The problems related with the intrinsic noise in FET/HEMT channels induced by continuous branching of the total current between channel and gate are considered in the framework of a simple analytical model and its predictions on the current-noise spectra. Main branching-induced effects such as the appearance of an additional noise related to the excitation of plasma waves, its dependence on FET/HEMT embedding circuits, interference properties, etc. are analysed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00