Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Kryńska, D.
Litkowiec, A.
Kaniewski, J.
Wesołowski, M.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.30.De
85.60.Jb
73.20.Dx
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.

Informacja

Powiązane pozycje