Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kołtunowicz, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 33
Tytuł:
Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x
The measurements of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites
Autorzy:
Kołtunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152236.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
nanokompozyty
przewodność skokowa
studnie kwantowe
rezystancja
nanocomposites
hopping recharging
quantum wells
resistance
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x w oparciu o prąd przemienny o częstotliwości z zakresu od 50 Hz do 1 MHz. Pomiary wykonano w zakresie temperatur od 77 K do 373 K. Przeprowadzono analizę uzyskanych wyników i zaproponowano sposób przenoszenia ładunków elektrycznych pomiędzy studniami kwantowymi.
The paper presents the results of the measurements of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites performed on the alternating current in the frequency range from 50 Hz to 1 MHz. The measurements were done in the temperature range from 77 K to 373 K. The analysis of the results were performed and the mechanism of the carrying electric charges between quantum wells was proposed.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 11, 11; 44-46
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon $p^{+}n$-Diodes
Autorzy:
Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Tarasik, M.
Shpakovski, S.
Filipenia, V.
Skuratov, V.
Wieck, A.
Kołtunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503994.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
61.80.Fe
Opis:
The diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Krypton ions are implanted to the side of the $p^{+}$-region of diodes (energy 107 MeV, fluence Φp from 5 × $10^7$ to 4 × $10^9 cm^{-2}$). It is shown that recovery charge $Q_{rr}$ is inversely proportional to the square root of the irradiation fluence value Φp. When the fluence increases, the part of the recovery charge Q_{rrA}, due to the high reverse conductance phase, decreases faster than the value $Q_{rr}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 111-114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Cone-Shaped Inclusions and Line Defects on the Cz-Si Wafer Surface by the Helium Implantation and DC Nitrogen Plasma Treatment
Autorzy:
Frantskevich, N.
Mazanik, A.
Frantskevich, A.
Kołtunowicz, T.
Żukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503982.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
73.20.Hb
Opis:
The general goal of this work is to investigate the defects formed on the surface of the Cz-Si wafers subjected to helium implantation, vacuum annealing and nitrogen plasma treatment. The performed scanning electron microscopy study has shown that in the general case two types of surface defects can be formed: cone-shaped inclusions with the base diameter of 0.2-2 μm and the ratio of diameter to height of approximately 1:1, as well as crystallographically oriented line defects with the length equal to 0.2-2 μm. The concentration of these defects depends on the conditions of implantation and plasma treatment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 105-107
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Noncoil-Like Inductance in Nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1-x}$ Manufactured by Ion-Beam Sputtering of Complex Targets in $Ar+O_2$ Atmosphere
Autorzy:
Zhukowski, P.
Kołtunowicz, T.
Węgierek, P.
Fedotova, J.
Fedotov, A.
Larkin, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503848.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
73.22.-f
81.40.Ef
84.37.+q
72.20.Ee
Opis:
This paper investigates the inductive contribution to AC conductance in the granular nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1-x}$. The initial nanocomposites studied were manufactured in $Ar+O_2$ atmosphere by ion-beam sputtering of the target containing $Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10}$ and alumina stripes and then subjected to the annealing procedure in air over the temperature range 373 K < $T_{a}$ < 873 K. These samples, before and after annealing, were studied using the temperature 77 K < $T_{p}$ < 300 K and frequency 50 Hz < f < 1 MHz dependences of a real part of the admittance σ(T, f). Analysis of the observed σ (f, $T_{p}$) dependences for x < 0.5 demonstrated that in the studied samples the equivalent circuits with the capacitive and noncoil-like inductive contributions can be accomplished. Just in this case, the capacitive properties of RLC circuit with the phase angle - 90° ≤ $\Theta_{L}$ < 0° are exhibited at low frequencies and the inductive properties with 0° ≤ $\Theta_{H}$ < 90° become apparent at high frequencies. A value of the critical frequency $f_{R}$, where $\Theta_{H}$ changes sign, depends on the metallic phase concentration x, measuring temperature $T_{p}$, and annealing temperature $T_{a}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 43-45
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hopping Conductance in Nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1 - x}$ Manufactured by Ion-Beam Sputtering of Complex Target in $Ar+O_2$ Ambient Gas
Autorzy:
Kołtunowicz, T.
Zhukowski, P.
Fedotova, V.
Saad, A.
Fedotov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503812.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.20.Rf
73.22.-f
84.37.+q
72.20.Ee
Opis:
We report the investigation of a real part of the admittance σ of granular nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1 - x}$ with 0.30 < x < 0.70 in the dielectric (hopping) regime. An analysis of the σ(T, f, x) dependences in the as-deposited and annealed films over the temperature 77 K < T < 300 K and frequency 50 < f < $10^6$ Hz ranges displayed the predominance of an activation (hopping) conductance mechanism with dσ/ dT > 0 for the samples below the percolation threshold $x_{C}$ ≈ 0.76 ± 0.05. Based on the earlier models for hopping AC conductance, computer simulation of the frequency coefficient $α_{f}$ of hopping conductance depending on the probability of jump p, frequency f, and also on the shape of σ(f) curve was performed. The experimental and simulation results revealed a good agreement.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 39-42
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Annealing on the Electrical Properties οf Cz-Si Wafers Previously Subjected to the Hydrogen Ion-Beam Treatment
Autorzy:
Fedotov, A.
Korolik, O.
Mazanik, A.
Kołtunowicz, T.
Żukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503985.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
81.40.Ef
Opis:
The main goal of this work is to establish the influence of annealing on the properties of Cz-Si wafers previously subjected to the hydrogen ion-beam treatment at 25 or 300-350°C. It is demonstrated by the conducted study that, despite similarity in the effects of the hydrogen ion-beam treatment at different temperatures on some electrical properties of the wafers (photovoltage spectra, thermoelectromotive force sign), thermal stability of changes in these properties due to the hydrogen ion-beam treatment depends on the hydrogenation temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 108-110
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jump Mechanism of Electric Charge Transfer in Gallium Arsenide Exposed to Polyenergy Implantation with $H^{+}$ Ions
Autorzy:
Żukowski, P.
Węgierek, P.
Billewicz, P.
Kołtunowicz, T.
Komarov, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504001.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
61.72.Cc
72.80.Ey
Opis:
The article presents the experimental results on electric conductivity investigations of gallium arsenide, exposed to polyenergy implantations with $H^{+}$ ions, depending on alternating current frequency (50 Hz ÷ 5 MHz), testing temperature (liquid nitrogen temperature ÷ 373 K) and the temperature of 15 min isochronous annealing (293 ÷ 663 K). It has been found that the obtained dependences σ ($T_{p},$ f) result from a jump mechanism of electric charge transfer between the radiation defects that form in the process of ion implantation. Correlations between annealing of various types of radiation defects and conductivity characteristics σ ($T_{p}$, f) have also been discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 125-128
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoresistance in n-Si/$SiO_2$/Ni Nanostructures Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification Technology
Autorzy:
Fedotova, J.
Ivanou, D.
Ivanova, Y.
Fedotov, A.
Mazanik, A.
Svito, I.
Streltsov, E.
Saad, A.
Tyutyunnikov, S.
Kołtunowicz, T.
Demyanov, S.
Fedotova, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504014.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
81.05.Rm
73.22.-f
73.50.Jt
Opis:
A study of magnetotransport in the n-Si/$SiO_2$/Ni nanostructures with granular Ni nanorods in $SiO_2$ pores was performed over the temperature range 2-300 K and at the magnetic fields induction up to 8 T. The n-Si/$SiO_2$/Ni Schottky nanostructures display the enhanced magnetoresistive effect at 25 K due to the impurity avalanche mechanism.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 133-135
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stanowisko do badania właściwości elektrycznych nanokompozytów - określenie budżetu niepewności pomiaru
Measuring stand for testing electrical properties of nanocomposites - determina-tion of the measurement uncertainty budget
Autorzy:
Kołtunowicz, T. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157078.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
właściwości elektryczne
nanokompozyty
budżet niepewności pomiaru
electrical properties
nanocomposites
measurement uncertainty budget
Opis:
W pracy przedstawiono budowę i zasadę działania stanowiska pomiarowego do określania właściwości elektrycznych nanokompozytów o strukturze metal-dielektryk. Pomiary wykonywane są przy użyciu prądu przemiennego o częstotliwości z zakresu od 42 Hz do 5 MHz w przedziale temperatur od 77 K do 373 K. Wyznaczono standardowe niepewności pomiaru typu A z wykorzystaniem analizy statystycznej oraz niepewności pomiaru typu B uwzględniając specyfikacje techniczne producentów przyrządów pomiarowych. Ze względu na duże wartości niepewności pomiaru występujące w górnym zakresie częstotliwości roboczych mostka impedancji zawężono zakres pomiarowy do częstotliwości 1 MHz.
The paper presents design and a principle of operation of a measuring stand (Fig. 1) for determining electrical properties (phase shift angle Θ, loss tangent tgδ, capacity Cp, resistance Rp) of nanocomposites of the metal-dielectric structure designed and made in the Department of Electrical Devices and HV Technology of the Lublin University of Technology. Measurements have been taken when applying the alternating current of frequency ranging from 42 Hz to 5 MHz, at temperature values from 77 K to 373 K. The measurement uncertainty budget has been determined for direct and indirect measurements by determining the standard measurement uncertainty of the A-type measurement with use of statistical analysis and of the B-type measurement from technical specifications given by manufacturers of individual measuring instruments. Taking into account the measurement uncertainties that occur at the upper limit of the impedance bridge working frequencies, the measuring range has been narrowed down to the value of 1 MHz.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 7, 7; 694-696
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Features of Real Part of Admittance in the Nanocomposites $(Fe_{45}Co_{45}Zr_{10})_{x}(Al_2O_3)_{100 - x}$ Manufactured by the Ion-Beam Sputtering Technique with Ar Ions
Autorzy:
Kołtunowicz, T.
Zhukowski, P.
Fedotova, V.
Saad, A.
Larkin, A.
Fedotov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503798.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.20.Rf
73.22.-f
84.37.+q
72.20.Ee
Opis:
The temperature and frequency dependences of the admittance real part σ (T, f) in granular $(Fe_{45}Co_{45}Zr_{10})_{x}(Al_2O_3)_{100 - x}$ nanocomposite films around the percolation threshold $x_{C}$ were investigated. The behaviour of σ (T, f) vs. the temperature and frequency over the ranges 77-300 K and 50 Hz-1 MHz, respectively, displays the predominance of an activation (hopping) conductance mechanism for the samples below the percolation threshold $x_{C}$ and of a metallic one beyond the $x_{C}$ determined as 54 ± 2 at.%. The mean hopping range d for the nanoparticles diameter D was estimated at different metallic phase content x.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 35-38
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Annealing of $(CoFeZr)_{x}(CaF_2)_{100-x}$ Nanocomposites Produced by the Ion-Beam Sputtering in the Ar and $O_2$ Ambient
Autorzy:
Kołtunowicz, T.
Zhukowski, P.
Bondariev, V.
Fedotova, J.
Fedotov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400483.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.23.Pq
79.20.Rf
81.40.Ef
72.80.Le
Opis:
This paper presents the investigations of electrical properties and effect of annealing on conductivity of $(CoFeZr)_{x}(CaF_2)_{100-x}$ nanocomposites produced by ion-beam sputtering in the Ar and $O_2$ ambient. Investigations into conductivity of $(CoFeZr)_{x}(CaF_2)_{100-x}$ nanocomposites depending on the measuring temperature and the annealing temperature have been performed. The application of a combined argon-oxygen beam brings about lowering of the potential barrier on the surface of nanoparticles. In the course of annealing the additional oxidation occurs. First it proceeds on the surface and then all through the metallic-phase particles.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 932-934
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of HPLC for the Analysis of Secoisolariciresinol Diglucoside in Flaxseeds
Autorzy:
Feskova, A.
Luhin, V.
Leontiev, V.
Sovastei, O.
Koltunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400438.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
82.80.Bg
82.80.Qx
Opis:
High-pressure liquid chromatography - electrospray ionization-mass spectrometry coupled with the PDA detector was used for the analysis of secoisolariciresinol diglucoside in flaxseeds. The research was carried out using the spectrometer "Waters" on the BDS HYPERSIL column $C_{18}$ 250 × 4.6 mm, with the diode-array PDA 996 and the mass-detectors Micromass ZQ 2000 with the electrospray ionization. As a mobile phase acetonitrile and water with 0.1% formic acid were used. The content of secoisolariciresinol diglucoside in the flaxseeds of 12 cultivar was determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 834-836
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170~MeV Xenon Ions
Autorzy:
Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Nha, Vo
Tarasik, M.
Shpakovski, S.
Filipenia, V.
Skuratov, V.
Wieck, A.
Kołtunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400481.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
61.80.Fe
Opis:
Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the $p^{+}$-region (implantation energy 170 MeV, fluence Φp from $5 \times 10^7$ to $10^9 cm^{-2}$). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 926-928
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrochemically Deposited Cobalt Nanoarrays in $SiO_2//n-Si$ Templates Produced by Swift Heavy Ion-Induced Modification Technology
Autorzy:
Koltunowicz, T.
Zhukowski, P.
Fedotova, J.
Bayev, V.
Streltsov, E.
Baran, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400482.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Pq
78.67.Rb
61.46.Km
75.30.Gw
Opis:
Nanoarrays of Co nanorods were formed by means of electrochemical deposition in the nanoporous $SiO_2//n-Si$ templates. Structure and magnetic properties at room temperatures were studied by means of atomic force and scanning electron microscopies, vibrating sample magnetometry. The presence of perpendicular magnetic anisotropy component at room temperature makes Co nanorods in the nanoporous $SiO_2//n-Si$ templates promising for nanoelectronic devices and biomedical applications.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 929-931
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oszacowanie zawartości wilgoci w impregnowanym olejem izolacyjnym preszpanie na podstawie pomiarów konduktywności stałoprądowej
The assessment of moisture content in pressboard impregnated with transformer oil on the base of DC conductivity measurements
Autorzy:
Zhukowski, P.
Subocz, J.
Szrot, M.
Kołtunowicz, T. N.
Gutten, M.
Sebok, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156995.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
preszpan elektrotechniczny
zawartość wilgoci
konduktywność stałoprądowa
studnie potencjału
skokowa wymiana elektronów
temperatura izolacji
pressboard
moisture content
DC conductivity
potential wells
hopping electron exchange
insulation temperature
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań zależności stałoprądowej konduktywności zawilgoconego impregnowanego olejem izolacyjnym preszpanu elektrotechnicznego od stopnia zawilgocenia i temperatury próbek. Ustalono, że przewodność odbywa się na drodze tunelowania elektronów pomiędzy studniami potencjału wytworzonymi przez molekuły wody umieszczone w strukturze celulozy. Opracowano nowy sposób określenia zawartości wilgoci w impregnowanym olejem izolacyjnym preszpanie elektrotechnicznym na podstawie pomiarów konduktywności stałoprądowej i temperatury izolacji.
The paper presents measurements of time dependencies of current intensity in pressboard impregnated with transformer oil at various moisture content. The measurements were taken at the electric field intensity equal to 10 V/m. Values of the DC conductivity for various moisture content at the measurement temperature 297 K and 318 K were estimated on the base of the current intensity values after longer periods of the current flow. Analysis of the dependency of the DC conductivity on the distance between water molecules, related to moisture content, led to the conclusion that the conductivity of moist pressboard impregnated with insulating oil was based on electrons tunneling between the closest water molecules – the so called hopping conductivity. On the base of the hopping conductivity formula, obtained from approximation of the experimental results, there was calculated a nomogram containing dependencies of the DC conductivity on the moisture content for the temperatures from 278 K to 348 K, with a 5 K step, which is the range of power transformer operation temperatures. The nomogram is the base of the new way of assessing the moisture content in electrotechnical pressboard impregnated with insulating oil, which allows estimation of moisture contents with measurements of DC conductivity and insulation temperature.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 2, 2; 137-141
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 33

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies