Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Orlowski, B." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 54
Tytuł:
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192036.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
obróbka termiczna
materiał półizolujący
własności elektryczne
annealing
SI crystal
electrical properties
Opis:
Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.
Influence of annealing conditions on the properties of undoped gallium phosphide crystals obtained from the melt: near stoichiometric, with gallium excess or phosphorus excess, as well as with different carbon concentration was investigated. Monocrystalline blocks with a thickness of 10 - 20 mm and wafers with a thickness of ∼ 700 urn were annealed. Annealing conditions such as the temperature, time and phosphorus vapor pressure in the ampoule allowing for obtaining semi-insulating material, were determined. It was confirmed that as result of annealing undoped GaP crystals with the carrier concentration n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ and carbon concentration Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ we can obtain SI n - type material. At the carbon concentration Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ the SI material of p - type can be obtained.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 27-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Visible Luminescence from Porous Silicon
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929748.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
Opis:
This paper presents results of investigation of the temperature dependence of visible luminescence in porous silicon layers prepared by anodization in hydrofluoric acid. Luminescence spectra were measured in the temperature range between 40 K and 350 K. Room temperature reflectivity spectra were also measured in vacuum ultraviolet radiation range from 4 eV to 12 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 761-764
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Valence States of Metal Ions in $La_{0.7}Ce_{0.3}MnO_3$ Thin Films
Autorzy:
Mickevičius, S.
Bondarenka, V.
Grebinskij, S.
Oginskis, A.
Butkutė, R.
Tvardauskas, H.
Vengalis, B.
Orlowski, B.
Osinniy, V.
Pietrzyk, M.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813469.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Nr
71.20.Eh
Opis:
We report valence states of ions in $La_{0.7}Ce_{0.3}MnO_3$ thin films grown by a reactive dc magnetron sputtering. The measurements were performed by means of high-energy X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. It was found that Ce ion in the compound is either in tetravalent or trivalent chemical state, manganese is in divalent, trivalent and tetravalent states, while La ion existing in oxide and hydroxide chemical species is in trivalent state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1071-1074
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Valence Band Electronic Structure of HgMSe (M=Mn, Fe, Co)
Autorzy:
Guziewicz, A.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Ghijsen, J.
Johnson, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931745.pdf
Data publikacji:
1994-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Eq
71.20.Fi
Opis:
The synchrotron radiation in the energy range between 40 and 80 eV was applied to investigate the electronic structure of Hg$\text{}_{0.7}$Mn$\text{}_{0.3}$Se, Hg$\text{}_{0.88}$Fe$\text{}_{0.12}$Se and Hg$\text{}_{0.93}$Co$\text{}_{0.07}$Se crystals by means of the resonant photoemission spectroscopy. The set of energy distribution curves was measured in the region near the M (M = Mn 3d$\text{}^{5}$, Fe 3d$\text{}^{6}$, Co 3d$\text{}^{7}$) 3p-3d transitions. In order to determine thoroughly the Fano type resonance energy the constant initial states curves were measured.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 817-823
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Valence Band Density of States and Mn 3d Contribution in Mn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Kopalko, K.
Orłowski, B. A.
Janik, E.
Wojtowicz, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991616.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Nr
79.60.-i
Opis:
Resonant photoemission spectroscopy was applied to determine the Mn 3d derived contribution to the valence band density of states of Mn$\text{}_{0.44}$ Mg$\text{}_{0.56}$Te grown by molecular beam epitaxy on a GaAs(001) substrate. The modifications of the valence band density-of-states distribution are discussed as a consequence of the substitution of Mg ions for Mn ions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 401-405
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Timber production market in Poland and selected EU countries - current status and future challanges
Rynek produkcji drewna w Polsce i wybranych krajach UE- stan obecny i wyzwania przyszłości
Autorzy:
Gajdemski, P.
Gaweł, E.
Gardziej, K.
Kluczyński, B.
Orłowski, M.
Hortizuela, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1205721.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
STE GROUP
Tematy:
wood
timber industry
timber production
forest resources
produkcja drewna
zasoby leśne
rynek drzewny
Opis:
The paper discusses the issue of the development of timber production market and timber industry in Poland and selected EU countries. The potential of forest resources in Poland against the background of other European countries is presented, as well as selected aspects exerting impact on the development processes of the sector of production. Particular attention is paid to the structure of ownership of forests in Poland and selected countries of the European Union. The structure of the use of means for research and development is analyzed with particular focus on those branches which allocate the biggest amounts for such purposes. Technological trends in the timber industry in Poland is described. Finally the prospects in the development of timber industry in the near future are discussed.
Artykuł podejmuje zagadnienie rozwoju rynku produkcji drewna oraz branży drzewnej w Polsce i wybranych krajach Unii Europejskiej. Przedstawiony został potencjał zasobów leśnych Polski na tle innych państw wspólnoty oraz najważniejsze, wybrane aspekty wpływające na przebieg procesów rozwojowych tego sektora produkcji. Zwrócono również uwagę na strukturę własności lasów w Polsce oraz wybranych krajów Unii Europejskiej. Przeanalizowano strukturę wykorzystania środków na działalność badawczo-rozwojową, z wyszczególnieniem branż, które na tą działalność przeznaczyły najwięcej środków. Opisano trendy technologiczne w branży drzewnej w Polsce. Ponadto określono perspektywy rozwoju przemysłu drzewnego w najbliższych latach.
Źródło:
Management Systems in Production Engineering; 2016, 1 (21); 37-39
2299-0461
Pojawia się w:
Management Systems in Production Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Surface Hydro-Oxidation of LaNiO$\text{}_{3-x}$ Thin Films
Autorzy:
Mickevičius, S.
Grebinskij, S.
Bondarenka, V.
Lisauskas, V.
Šliužienė, K.
Tvardauskas, H.
Vengalis, B.
Orłowski, B. A.
Osinniy, V.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047365.pdf
Data publikacji:
2007-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Nr
29.20.Lq
Opis:
The high-energy X-ray photoelectron spectroscopy was used to determine the composition and chemical structure of epitaxial LaNiO$\text{}_{3-x}$ films obtained by a reactive dc magnetron sputtering. It was found that the oxide and hydroxide species of La and Ni are on the films surface. The thickness of hydroxide enriched layer, estimated from the oxide and hydroxide peak intensities, is about 2 nm.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 1; 113-120
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface Related Electronic States on CdTe(110) Observed by Means of Optical Spectroscopy
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Cricenti, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934063.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.-r
78.66.Hf
Opis:
Surface differential reflectivity together with photoemission and Auger electron spectroscopies have been applied to observe and identify optical transitions among surface related states on CdTe(110) surfaces. The strongest contributions to the band of optical transitions have been revealed at the photon energies of 2.8, 3.4, and 3.9 eV. Their correspondence to excitations from the occupied S1 band to the unoccupied U1 one at the Γ, Χ and Χ' points of the surface Brillouin zone is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1005-1009
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study οf 4f Electrons on the Surface οf Semiconductors
Autorzy:
Orłowski, B.
Kowalski, B.
Pietrzyk, M.
Buczko, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811504.pdf
Data publikacji:
2008-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Bm
71.20.Mq
07.85.-m
Opis:
The contribution of 4f electrons to the electronic structure of the semiconductor clean surface caused by the surface doping of it by rare-earth metal atoms (Eu, Sm) will be presented. The surface doping was performed by the controlled, sequential deposition of the rare-earth metal atoms on the clean surface in UHV conditions (Sm on GaN or CdTe) or by the doping of the layer volume of (EuGd)Te. After each deposition or surface treatment the synchrotron radiation was used to measure in situ the resonant photoemission spectra (the Fano type resonance) to study the contribution of 4f electrons of divalent and trivalent Sm and Eu ions to the valence band electronic structure of created sample. The first stages of the metal atoms deposition lead to the surface doping. Further metal atoms deposition leads to the growth of the metallic islands on the surface and causes the appearance of the sharp metallic Fermi edge in the energy distribution curves. Proper coverage and annealing of the sample surface with metal atoms leads to the diffusion of the metal atoms into the sample and results in an increase in the crystal doping and decrease in the metallic islands contribution to the measured spectra. As a result, the new electronic structure of the valence band can be created and investigated in situ.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, S; S-103-S-114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te
Autorzy:
Orlowski, N.
Janowitz, C.
Müller, A.
Manzke, R.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1963395.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
79.60.-i
Opis:
Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te has been studied by means of the resonant photoemission spectroscopy in the constant final states, constant initial states and energy distribution curves modes. In the constant final states spectrum of the well-known giant resonance at the 4d-4f threshold around 150 eV we were able to resolve a peak of the multiplet structure that has not previously been found. Spectra were also taken at the 4p-5d threshold around 280 eV revealing a double structure with antiresonating behaviour.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Mn 3d Electrons Contribution to the Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Le Van, Khoi
Gałązka, R. R.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872563.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.-i
Opis:
The resonant photoemission spectroscopy was applied to investigate the valence band electronic structure of semimagnetic semiconductor Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se crystal and to determine the contribution of Mn 3d electrons to the valence band. The set of energy distribution curves and constant initial states spectra were taken for by energies in the region (40-60 eV) close to the Mn 3p-3d transition. The electrons Mn 3d hybridize and contribute to the valence band electrons of the crystal and main density of states contribution appears in the energy 3.5 ± 0.2 eV below the valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 329-332
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Gd 4f States in IV-VI Crystals
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Guziewicz, E.
Orłowski, B. A.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1963391.pdf
Data publikacji:
1997-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
Opis:
Resonant photoemission experiments were performed in order to reveal the contributions of half-filled Gd 4f$\text{}^{7}$ shell to the electronic structures of Sn$\text{}_{0.95}$Gd$\text{}_{0.05}$Te and Pb$\text{}_{0.95}$Gd$\text{}_{0.05}$S crystals. The influences of the Gd 4f$\text{}^{6}$ final-state multiplet splitting and f-ligand hybridization on the shapes of the spectra are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 4; 819-823
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Cd$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B.
Fraxedas, J.
Denecke, R.
Kowalski, B.
Mycielski, A.
Ley, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886829.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.Eq
Opis:
The phenomenon of Fano type resonant photoemission was used to distinguish the Fe electrons derived partial contribution to the valence band of a semimagnetic semiconductor Cd$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se. The states appearing at the middle of the valence band correspond to the Fe 3d electrons while the step of the density of states obtained at the valence band edge region correspondsvto the hybridized s-p-d electrons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 355-358
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Photoemission Spectra of Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$S Valence Band
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Guziewicz, A.
Orłowski, B. A.
Mašek, J.
Ghijsen, J.
Johnson, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931761.pdf
Data publikacji:
1994-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Fi
Opis:
We report the results of a resonant photoemission study of Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$S. A Co 3d derived contribution to the valence band spectra was revealed as a 5 eV wide structure with two maxima: at the edge of the valence band and about 4 eV below the edge. The results were compared with the total DOS distribution resulting from tight binding-coherent potential approximation calculations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 831-836
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reflectivity Study of the Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se Crystals
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Orłowski, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890987.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
Opis:
The room temperature reflectivity spectra of the Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se (x = 0, 0.03, 0.05) crystals have been measured in the visible and ultraviolet range from 1.7 to 12 eV. The structure of the spectra was interpreted in terms of the electronic band structure of the binary material (ŻnSe). The experimental results were compared with the reflectivity spectra of the Fe-based semi magnetic semiconductors [1], and the interpretation was confronted with the conclusions derived from the photoemission experiments performed for Cd$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se [2] and the tight-binding CPA calculations of the band structure of Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se [3].
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 393-396
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 54

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies