Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs
Autorzy:: Havare, A.
Okur, S.
Yagmurcukardes, N.
Can, M.
Aydin, H.
Seker, M.
Demic, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1400033.pdf
Data publikacji:: 2013-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Hb
73.20.Mf
73.21.-b
73.22.-f
73.25.+i
73.40.Ei
73.40.Jn
73.40.Ns
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 456-458
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In order to understand the electronic properties of the organic Schottky diode, ITO/TPD/Al and ITO/SAM/TPD/Al organic Schottky devices were fabricated to obtain current-voltage characteristics. From the slopes and y-axis intercepts of the plots, the values of the ideality factor, barrier heights of the ITO/SAM/TPD/Al diode were determined as 2.03 and 0.56 eV, respectively. The surface characterizations of modified and unmodified ITO were performed via atomic force microscopy.

Informacja

Powiązane pozycje