Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to~15~K

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to~15~K
Autorzy:: Laurent, T.
Sharma, R.
Torres, J.
Nouvel, P.
Blin, S.
Palermo, C.
Varani, L.
Cordier, Y.
Chmielowska, M.
Faurie,, J.
Beaumont, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1505650.pdf
Data publikacji:: 2011-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.80.Ey
73.21.Fg
73.40.-c
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 196-198
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We report measurements of the pulsed and dc current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors as functions of geometry, temperature (from 300 down to 15 K), and operating conditions. An increase in the drain current with shortening of the pulse width from 1 μs to 400 ns is found to be significant at room temperature whilst this behavior is inverted or even removed at 77 and 15 K temperatures.

Informacja

Powiązane pozycje