodami elektroluminescencyjnymi z wykorzystaniem programów komercyjnych
    Errors in design of indirect lighting with emitting diodes occurred by using commercial computer programs
    Autorzy:
    Pawlak, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/158677.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    diody elektroluminescencyjne
    oświetlenie pośrednie
    programy do projektowania oświetlenia Dialux i Relux
    light-emitting diode
    Indirect lighting
    commercial lighting programs – Dialux and Relux
    Opis:
    Instalacje oświetlenia pośredniego, w których obserwator nie widzi bezpośrednio źródeł światła, wydają się być idealnym miejscem, w którym można stosować diody elektroluminescencyjne (LED). Rozwiązania takie są już często stosowane, choć bardziej ze względu na aspekty estetyczne, niż walory użytkowe. Zastosowanie diod w tych instalacjach rozwiązuje wszystkie problemy jakie występują w przypadku świetlówek. Podczas wykonywania symulacji komputerowych, z wykorzystaniem najpopularniejszych komercyjnych programów oświetleniowych – Dialux i Relux, instalacji LED, w których obserwator nie będzie widział źródła światła, należy pamiętać, że otrzymane wizualizacje w ogóle nie oddają problemu olśnienia. Zauważono też znaczne rozbieżności parametrów oświetleniowych w wynikach obliczeniowych otrzymywanych z wykorzystaniem tych programów. W artykule omówiono także kilka rodzajów błędów, które często są popełniane przy projektowaniu instalacji oświetlenia pośredniego z wykorzystaniem źródeł LED.
    Indirect lighting installations, in which the observer cannot see direct light sources, seem to be the perfect place where LEDs can be used. Such solutions are already commonly used, but mostly because of the aesthetic aspects than their usability. Usage of of LEDs in these systems solves all the problems that exist in the case of fluorescent lamps. When performing computer simulations, using the most popular commercial lighting programs – Dialux and Relux, LED installation, in which the observer cannot see the light source, you have to remember that received visualizations do not touch the glare problem. Significant differences have been noted in the results of the lighting parameters that have been calculated by these programs. This article presents also several types of errors, which are often committed during designing of the indirect lighting using LED sources.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 268; 141-152
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
    Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Sobczak, G.
    Maląg, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    heterostruktura
    montaż DL
    In
    eutektyk AuSn
    laser diode
    heterostructure
    LD mounting
    indium
    eutectic AuSn
    Opis:
    Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
    Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 13-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Ivanov, V. Yu.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
    Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Krzyżak, K.
    Romaniec, M.
    Sobczak, G.
    Maląg, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192166.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    test starzeniowy
    degradacja diod
    elektroluminescencja
    laser diode
    degradation of laser diode
    life test
    electroluminescence
    Opis:
    Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
    The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 3, 3; 5-10
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Przydatność źródeł światła zbudowanych w oparciu o diody charakteryzujące się widmem ciągłym światła białego wzbogaconym o pasmo niebieskie w hodowli zbóż
    The usefulness of light sources based on diodes characterized by a continuous spectrum of white light enriched with a blue band in cereal breeding
    Autorzy:
    Stefański, Piotr
    Siedlarz, Patrycja
    Matysik, Przemysław
    Nita, Zygmunt
    Rybka, Krystyna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2199412.pdf
    Data publikacji:
    2019-04-01
    Wydawca:
    Instytut Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
    Tematy:
    Triticum aestivum
    Hordeum vulgare
    Avena sativa
    szklarnia
    LED
    greenhouse
    Opis:
    Nowoczesna hodowla zbóż odbywa się pod wielka presją czasu. Dlatego też do przyspieszenia procesów hodowlanych używa się szklarni, które w naszej szerokości geograficznej wymagają doświetlania. Pomysł zastosowania źródeł światła z wbudowanymi diodami LED w szklarniach staje się powszechny w ogrodnictwie ze względu na właściwości fizyczne LED, które pozwalają na zmniejszenie zużycia energii oraz na precyzyjne dostosowanie widma światła do wymagań uprawianych roślin. Zastosowanie oświetlaczy LED w procesach hodowli zbóż jest nowością. W artykule zaprezentowano wyniki uzyskane przy użyciu źródła światła LED, zbudowanego w oparciu o diody emitujące białe światło, w porównaniu z oświetlaczem sodowym i światłem dziennym. Wykazano, że oświetlacz LED może być wykorzystywany do oświetlania szklarni w procesach hodowli zbóż. Przyrosty siewek oraz terminy kłoszenia były porównywalne pomiędzy roślinami uprawianymi pod lampami: HPS oraz LED i jednocześnie akceptowalnie większe niż parametry uzyskane dla roślin uprawianych w letnim świetle dziennym.
    Modern cereal crops breeding takes place under great pressure of time. Therefore, greenhouses are used to accelerate the breeding process which, in our latitude, requires lighting. The idea of using LEDs in greenhouses is becoming popular in horticulture due to LEDs physical properties, which allow on reduction of electricity consumption and on precise adjustment of the light spectrum to the requirements of cultivated plants. The usage of LED lightings in cereal breeding is a novelty. This article presents results obtained using the LED illuminator, based on white light emitting diodes in comparison to the high pressure sodium lamp (HPS) and a daylight. It has been shown that the LED illuminator can be used as a light source in greenhouses designed for cereals breeding. The seedlings elongation growth and number of days to heading were comparable between plants grown under HPS and LEDs and were greater in acceptable rate than results obtained for plants grown under summer daylight.
    Źródło:
    Biuletyn Instytutu Hodowli i Aklimatyzacji Roślin; 2018, 284; 21-31
    0373-7837
    2657-8913
    Pojawia się w:
    Biuletyn Instytutu Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii
    Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy
    Autorzy:
    Malag, A.
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192216.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    heterostruktura
    procesy cieplne
    rozdzielczość czasowa
    spektroskopia
    sprawność energetyczna
    laser diode
    heterostructure
    self-heating
    time resolution
    power conversion efficiency
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prac porównawczych nad diodami laserowymi dużej mocy o symetrycznej i asymetrycznej konstrukcji heterostruktury, na pasmo 800 nm. Istotą konstrukcji asymetrycznej jest zastosowanie pasywnej warstwy falowodowej po stronie n, przez co rozkład pola optycznego generowanego promieniowania przesuwa się na tę stronę. Związane z tym zmniejszenie strat na swobodnych nośnikach umożliwia zwiększenie mocy emitowanego promieniowania diod laserowych poprzez rozszerzenie (w płaszczyźnie prostopadłej do złącza) przesuniętego rozkładu pola optycznego i wydłużenie rezonatora. Przesunięcie pola optycznego na stronę n umożliwia jednocześnie zmniejszenie grubości warstwy p-emitera, przez co oczekiwane jest zmniejszenie rezystancji (termicznej i elektrycznej) heterostruktury. Zostało to potwierdzone przez pomiary niestacjonarnych procesów cieplnych techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. W pracy impulsowej diod laserowych zaobserwowano znacznie mniejsze przesunięcie termiczne widma promieniowania w ciągu pierwszych mikrosekund od czoła impulsu w przyrządach skonstruowanych na bazie heterostruktury asymetrycznej w porównaniu z diodami wykonanymi z heterostruktur symetrycznych. Tak szybkie (rzędu pojedynczych μs) procesy cieplne mogą być związane tylko z najbliższym otoczeniem warstwy aktywnej, zatem głównie z wysokorezystywną warstwą p-emitera. W artykule przedstawiono technikę badania procesów cieplnych w obszarze aktywnym DL metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii z zastosowaniem kamery ICCD firmy Andor. Ze względu na rozdzielczość czasową znacznie poniżej l μs (z bramką do 2 ns), technika ta dostarcza informacji o szybkich, niestacjonarnych procesach w obszarze aktywnym i jego najbliższym otoczeniu. Jest zatem bardzo pomocna w ocenie konstrukcji przyrządów. Przedstawione wyniki pokazują, że konwencjonalna technika wyliczania rezystancji termicznej diod pracujących w warunkach CW może prowadzić do wniosków niezgodnych z wnioskami z pomiarów techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. Wskazano możliwe przyczyny tych rozbieżności.
    The results of comparative investigations on 800-nm-band high-power laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design are presented. The idea of asymmetric heterostructure design is the insertion of a passive waveguide layer at the heterostructure's n-side whereby a field distribution of generated radiation shifts toward this side. Resulting decrease in free-carrier loss allows increasing of emitted radiation power by widening (perpendicular to the junction plane) of shifted optical field distribution and by laser cavity elongation. The shift of the optical field distribution toward the heterostructure n-side makes simultaneously possible a reduction of p-cladding layer thickness, which should cause a decrease of its thermal and electrical resistances. This has been confirmed by time-resolved spectroscopy measurements of transient thermal processes in laser diodes. In pulse operation, distinctly less thermal shift of lasing spectrum during the first (2 to 5) microseconds after the pulse start has been observed in asymmetric-design devices compared to symmetric ones. Such fast thermal processes can be connected only with the nearest vicinity of the active region i.e. mainly with the highly resistive p-cladding layer. Presented results show that conventional steady-state technique of thermal resistance measurements for CW operating laser diodes can sometimes lead to conclusions inconsistent with these obtained by the time-resolved spectroscopy. Possible reasons of the discrepancy are indicated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 35-60
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ różnych oświetlaczy LED na indeks kiełkowania ziarna pszenicy uzyskanego w etapie szklarniowym procesu hodowlanego SSD
    The effect of different LED illuminators on the germination index of wheat grains obtained in the greenhouse stage of the SSD breeding process
    Autorzy:
    Siedlarz, Patrycja
    Stefański, Piotr
    Matysik, Przemysław
    Nita, Zygmunt
    Rybka, Krystyna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2199332.pdf
    Data publikacji:
    2018-08-29
    Wydawca:
    Instytut Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
    Tematy:
    diody emitujące światło
    GI
    indeks kiełkowania
    LED
    Triticum aestivum L.
    uprawa szklarniowa
    germination index
    greenhouse cultivation
    light emitting diodes
    Opis:
    W procesie hodowli zbóż metodą SSD (ang.: Single Seed Descent) w celu skrócenia cykli hodowlanych często zbierane są niedojrzałe ziarniaki. Celem prowadzonych badań było sprawdzenie czy na kiełkowanie ziarniaków zebranych w 23 dniu po kwitnieniu, z roślin uprawianych w szklarni, wpływają widma światła generowane przez: 1) różne lampy diodowe stosowane w czasie uprawy zbóż w szklarni oraz 2) różne oświetlacze monochromatyczne stosowane w czasie suszenia nasion. Materiał do badań stanowiły dwie odmiany pszenicy jarej: Harenda i Tybalt. Rośliny uprawiano w zacienionej szklarni o kontrolowanych warunkach temperatury (22 ± 3°C) i wilgotności (80% ± 5%) a jako oświetlaczy używano: wysokoprężnej lampy sodowej HPS (kontrola) i dwóch typów oświetlaczy LED-owych: zbudowanego w oparciu o diody niebieskie i czerwone oraz oświetlacza zbudowanego w oparciu o białe diody. Kłosy zbierano w 23 dniu po kwitnieniu, zgodnie z metodyką stosowaną w procesach hodowlanych. Wyłuskane ziarniaki umieszczano pod monochromatycznymi źródłami światła (niebieskiego, zielonego i czerwonego), poddawano suszeniu przez okres 10 dni w temperaturze 25°C, a następnie kiełkowano. Zliczano indeks kiełkowania (GI), całkowitą liczbę skiełkowanych ziarniaków oraz liczbę ziarniaków, które nie wytworzyły kiełka i zostały porażone chorobami grzybowymi w czasie trwania doświadczenia. Stwierdzono, że oświetlanie ziarniaków w czasie suszenia poprawiało indeks kiełkowania i wpłynęło na wzrost liczby skiełkowanych nasion, przy czym światło zielone indukowało najbardziej równomierne kiełkowanie (≥ 70%), niezależnie od rodzaju oświetlania stosowanego w czasie wzrostu roślin, natomiast światło niebieskie (Royal Blue) najsilniej wpływało na dynamikę kiełkowania wyrażaną przez indeks kiełkowania a efekt był zależny od oświetlacza użytego do wzrostu roślin. Oświetlacz LED zbudowany w oparciu o niebieskie i czerwone diody użyty w trakcie wzrostu roślin w połączeniu ze światłem niebieskim użytym w trakcie suszenia ziarna pozwolił uzyskać najlepsze wyniki GI u obu badanych odmian pszenicy. Uzyskane rezultaty upoważniają do stwierdzenia, iż możliwe jest znalezienie oświetlaczy LED lepszych niż standardowe lampy HPS dla potrzeb hodowli zbóż oraz że doświetlanie ziarniaków w trakcie suszenia poprawia ich kiełkowanie. Potrzebna jest standaryzacja procedur.
    During the SSD (Single Seed Descent) process of cereal breeding unripe kernels are often collected to shorten breeding cycles. Present studies were undertaken to check whether the germination of kernels harvested on the 23rd day after pollination from plants grown in a greenhouse is influenced: 1) by different light spectra used during cereal cultivation in the greenhouse and 2) by different single light bands used during seed drying. The materials for studies consisted of 2 spring wheat cultivars: Harenda and Tybalt. The plants were grown in a shadowed greenhouse with controlled temperature (22 ± 3°C) and humidity (80% ± 5%) and illuminated by HPS lamp (control) and two types of LED illuminators: based on blue and red LEDs and based on white LEDs. The ears were harvested on 23rd day after flowering, according to the methodology used in field experiments. The threshed kernels were placed under monochromatic light sources (blue, green and red), dried for a period of 10 days at 25°C and then germinated. The germination index (GI), the total number of germinated kernels and the number of kernels that did not germinate and became infected by fungal diseases during the experiment, were counted. It was found that lightening of seeds during drying improved the germination index and total number of germinated seeds. The green light induced the most uniform germination (≥ 70%) independently from the light used during wheat growth, while the blue light (Royal Blue) improved germination of seeds taken from plants cultivated under LED illuminator based on blue and red diodes. Obtained results confirmed that it was possible to find LED illuminator better than standard HPS lamp for cereal cultivation and that lightening of the kernels during drying improved their germination. Standardization of procedures would be needed.
    Źródło:
    Biuletyn Instytutu Hodowli i Aklimatyzacji Roślin; 2017, 282; 3-15
    0373-7837
    2657-8913
    Pojawia się w:
    Biuletyn Instytutu Hodowli i Aklimatyzacji Roślin
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
    Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements
    Autorzy:
    Dąbrowska, E.
    Teodorczyk, M.
    Sobczak, G.
    Malag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192110.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dioda laserowa
    rezystancja termiczna
    złącze p-n
    pomiar termowizyjny
    pomiar dynamiczny
    charakterystyka spektralna
    laser diode
    thermal resistance
    p-n junction
    thermovision measurement
    dynamics measurement
    spectral characteristic
    Opis:
    W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
    In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 3-9
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-98 z 98

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies