Resonant photoemission spectroscopy was applied to determine the Mn 3d derived contribution to the valence band density of states of Mn$\text{}_{0.44}$ Mg$\text{}_{0.56}$Te grown by molecular beam epitaxy on a GaAs(001) substrate. The modifications of the valence band density-of-states distribution are discussed as a consequence of the substitution of Mg ions for Mn ions.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00