Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Varani, L." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    High-Frequency Noise in Modern FET/HEMT Channels Caused by the Excitation of 2D-Plasma Waves
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Reggiani, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505464.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    The problems related with the intrinsic noise in FET/HEMT channels induced by continuous branching of the total current between channel and gate are considered in the framework of a simple analytical model and its predictions on the current-noise spectra. Main branching-induced effects such as the appearance of an additional noise related to the excitation of plasma waves, its dependence on FET/HEMT embedding circuits, interference properties, etc. are analysed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 117-120
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Coherent Terahertz Radiation Generation Assisted by Low-Temperature Optical Phonon Emission: Achievements and Perspectives
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Reggiani, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813188.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    73.63.Hs
    Opis:
    The conditions for THz radiation generation caused by electron transite time resonance in momentum and real spaces under low-temperature optical-phonon emission are analyzed. It is shown that such a phenomenon provides a unique possibility to realize the sub-THz and THz radiation generation at the border of the electrooptical and electronic techniques by using both the approaches: (i) amplification of transverse electromagnetic waves in 3D bulk materials and 2D quantum wells, and (ii) longitudinal current instabilities in submicron and overmicron n⁺nn⁺ diodes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 795-802
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling of THz-Electro-Optical Sampling Measurements
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Reggiani, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813215.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    Opis:
    We carry out a theoretical analysis of THz-electro-optical sampling experimental technique applied to semiconductor structures. The difficulties/impossibility of determining the small-signal conductivity spectrum in the framework of such a technique are analyzed and discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 913-916
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monte Carlo Calculation of High Frequency Mobility and Diffusion Noise in Nitride-Based Semiconductors
    Autorzy:
    Starikov, E.
    Shiktorov, P.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Vaissière, J. C.
    Palermo, C.
    Reggiani, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041806.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    Monte Carlo simulations of high-field transport in semiconductor nitrides, GaN and InN, is used to calculate the velocity-field characteristics and the high-frequency behavior of the differential mobility, spectral density of velocity fluctuations, and noise temperature. It is found that due to very short relaxation time scales of nitrides, the characteristic frequencies associated with extrema and cutoff decay of the negative differential mobility, etc. are shifted to higher frequency range with respect to the case of standard A$\text{}_{3}$B$\text{}_{5}$ compounds. This property is favorable for applications of nitrides in the THz frequency range.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 408-411
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Investigation of Large-Signal Noise in Nanometric Schottky-Barrier Diodes Operating in External Resonant Circuits
    Autorzy:
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Varani, L.
    Vaissière, J.
    Reggiani, L.
    Pérez, S.
    González, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1178800.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    72.70.+m
    Opis:
    We report Monte Carlo simulations of electronic noise in heavily doped nanometric GaAs Schottky-barrier diodes operating in series with a parallel resonant circuit when a high-frequency large-signal voltage is applied to the whole system. Significant modifications of the noise spectrum with respect to the unloaded diode are found to occur in the THz-region.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 396-399
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Plasma Oscillations in Nanotransistors: Application to THz Radiations Detection and Generation
    Autorzy:
    Marinchio, H.
    Sabatini, G.
    Palermo, C.
    Nouvel, P.
    Torres, J.
    Varani, L.
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gružinskis, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505457.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.15.Nj
    72.20.Ht
    72.30.+q
    Opis:
    By means of a numerical hydrodynamic model, we consider the mechanism of collective plasma oscillations in a field-effect transistor channel under different excitations and biasing conditions. First, we consider the case of a device externally-excited by a harmonic optical beating or an electronic excitation under constant current condition at the drain. Both situations exhibit sharp resonances related to the first odd plasma modes illustrating the possibility of using the HEMT as a terahertz photomixer or detector. Then, we demonstrate that the frequencies, amplitudes and quality factors of the resonances can be strongly modified by varying the drain biasing condition from current- to voltage-driven operation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 103-106
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Small-Signal Characterization of FET/HEMT for Terahertz Applications
    Autorzy:
    Starikov, E.
    Shiktorov, P.
    Gružinskis, V.
    Marinchio, H.
    Nouvel, P.
    Torres, J.
    Palermo, C.
    Chusseau, L.
    Varani, L.
    Ziadé, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505675.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Ht
    72.30.+q
    Opis:
    Calculations of the small-signal response of InGaAs HEMTs by using the hydrodynamic approach coupled with a pseudo-2D Poisson equation are performed. The spectra of small-signal admittance and impedance are found to demonstrate series of the resonant peaks corresponding to excitation of plasma waves. Possibilities and conditions of instability onset and THz signal detection are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 203-205
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    THz Emission Induced by an Optical Beating in Nanometer-Length High-Electron-Mobility Transistors
    Autorzy:
    Nouvel, P.
    Torres, J.
    Marinchio, H.
    Laurent, T.
    Palermo, C.
    Varani, L.
    Teppe, F.
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gruzinskis, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505652.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.15.Nj
    72.20.Ht
    72.30.+q
    Opis:
    Experimental results of direct measurement of resonant terahertz emission optically excited in InGaAs HEMT channels are presented. The emission was attributed to two-dimensional plasma waves excited by photogeneration of electron-hole pairs in the HEMT channel at the frequency of the beating of two cw-laser sources. The presence of resonances for the radiation emission in the range of $f_0$ ± 10 GHz (with $f_0$ from 0.3 up to 0.5 THz) detected by a Si-bolometer is found. The intensity of THz emission exhibits a nonlinear growth with increase of the pumping power.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 199-202
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to~15~K
    Autorzy:
    Laurent, T.
    Sharma, R.
    Torres, J.
    Nouvel, P.
    Blin, S.
    Palermo, C.
    Varani, L.
    Cordier, Y.
    Chmielowska, M.
    Faurie,, J.
    Beaumont, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505650.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    73.21.Fg
    73.40.-c
    Opis:
    We report measurements of the pulsed and dc current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors as functions of geometry, temperature (from 300 down to 15 K), and operating conditions. An increase in the drain current with shortening of the pulse width from 1 μs to 400 ns is found to be significant at room temperature whilst this behavior is inverted or even removed at 77 and 15 K temperatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 196-198
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Voltage Controlled Terahertz Transmission Enhancement through GaN Quantum Wells
    Autorzy:
    Laurent, T.
    Sharma, R.
    Torres, J.
    Nouvel, P.
    Blin, S.
    Chusseau, L.
    Palermo, C.
    Varani, L.
    Cordier, Y.
    Chmielowska, M.
    Faurie, J.
    Beaumont, B.
    Shiktorov, P.
    Starikov, E.
    Gruzinskis, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505459.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.-e
    78.67.De
    73.21.Fg
    Opis:
    We report transmission measurements of GaN quantum well grown on sapphire substrate in the 220-325 GHz frequency band at low temperatures. A significant enhancement of the transmitted beam intensity with the applied voltage on the devices under test is found.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 107-110
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies