Magnetoresistance in n-Si/$SiO_2$/Ni Nanostructures Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification Technology

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Magnetoresistance in n-Si/$SiO_2$/Ni Nanostructures Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification Technology
Autorzy:: Fedotova, J.
Ivanou, D.
Ivanova, Y.
Fedotov, A.
Mazanik, A.
Svito, I.
Streltsov, E.
Saad, A.
Tyutyunnikov, S.
Kołtunowicz, T.
Demyanov, S.
Fedotova, V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1504014.pdf
Data publikacji:: 2011-07
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Ln
81.05.Rm
73.22.-f
73.50.Jt
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 133-135
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

A study of magnetotransport in the n-Si/$SiO_2$/Ni nanostructures with granular Ni nanorods in $SiO_2$ pores was performed over the temperature range 2-300 K and at the magnetic fields induction up to 8 T. The n-Si/$SiO_2$/Ni Schottky nanostructures display the enhanced magnetoresistive effect at 25 K due to the impurity avalanche mechanism.

Informacja

Powiązane pozycje