Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes

One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.

Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.