The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: The influence of MBE growth conditions on optical properties of InGlGaAs/AlGaAs structures
Autorzy:: Kosiel, K.
Regiński, K.
Szerling, A.
Piwoński, T.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/378399.pdf
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Źródło:: Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 4; 1-3
1897-2381
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (T_s) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achieving appropriate T_s for InAlGaAs were experimentally found.

Informacja

Powiązane pozycje