Detection of Persisting Photoelectrons in AlGaAs Double Heterostructure Laser Diodes by DLTS

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Detection of Persisting Photoelectrons in AlGaAs Double Heterostructure Laser Diodes by DLTS
Autorzy:: Brehme, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1879950.pdf
Data publikacji:: 1991-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 239-242
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

LPE-made AlGaAs double heterostructure laser diodes having a Sn-doped n-type confinement layer were investigated. A significant change of the low-temperature part of DLTS spectra and C(T) curves was observed after applying forward or higher reverse voltage. Relaxation of the curves took several hours. This persistent photoconductivity phenomenon is explained by photoionization of the DX centres.

Informacja

Powiązane pozycje