Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs

Tytuł:
Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs
Autorzy:
Havare, A.
Okur, S.
Yagmurcukardes, N.
Can, M.
Aydin, H.
Seker, M.
Demic, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400033.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Hb
73.20.Mf
73.21.-b
73.22.-f
73.25.+i
73.40.Ei
73.40.Jn
73.40.Ns
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 456-458
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In order to understand the electronic properties of the organic Schottky diode, ITO/TPD/Al and ITO/SAM/TPD/Al organic Schottky devices were fabricated to obtain current-voltage characteristics. From the slopes and y-axis intercepts of the plots, the values of the ideality factor, barrier heights of the ITO/SAM/TPD/Al diode were determined as 2.03 and 0.56 eV, respectively. The surface characterizations of modified and unmodified ITO were performed via atomic force microscopy.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies