Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Theoretical Investigation of Large-Signal Noise in Nanometric Schottky-Barrier Diodes Operating in External Resonant Circuits

Tytuł:
Theoretical Investigation of Large-Signal Noise in Nanometric Schottky-Barrier Diodes Operating in External Resonant Circuits
Autorzy:
Shiktorov, P.
Starikov, E.
Gružinskis, V.
Varani, L.
Vaissière, J.
Reggiani, L.
Pérez, S.
González, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178800.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Ht
72.30.+q
72.70.+m
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 396-399
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We report Monte Carlo simulations of electronic noise in heavily doped nanometric GaAs Schottky-barrier diodes operating in series with a parallel resonant circuit when a high-frequency large-signal voltage is applied to the whole system. Significant modifications of the noise spectrum with respect to the unloaded diode are found to occur in the THz-region.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies