Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bugajski, M" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-25 z 32
Tytuł:
Theoretical Analysis of Optical Gain in Quantum Well Lasers Including Valence-Band Mixing Effect
Autorzy:
Łepkowski, S.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968351.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
42.55.Px
Opis:
The linear optical gain in the AlGaAs/GaAs quantum well lasers is studied theoretically, taking into account the valence-band mixing effect. Our approach is based on the multiband effective-mass theory (k p method) and the density-matrix formalism. In order to obtain the valence bands' structure we employ the 4×4 Luttinger-Kohn Hamiltonian, neglecting the coupling to the split-off band. The spectral dependence of the linear optical gain is calculated using the density-matrix method with interband relaxation. Finally, we analyse the spatial distribution of the optical gain in the quantum well region for the photon energy corresponding to the peak value of the linear gain.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 903-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic States in Type-II Superlattices
Autorzy:
Machowska-Podsiadlo, E.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807643.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.15.Dx
73.21.Cd
78.67.Pt
85.35.Be
Opis:
In this paper the electronic states in type-II superlattices are demonstrated. Band dispersions of InAs/GaSb periodic structure were calculated with the respect of the light and the heavy holes states mixing at InAs/GaSb interfaces. The effect of narrow energy band gap of InAs was taken into account and the wavelengths corresponding to optical transitions in the superlattice were presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-65-S-68
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monte Carlo Studies of Quantum Cascade Lasers
Autorzy:
Borowik, P.
Thobel, J.
Bugajski, M.
Adamowicz, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807675.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.-d
72.20.Jv
73.63.-b
78.67.-n
Opis:
Results of multi particle Monte Carlo studies of a mid-infrared QCL structure, for the first time fabricated by Page et al., are presented. It has been demonstrated that for the considered structure design at least 9 electron energy levels per laser segment should be used to correctly describe the electric current properties. Mechanisms responsible for electron population on higher laser level are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-49-S-51
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity AlGaAs Grown by Low Temperature MBE
Autorzy:
Radomska, D.
Ratajczak, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992076.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
Opis:
Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As layers were grown by molecular beam epitaxy using substrate temperature 200-300°C, tetrameric As and two values of As/Ga+Al flux ratio i.e. 3 or 8. The post-growth annealing was performed in situ at 600°C for 20 min under As-overpressure. The samples were characterised by reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscope and room-temperature I-V measurements of n$\text{}^{+}$/LT grown layer /n$\text{}^{+}$ resistors. The resistivity and trap-filled limited voltage have been determined. The best layers exhibited ρ of the order of 10$\text{}^{9}$ Ω cm, were monocrystalline, uniformly precipitated and without dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 492-496
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
Autorzy:
Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.
Łukowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
78.67.De
42.55.Sa
42.55.Xi
Opis:
In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The role of photoluminescence excitation spectroscopy in investigation of quantum cascade lasers properties
Autorzy:
Wójcik-Jedlińska, A.
Gradkowski, K.
Kosiel, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378431.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
lasery
AlGaAs
lasery kaskadowe
fotoluminescencja
modelowanie numeryczne
spektroskopa
lasers
Quantum Cascade Laser (QCL)
photoluminescence
numerical simulations
spectroscopy
Opis:
The properties of quantum cascade laser (QCL) structures have been investigated by optical technique based on spontaneous emission measurements: photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy. Three types of test structures used for obtaining final QCL device were examined , i.e., single sequence of coupled quantum wells, which form an active region of the device, 30 sequences of this active region separated by 25 nm thick AlGaAs barriers and finally complete, undoped structure consisting of 30 of sequences repeated active regions and superlattice injectors. The results has been compared with numerical simulations. The role of such measurements has also been discussed.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 10; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoreflectance Studies of InGaAs/GaAs/AlGaAs Single Quantum Well Laser Structures
Autorzy:
Ochalski, T. J.
Żuk, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992051.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.20.-e
Opis:
We report on photoreflectance investigations of strained-layer In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As/GaAs/Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As single quantum well laser structures grown by molecular beam epitaxy. All the observed photoreflectance spectral features were assigned to the e-hh transitions with Δn=0. The transition energies were determined and compared to their values calculated within the envelope function approximation. Assuming that one third of the total strain in the central In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As layer is relaxed by biaxial deformation of surrounding thin GaAs layers, it is possible to explain reasonably the results of our photoreflectance experiment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 463-467
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Visible Light Emission from Porous Silicon
Autorzy:
Bugajski, M.
Wesołowski, M.
Lewandowski, W.
Ornoch, J.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924257.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.65.-s
Opis:
The aim of this paper is the study of porous Si prepared by preferential anodic dissolution in concentrated HF acid solutions. Porous silicon layers exhibited extremely efficient luminescence in the 700-900 nm range at room temperature. Basic characteristics of this luminescence strongly suggest the intrinsic origin of the process, directly related to quantum confinement. The additional transmission-electron-microscopy and electron-diffraction studies - were performed to support hypothesis that luminescence originates from silicon nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 914-918
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Cavity Enhanced Photonic Devices
Autorzy:
Bugajski, M.
Muszalski, J.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Mroziewicz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030303.pdf
Data publikacji:
2002-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
78.66.Fd
78.55.-m
78.67.De
78.45.+h
78.47.+p
Opis:
In the present paper we review our recent works on technology, basic physics, and applications of one-dimensional photonic structures. We demonstrate spontaneous emission control in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As/GaAs planar microcavities with distributed Bragg reflectors. In general, observed trends are in agreement with theoretical predictions. We also demonstrate the operation of resonant-cavity light emitting diodes and optically pumped vertical cavity light emitting diodes developed recently at the Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures of the Institute of Electron Technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 1; 105-118
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures
Autorzy:
Kosiel, K.
Regiński, K.
Szerling, A.
Piwoński, T.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378399.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (Ts) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achieving appropriate Ts for InAlGaAs were experimentally found.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 4; 1-3
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Study of Thermal Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers
Autorzy:
Pruszyńska-Karbownik, E.
Karbownik, P.
Szerling, A.
Kosiel, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807668.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.60.-q
85.35.Be
72.80.Ey
Opis:
Temperature change in quantum cascade laser can be estimated by studying the device resistance change. Using this method we compared quantum cascade laser structure mounted on diamond heat spreader and without heat spreader. We have shown that the use of heat spreader reduces temperature increase even by 40%.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-60-S-61
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time-Resolved Microwave Spectroscopy of High Electron Mobility GaAs/AlGaAs Structures
Autorzy:
Khachepuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991552.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
76.40.+b
76.70.Hb
Opis:
Mechanism of the optical detection of cyclotron resonance via emission from 2D electron gas in modulation doped quantum wells and in high electron mobility structures of GaAs/AlGaAs is discussed based on the results of time-resolved optical detection of cyclotron resonance. An important role of impact ionization processes is demonstrated. We also show that microwave radiation destroys emission enhancement at the Fermi level and the relevant mechanism is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 387-391
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
Autorzy:
Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Karbownik, P.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
81.15.Hi
85.60.-q
85.35.Be
73.63.-b
63.22.-m
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:
The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Inter-Island Energy Transfer in AlGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Godlewski, M.
Holz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952469.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.47.+p
73.20.Jc
Opis:
The results of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence excitation and photoluminescence kinetics studies are presented for a Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/GaAs quantum well system grown without growth interruptions at the interfaces. The time-resolved photoluminescence measurements show drift of excitons towards lower energy states induced in a quantum well by potential fluctuations. We present also a first direct evidence for migration of free excitons from the 24 to 25 ML regions of the quantum well and interpret these results within a linear rate model, deriving the transition rate of 290 ps$\text{}^{-1}$. Such inter-island migration processes have been observed till now only in growth interrupted structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1007-1011
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fermi-Edge Singularity in Luminescence Spectra of P-Type Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
Autorzy:
Bugajski, M.
Godlewski, M.
Regiński, K.
Holtz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969046.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
73.20.Dx
Opis:
We have studied an enhancement of the oscillator strength for optical transitions near the Fermi energy in p-type modulation-doped quantum wells, which, so far, deserved much less attention than analogous n-type systems, because of the complicated valence band structure involved. The relatively wide (L=150 Å) quantum wells and high doping levels were used, containing more than one occupied subband. The enhancement in the photoluminescence intensity at the Fermi energy resulted from the strong correlation and multiple scattering of holes near the Fermi edge by the localized electrons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 265-270
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Variable dynamics of sewage supply to wastewater treatment plant depending on the amount of precipitation water inflowing to sewerage network
Zmienność dynamiki dopływu ścieków do oczyszczalni w aspekcie przedostawania się wód opadowych do systemu kanalizacyjnego
Autorzy:
Bugajski, P. M.
Kaczor, G.
Chmielowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/292612.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Instytut Technologiczno-Przyrodniczy
Tematy:
precipitation
precipitation water
sewerage system
wastewater
opad atmosferyczny
system kanalizacyjny
ścieki
wody opadowe
Opis:
The paper analyzes the effect of precipitation water that inflowing to sanitary sewage system as accidental water on the changes in the total amount of treated sewage. The effects of accidental water supply on the total amount of sewage inflowing to treatment plant were analyzed based on mean daily amounts from the investigated periods and mean daily amounts from incidental supplies. The study was conducted in the years 2010–2015. Six characteristic research periods were identified (one per each calendar year), when the amount of sewage in the sanitary sewage system was greater than during dry weather. The analysis of changes in the amount of sewage supplied to the sewerage system in the six investigated periods revealed that the accidental water constituted from 26.8% to 48.4% of total sewage inflowing to the wastewater treatment plant (WWTP). In exceptional situations, during intense rains, the share of precipitation water in the sewerage system would increase up to 75%. Then, the rainwater inflowing the sewerage system caused hydraulic overloading of the WWTP by exceeding its maximum design supply.
W artykule przedstawiono analizę dotyczącą wpływu wielkości opadów atmosferycznych, które trafiają do kanalizacji sanitarnej jako wody przypadkowe, na zmienność ilości ścieków poddawanych procesom oczyszczania. Analizą dotyczącą wpływu wód przypadkowych na ilość ścieków dopływających do oczyszczalni objęto wartości średnie dobowe z badanych okresów oraz średnie dobowe dopływy ścieków z przypadków incydentalnych. Badania prowadzono w okresie od 2010 do 2015 roku, w którym wyróżniono 6 charakterystycznych okresów badawczych po jednym w każdym roku kalendarzowym, w których stwierdzono zwiększoną ilość ścieków w kanalizacji sanitarnej w porównaniu z ilością ścieków w kanalizacji w okresie pogody bezdeszczowej. W wyniku przeprowadzonej analizy dotyczącej zmienności ilości ścieków w kanalizacji w 6 okresach badawczych stwierdzono, że udział wód przypadkowych stanowił od 26,8 do 48,4% ogólnej ilości ścieków dopływających do oczyszczalni, natomiast w przypadkach incydentalnych w warunkach intensywnych opadów atmosferycznych udział wód opadowych w ogólnej ilości ścieków w systemie kanalizacyjnym wzrastał do 75%. W okresie badań w incydentalnych przypadkach wody opadowe przedostające się do kanalizacji powodowały przeciążenia hydrauliczne obiektu ponad dopływ maksymalny, na jaki została zaprojektowana oczyszczalnia.
Źródło:
Journal of Water and Land Development; 2017, 33; 57-63
1429-7426
2083-4535
Pojawia się w:
Journal of Water and Land Development
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of precipitation on the amount and quality of raw sewage entering a sewage treatment plant in Wodzisław Śląski
Analiza wpływu opadów atmosferycznych na ilość i jakość ścieków surowych dopływających do oczyszczalni w Wodzisławiu Śląskim
Autorzy:
Chmielowski, K.
Bugajski, P. M.
Kaczor, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/292636.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Instytut Technologiczno-Przyrodniczy
Tematy:
accidental waters
domestic sewage
sewage quality
precipitation
jakość ścieków
opad atmosferyczny
ścieki bytowe
wody przypadkowe
Opis:
The study presents the effects of precipitation on the amount and quality of raw sewage entering a sewage treatment plant in Wodzisław Śląski. It covers a six-year period between January 2010 and December 2015. The research period was divided into seven classes of precipitation intensity. The classes were characterized for their basic descriptive statistics of the raw sewage entering the investigated sewage treatment plant (STP). Data obtained from the collected material and derived from an analysis indicated a considerable influence of precipitation on the amount of sewage entering the investigated facility. Mean amount of sewage entering the STP was by 10.5% (884.9 m3∙d–1) greater in B class and by 69.6% (6,153.9 m3∙d–1) greater in G class than during dry weather. Individual classes of precipitation intensity were compared for their mean values of raw sewage contamination. Precipitation intensity was found to significantly affect concentrations of the investigated parameters of raw sewage contamination. Basic parameters of sewage contamination (BOD5, CODCr, total suspended solids) were determined and their basic descriptive statistics, such as median, mean, minimum and maximum value, standard deviation and coefficient of variation were calculated.
W pracy przedstawiono analizę wpływu opadów atmosferycznych na ilość i jakość ścieków surowych dopływających do oczyszczalni w Wodzisławiu Śląskim. Badania przeprowadzono w okresie od stycznia 2010 r. do grudnia 2015 r. (6 lat). Dokonano podziału okresu badawczego na 7 grup intensywności natężenia opadu atmosferycznego. Dla analizowanych grup określono podstawowe statystyki opisowe wartości dopływu ścieków surowych do oczyszczalni. Na podstawie zebranego materiału i przeprowadzonej analizy stwierdzono istotny wpływ opadu atmosferycznego na ilość ścieków dopływających do badanego obiektu. Średni przyrost ilości dopływających ścieków w stosunku do dopływu ścieków w okresie bezdeszczowym wyniósł od 10,5% (884,9 m3∙d–1) dla grupy „B” do 69,6% (6 153,9 m3∙d–1) dla grupy „G”. Dokonano porównania średnich wartości wskaźników zanieczyszczenia ścieków surowych w poszczególnych grupach intensywności opadu atmosferycznego. Stwierdzono istotny wpływ natężenia opadu atmosferycznego na stężenia badanych wskaźników zanieczyszczenia ścieków surowych. Określono podstawowe wskaźniki zanieczyszczenia ścieków (BZT5, ChZTCr, zawiesina ogólna). Określono podstawowe statystyki opisowe wartości badanych wskaźników: mediana, wartość średnia, minimalna, maksymalna, odchylenie standardowe, współczynnik zmienności.
Źródło:
Journal of Water and Land Development; 2017, 34; 85-93
1429-7426
2083-4535
Pojawia się w:
Journal of Water and Land Development
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of Free-Space Optics Development
Autorzy:
Mikołajczyk, J.
Bielecki, Z.
Bugajski, M.
Piotrowski, J.
Wojtas, J.
Gawron, W.
Szabra, D.
Prokopiuk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221245.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
optical communications
open path laser communications
line of sight communications
free space optics
Opis:
The article presents state of work in technology of free-space optical communications (Free Space Optics - FSO). Both commercially available optical data links and their further development are described. The main elements and operation limiting factors of FSO systems have been identified. Additionally, analyses of FSO/RF hybrid systems application are included. The main aspects of LasBITer project related to such hybrid technology for security and defence applications are presented.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 653-674
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fermi-Edge Singularity in Excitonic Spectra of Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
Autorzy:
Bugajski, M.
Regiński, K.
Godlewski, M.
Wesołowski, M.
Holtz, P. O.
Buyanov, A. V.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950741.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
85.30.De
Opis:
The dynamic response of an electron Fermi sea to the presence of optically generated holes gives rise to an enhanced interaction of correlated electron-hole pairs near the Fermi level, resulting in an enhanced oscillator strength for optical transitions, referred to as the Fermi-edge singularity. We studied this effect in modulation-doped quantum wells which provide confined dense Fermi sea, spatially separated from dopant atoms, easily accessible for investigations under low excitation conditions. The Fermi-edge singularity was observed in both photoluminescence and photoluminescence excitation experiments, although in the case of photoluminescence the samples had to be either co-doped with acceptors in the wells to provide necessary localization of holes or designed to allow for nearly resonant scattering between the electronic states near the Fermi energy and the next unoccupied subband of the 2D electron gas.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 751-754
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
Autorzy:
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Kryńska, D.
Litkowiec, A.
Kaniewski, J.
Wesołowski, M.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.De
85.60.Jb
73.20.Dx
Opis:
Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Growth Conditions on Exciton Properties in Thin Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:
Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Holtz, P. O.
Monemar, B.
Bugajski, M.
Regiński, K.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933743.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.20.Fz
71.35.+z
Opis:
Exciton properties in growth interrupted quantum wells of GaAs/AlGaAs are compared with those observed for structures grown without growth interruption during the molecular beam epitaxy process. We report observation of quasi-localized excitons in quantum well structures grown without growth interruptions. Quasi-localized excitons drift towards the states of a lower potential energy in the quantum well. For growth interrupted MBE structures islands with a constant quantum well thickness become large compared to the exciton radius. Free or lightly localized excitons are observed in that case.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 719-722
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
Autorzy:
Szerling, A.
Karbownik, P.
Kosiel, K.
Kubacka-Traczyk, J.
Pruszyńska-Karbownik, E.
Płuska, M.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.60.-q
85.35.Be
72.80.Ey
73.61.Ey
78.66.Fd
Opis:
The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The variability of pollution load of organic, biogenic and chromium ions in wastewater inflow to the treatment plant in Nowy Targ
Zmienność ładunku zanieczyszczeń organicznych, biogennych oraz jonów chromu w ściekach dopływających do oczyszczalni w Nowym Targu
Autorzy:
Bugajski, P. M.
Nowobilska-Majewska, E.
Kurek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/292364.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Instytut Technologiczno-Przyrodniczy
Tematy:
chromium ions
organic and biogenic pollution
pollution load
wastewater
jony chromu
ładunek zanieczyszczeń
ścieki
zanieczyszczenia biogenne
zanieczyszczenia organiczne
Opis:
The aim of the study was to analyze the mean daily wastewater load from the corporate wastewater treatment plant in Nowy Targ. The study analyzed the wastewater load expressed by BOD5, COD, total nitrogen (Ntot), total phosphorus (Ptot) and chromium ions (Cr). The study was conducted from 2006 to 2016, in which 591 samples of raw wastewater were collected and analyzed in a control well before the treatment plant with a mean of 4 times a month. The scope of research in the analytical part covered the variability of wastewater loads in individual years and determined the characteristic values of mean daily load in particular months. Mean daily wastewater load for BOD5 – 7 053 kg·d–1 for COD – 23 437 kg·d–1 for total nitrogen – 1 464 kg·d–1 for total phosphorus – 197 kg·d–1 and for chromium ions – 129 kg·d–1. For each of the analyzed index, it was found that in the each months mean daily wastewater load in raw wastewater is variable. In the analyzed period the mean daily discharged wastewater oscillated within 13 924 m3·d–1, which accounted for about 66% of the projected load.
Celem pracy jest analiza wartości średnich dobowych ładunków zanieczyszczeń dopływających w ściekach surowych do zbiorczej oczyszczalni w Nowym Targu. W pracy poddano analizie zanieczyszczenia wyrażone wskaźnikami BZT5, ChZT, azotu ogólnego (Nog), fosforu ogólnego (Pog) oraz ładunkiem jonów chromu (Cr). Badania prowadzono w okresie od 2006 do 2016 roku, w którym pobrano i poddano analizie 591 próbek ścieków surowych pobranych w studzience kontrolno-pomiarowej przed oczyszczalnią ze średnią częstością 4 razy w miesiącu. W części analitycznej zakresem badań objęto zmienność ładunków zanieczyszczeń w poszczególnych latach oraz określono charakterystyczne wartości średniego dobowego ładunku w poszczególnych miesiącach. Na podstawie przeprowadzonej analizy stwierdzono, że średni dobowy ładunek wyrażony BZT5 wyniósł 7 053 kg∙d–1, ChZT – 23 437 kg∙d–1, ładunek azotu ogólnego – 1 464 kg∙d–1, fosforu ogólnego – 197 kg∙d–1 i jonów chromu – 129 kg∙d–1. W odniesieniu do każdego z analizowanych wskaźników stwierdzono, że w poszczególnych miesiącach średni dobowy ich ładunek w ściekach surowych jest zmienny. W analizowanym okresie średni dobowy dopływ ścieków oscylował w granicach 13 924 m3∙d–1, co stanowiło około 66% obciążenia projektowanego.
Źródło:
Journal of Water and Land Development; 2017, 35; 11-17
1429-7426
2083-4535
Pojawia się w:
Journal of Water and Land Development
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ohmic contacts for room-temperature AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers (QCL)
Autorzy:
Baranska, A
Szerling, A
Karbownik, P
Hejduk, K
Bugajski, M
Laszcz, A
Golaszewska-Malec, K
Filipowski, W
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/949413.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
ohmic contacts
n-GaAs
CTLM
EDXS
TEM
Opis:
This paper reports on the results of optimization of the ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during the optimization procedure concerned time and temperature of thermal processing as also the ratio of metallic layers thickness. The main goal of this work was to obtain stable ohmic contacts with low resistance and a smooth surface. Circular transmission line method (CTLM) was applied for the electrical characterization of the Ni/AuGe/Ni/Au and AuGe/Ni/Au metallization systems. Transmission electron microscopy (TEM) method was used for the characterization of microstructures. Elements concentration in layers was determined by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The best results for the specific contacts resistivity, thermal stability and morphology were obtained when the Ni/AuGe/Ni/Au and the AuGe/Ni/Au systems were processed at 440 °C and 400 °C, respectively.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 5-15
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
Autorzy:
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Kaniewski, J.
Muszalski, J.
Ornoch, L.
Adamczewska, J.
Marczewski, J.
Bugajski, M.
Mizera, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.40.Νs
73.20.Hb
Opis:
The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-25 z 32

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies