In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00