Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrical Characterization of Defects in Schottky Au-CdTe:Ga Diodes

Tytuł:
Electrical Characterization of Defects in Schottky Au-CdTe:Ga Diodes
Autorzy:
Dyba, P.
Płaczek-Popko, E.
Zielony, E.
Gumienny, Z.
Szatkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791359.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
85.30.De
84.37.+q
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 944-946
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Deep electron states in gallium doped CdTe have been studied by deep-level transient spectroscopy method. The Schottky Au-CdTe diodes were processed to perform the investigations. Rectifying properties of diodes have been examined by the room temperature current-voltage and capacitance-voltage measurements. Deep-level transient spectroscopy measurements performed in the range of temperatures 77-350 K yield the presence of three electron traps. The thermal activation energies and apparent capture cross-sections have been determined from related Arrhenius plots. The dominant trap of activation energy $E_2$ = 0.33 eV and capture cross-section σ_2 = 3 × $10^{-15} cm^2$ has been assigned to the gallium related DX center present in the CdTe material.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies