Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bożek, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-28 z 28
    Tytuł:
    Influence of a real radio channel parameters on the quality of the OFDM signal in mobile applications. Estimation of parameters of the channel as an element of improvement of the transmission quality
    Autorzy:
    Bożek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/385028.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    OFDM
    radio transmission
    multi-path
    radio channel estimation
    Opis:
    The article deals with issues related to transmission of a signal with the OFDM multitude modulation in a real radio channel. Following short characteristics of the OFDM modulation, the article includes an analysis of typical radio channels from the angle of amplitude and phase on the basis of delay profiles referred to in the literature. The study contains results of simulated receipt of the OFDM signal in the multi-path conditions. On the basis of diagrams of constellation of the modulation symbols, the author presented differences in the quality of the signal before and after the phase correction and improvement in the quality due to application of cyclic prefix. Influence of noise as well as the fact that the terminals are non-stationary on operation of the frequency characteristics estimation algorithm was analyzed. At the end, an example was presented of application of a linear model of estimation of phase characteristics of a channel with the shift in frequency occurring in mobile systems as a consequence of the Doppler effect being compensated.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2007, 1, 3; 64-68
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Odbiorniki GNSS w praktyce inżynierskiej
    GNSS receivers in engineering practice Introduction to Global Navigation Satellite Systems
    Autorzy:
    Perski, A.
    Wieczyński, A.
    Bożek, K.
    Kapelko, S.
    Pawłowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/276249.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    GPS
    GLONASS
    Galileo
    EGNOS
    nawigacja
    błędy pomiarowe
    measuring errors
    low-cost GNSS receivers
    Opis:
    W pierwszym z serii artykułów przedstawiono zarys zasady działania oraz wybrane pojęcia związane z tematyką Globalnych Systemów Nawigacji Satelitarnej (ang. Global Navigation Satellite System - GNSS) a następnie krótkie zestawienie podstawowych parametrów w kontekście tanich odbiorników przeznaczonych do integracji we własnych aplikacjach. Przedstawiono przegląd istotnych parametrów i funkcjonalności dostępnych na rynku odbiorników ze wskazaniem potencjalnych "pułapek", jakie mogą czyhać na projektanta. Autorzy w kolejnych artykułach dokonają przeglądu dostępnych na rynku odbiorników typu "OEM low-cost" oraz przedstawią wyniki przeprowadzonych badań stacjonarnych oraz mobilnych dla różnych aplikacji.
    In this article, the first of a series, we have outlined the principles of operation and selected concepts related to the theme of Global Navigation Satellite Systems (GNSS) and a brief compendium of the basic parameters of low-cost GNSS receivers available for integration into typical applications. The article begins with an easy-to-read and non-technical description of the most basic principles of operation and limitations of GNSS systems so that the reader can familiarise themselves with these concepts. This is followed by a brief overview of the relevant parameters and functionality of GNSS receivers currently available on the market along with some of the potential 'pitfalls' which might be waiting for application designers. The authors in subsequent articles in this series will review 'low-cost OEM' receivers currently available on the market and will present the results of both stationary and mobile testing for different applications.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Robotyka; 2013, 17, 3; 103-111
    1427-9126
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Robotyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Odbiorniki GNSS w praktyce inżynierskiej. Wpływ typu anteny na jakość pomiarów GNSS
    GNSS receivers in engineering practice. Impact of antenna type on quality of GNSS measurements
    Autorzy:
    Perski, A.
    Wieczyński, A.
    Baczyńska, M.
    Bożek, K.
    Kapelko, S.
    Pawłowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/277847.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    GPS
    GNSS
    antena
    zakłócenia wielodrogowości sygnału
    patch
    choke ring
    stealth
    badania stacjonarne
    błąd wyznaczania pozycji 2DRMS
    multipath error
    measuring error 2DRMS
    choke-ring
    antenna
    stationary test
    position scatter
    Opis:
    W trzecim z serii artykułów przedstawiono wyniki badań stacjonarnych sześciu jednakowych odbiorników odbierających w tym samym czasie sygnały GNSS za pomocą anten różnych typów. Badania wykonano z wykorzystaniem płyt ewaluacyjnych wyposażonych w nowoczesne, jednoczęstotliwościowe odbiorniki GNSS skonfigurowane do pracy w trybie „wyłącznie GPS”. W trakcie badań wykonano trzy sesje pomiarowe w środowiskach o zróżnicowanym stopniu utrudnienia odbioru sygnałów GNSS. Uzyskane wyniki wskazują, że w aplikacjach przeznaczonych na rynek masowy wykorzystujących tanie odbiorniki GNSS właściwy dobór anteny może istotnie poprawić jakość i funkcjonalność produktu.
    In the third article of a series we present the results of our researches performed in stationary conditions. We also give some explanations and guidelines about the most important features, classification and parameters of GNSS antennas and its influence on GNSS receiver’s performance. Phase Center Variation (PCV) and multipath effect mitigation techniques are briefly described. In performed researches, six exactly the same models of GNSS receivers worked at the same time with different models of antennas. The study was performed with the use of specially prepared evaluation boards, which were equipped with modern single frequency GNSS receivers configured to operate as a GPS only mode. Three test sessions, each in different environments of varying difficulty for receiving GNSS signals were carried out. The results show that also for applications using cheap GNSS receivers and aimed to the mass market, the proper selection of antennas can significantly improve the quality and functionality of the products.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Robotyka; 2013, 17, 10; 106-122
    1427-9126
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Robotyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Odbiorniki GNSS w praktyce inżynierskiej. Badania stacjonarne
    GNSS receivers in engineering practice. Stationary test
    Autorzy:
    Perski, A.
    Wieczyński, A.
    Baczyńska, M.
    Bożek, K.
    Kapelko, S.
    Pawłowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/276238.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    GPS
    GLONASS
    EGNOS
    nawigacja
    błędy pomiarowe
    CEP
    DRMS
    2DRMS
    ENU
    measuring errors
    stationary test
    position scatter
    Opis:
    W drugim z serii artykułów przedstawiono wyniki badań stacjonarnych dla różnych konfiguracji zestawu 10 odbiorników GNSS zaliczanych do grupy "low-cost". Na wstępie omówiono definicje podstawowych błędów określających dokładności wskazań odbiorników GNSS oraz zastosowane w badaniach scenariusze pomiarowe. Badania przeprowadzono na trzech stanowiskach pomiarowych, dobierając je w taki sposób, aby możliwe było sprawdzenie poprawności pracy odbiorników, zarówno dla bardzo korzystnych jak i bardzo niekorzystnych warunków odbioru sygnałów GNSS. Wyniki badań przedstawiają silną korelację warunków środowiskowych z błędami wyznaczania pozycji. W badaniu przeanalizowano wpływ różnych konfiguracji odbiorników na dokładność oraz precyzję pomiarów.
    In the second article of a series we present the results of our researches into different configurations of a set of 10, low-cost GNSS receivers. Firstly, we give definitions of basic factors which determine the accuracy of GNSS receivers and have also discussed the measurements scenarios used in the study. The study was conducted at three measuring locations by adjusting it in such a way that their performance could be checked under both very good and very poor conditions GNSS signals reception conditions. The results show a strong correlation between environmental conditions and errors in indicated positions reported by the equipments. The study analyzed the effect of different receiver configurations on the accuracy and precision of measurements.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Robotyka; 2013, 17, 4; 64-77
    1427-9126
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Robotyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Built-In Electric Field in High Quality GaN/AlGaN Quantum Wells
    Autorzy:
    Zieleniewski, K.
    Pakuła, K.
    Bożek, R.
    Masztalerz, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048083.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.De
    77.55.hn
    81.15.Gh
    Opis:
    We report studies on electric field built in GaN/Al$\text{}_{0.09}$Ga$\text{}_{0.91}$N structure of nominally 6 nm wide quantum well. The sample was grown in horizontal metal-organic chemical vapor deposition reactor using innovative technology that decreases the density of screw dislocations. Firstly, using visible and mid infra-red interference pattern along the sample, the layer thickness and consequently the quantum well width was determined to vary linearly with the position. Secondly, photoluminescence spectra was taken at different positions. Correlation of those two measurements allows us to determine the built-in electric field to be 0.66 MV/cm, which is considerably larger than previously reported for similar structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 657-659
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Microscopic Investigation of SiC Epitaxial Layers οn On-Axis 4H-SiC Substrates Using Kelvin Probe Force Microscopy
    Autorzy:
    Kościewicz, K.
    Bożek, R.
    Strupiński, W.
    Olszyna, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807654.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.bg
    81.15.-z
    34.20.-b
    61.05.J-
    Opis:
    We report on Kelvin probe force microscopy and electron backscatter diffraction measurements of 3C-SiC epitaxial layers grown on exactly oriented Si-face 4H-SiC (0001) substrates in a horizontal hot-wall chemical vapor deposition reactor, in the temperature range from 1150°C to 1620°C, under $H_{2}$ or $H_{2}$ $+SiH_{4}$ atmosphere. The investigated layers were doped with nitrogen (for n-type) and aluminium (for p-type). The electron backscatter diffraction analysis revealed structure of polytype 3C blocks with a relative rotation of 60 and/or 120°. The Kelvin probe force microscopy measurements revealed cubic substructure as a equilateral triangle objects contrast which is characteristic of 3C silicon carbide polytype. The surface potential contrast was found to be dependent on the type and concentration of doping, which could be explained in terms of the impurities accumulation at block boundaries.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-69-S-71
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Viral hepatitis C in Poland in the Silesian Province between 2005–2014
    Autorzy:
    Braczkowska, B.
    Kowalska, M.
    Barański, K.
    Mendera-Bożek, U.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2081675.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Medycyny Wsi
    Tematy:
    Silesia
    hepatitis C
    epidemiology
    Polska
    Opis:
    Introduction and objective. Viral hepatitis C remains one of the major health and social problems related to infectious diseases in Poland. The aim of the study was assessment of the registered changes in the incidence of HCV in the Silesian Province of western Poland during the last 10 years, including age, gender and place of residence. Materials and method. A retrospective analysis was performed of the HCV incidence between 2005–2014 in the Silesian Province. The crude and standardized incidence rates were calculated for males and females in each year. Subsequently, the territorial diversity of the epidemiological situation in the districts was assessed by calculating the average incidence rate over the entire study period. Results. Incidence rates calculated according to the case definition of 2005 ranged between 5.95/100000 in 2005 to 10.36/100000 in 2014. Analysis of the structure of the incidence showed that during the analyzed period, the majority of hepatitis C cases were related to males (52.5%) rather than females (47.5%), and hepatitis C was more prevalent in younger males (aged 20–49) and older females (aged over 50). After excluding the effect of age, the standardized rates were twice as low, compared to the crude incidence rates. Conclusions. An increase in the HCV incidence rate was observed in males and females. It is obvious that the detection of additional cases will entail the need to provide funding for the treatment of more patients, which should be included in the map of regional health needs in the coming years. Our study demonstrates the temporal and spatial variability of HCV incidence in the Silesian Province of Poland. The observed increase in the crude and standardized rates suggests that the current registry system of HCV in Poland is more effective now. The current situation is comparable with the data in other EU countries.
    Źródło:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2018, 25, 2; 224-228
    1232-1966
    Pojawia się w:
    Annals of Agricultural and Environmental Medicine
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nectar and pollen production in Arabis procurrens Waldst. and Kit. and Iberis sempervirens L. (Brassicaceae)
    Produkcja pyłku i nektaru w kwiatach Arabis procurrens Waldst. and Kit. and Iberis sempervirens L. (Brassicaceae)
    Autorzy:
    Strzalkowska-Abramek, M.
    Tymoszuk, K.
    Jachula, J.
    Bozek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/27036.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Botaniczne
    Opis:
    Ecological environment in urban areas is specific in many aspects. There are evidences that ornamental plants cultivated in local urban gardens may help in conservation of pollinators. In this study, the flowering pattern, the abundance of flowering, nectar and pollen production as well as insect visitation in Arabis procurrens Waldst. & Kit. and Iberis sempervirens L. were investigated. The species were grown in the UMCS Botanical Garden in Lublin, southeastern Poland. Arabis procurrens bloomed from the middle of April until middle of May and I. sempervirens from the end of April until middle of June. In both species, most flowers opened in the morning hours (40–45% of total were opened by 8:00 h GMT + 2 h). The average sugar yield of A. procurrens was ca. 53% lower compared to I. sempervirens (mean = 1.08 g/m2 and 2.32 g/m2, respectively). In both species, considerable differences in the amount of produced sugars were noted between years. The mass of pollen produced in the flowers of A. procurrens was approx. 35% lower compared to that of I. sempervirens (mean = 0.06 mg and 0.09 mg per flower, respectively). Pollen produced per unit area was correlated with the number of flowers. On average, the species produced 1.46 g (A. procurrens) and 2.54 g (I. sempervirens) of pollen per 1 m2. The flowers of A. procurrens attracted mainly dipterans (56.3% of total visitors), while I. sempervirens lured chiefly solitary bees (47.4% of total visitors), however in both cases, honeybees, bumblebees and lepidopterans were also recorded. The A. procurrens and I. sempervirens due to flowering in early spring period may be promoted for use in small gardens (rock or pot gardens) for both aesthetic value and as plants that support insect visitors in nectar and pollen rewards.
    Przeprowadzone badania dotyczyły dynamiki i obfitości kwitnienia, wydzielania nektaru, produkcji pyłku oraz składu entomofauny dwóch gatunków: Arabis procurrens Waldst. & Kit. i Iberis sempervirens L. uprawianych w Ogrodzie Botanicznym UMCS w Lublinie. Arabis procurrens kwitł od połowy kwietnia do połowy maja, natomiast I. sempervirens od końca kwietnia do połowy czerwca. U obu gatunków większość kwiatów (40–45%) rozkwitała wczesnym rankiem, tj. ok. 8:00 (GMT + 2 h). Średnia masa cukrów (w przeliczeniu na jednostkę powierzchni) A. procurrens była o ok. 53% mniejsza niż w przypadku I. sempervirens (odpowiednio 1.08 g/m2 i 2.32 g/m2). Stwierdzono istotne różnice w masie produkowanych cukrów pomiędzy latami badań dla każdego z badanych gatunków. Średnia masa pyłku produkowanego przez kwiaty A. procurrens była o ok. 35% mniejsza niż masa pyłku I. sempervirens (odpowiednio 0.06 mg i 0.09 mg). Wydajność pyłkowa, wynosząca 1.46 g/m2 dla A. procurrens i 2.54 g/m2 dla I. sempervirens, skorelowana była z liczbą kwiatów. Kwiaty A. procurrens oblatywane były głównie przez muchówki (56.3% liczby owadów), a kwiaty I. sempervirens- przez pszczoły samotnice (47.4%). Odnotowano również wizyty pszczoły miodnej, trzmieli i motyli. Badane gatunki roślin, ze względu na wczesną porę zakwitania, mogą stanowić uzupełnienie taśmy pokarmowej owadów zapylających.
    Źródło:
    Acta Agrobotanica; 2016, 69, 1
    0065-0951
    2300-357X
    Pojawia się w:
    Acta Agrobotanica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Time Evolution of the Microluminescence Energy οf GaN/AlGaN Quantum Dots
    Autorzy:
    Surowiecka, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Bożek, R.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791354.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Time evolution of the microphotoluminescence from low-density GaN/$Al_{x}Ga_{1-x}N$ quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition using in situ etching of AlGaN is presented. The observed effect is related to the energy changes that begin immediately after sample illumination with the exciting laser light and saturate after some time. Typically, the luminescence energy decreases and the change is exponential with characteristic times in a range between several dozen and several hundred seconds. However, sometimes we observed the energy increase with characteristic times in a range between several and a few hundred seconds. The obtained results are discussed in terms of the metastable change of the electric field, induced by spontaneous polarization present in GaN/AlGaN structure (in the growth direction), and strain- or defect-induced changes of the electric field in the vicinity of the dot.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 933-935
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoreflectance Measurements of InGaAs/GaAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Tomaszewicz, T.
    Korona, K. P.
    Bożek, R.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952324.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Bd
    73.20.Dx
    78.66.Fd
    Opis:
    Samples with InGaAs/GaAs quantum wells were grown by metallo-organic chemical vapour deposition in order to detect and analyze GaSb islands deposited on the surface. Results of photoreflectance measurements of quantum wells are reported. The correspondence between broadening of quantum well transition lines and GaSb structures has been observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 965-968
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    FIR Magnetooptical Measurements on MOCVD Grown InAs
    Autorzy:
    Andrearczyk, T.
    Karpierz, K.
    Bożek, R.
    Stępniewski, R.
    Grynberg, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968009.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.-m
    71.55.-i
    72.40.+w
    Opis:
    In this paper we report results of magnetooptical measurements done on standard InAs MOCVD layers grown on GaAs. Extremely narrow lines (half-widths of the order of 20 mT) - narrower than found by other authors in high quality MBE InAs epilayers on GaAs - as well as the lines of typical half-widths have been found both in the photoconductivity spectra and in the transmission spectra. A detailed comparison with the theoretical dependence of shallow donor and Landau level energies on magnetic field leads to the conclusion that they originate from cyclotron resonance and impurity-shifted cyclotron resonance transitions in that material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 699-703
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Single GaN/AlGaN Quantum Dot Spectroscopy
    Autorzy:
    Surowiecka, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Bożek, R.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047382.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Microphotoluminescence of low-density GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy using in situ etching of AlGaN is presented. The detailed analysis of the emission from these structures enables the observation of pairs of lines separated by the energy up to 3 meV. They behave in a different way under different excitation power that suggests that this doublet structure can be associated with the exciton and trion (or biexciton recombination). It is observed that for different quantum dots the energy of the charged exciton complex emission could be higher or lower than the neutral exciton one. It is discussed in terms of a competition between attractive e-h and repulsive e-e (h-h) Coulomb interaction that occurs because of the existence of the built-in electric field that separates electrons and holes in the dot.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 233-236
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temporal Evolution of Multi-Carrier Complexes in Single GaN/AlGaN Quantum Dots
    Autorzy:
    Surowiecka, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Bożek, R.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044542.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Microphotoluminescence of low-density GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy using in situ etching of AlGaN is presented. The narrow lines in the microphotoluminescence spectra due to the single quantum dots are observed. Both energy and intensity of these lines show temporal fluctuations. Statistical analysis based on the correlation matrix allowed us to identify objects, which are affected by photo-induced electric field fluctuations. Relations between emission lines participating in the spectrum are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 879-884
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Tuning of Spectral Sensitivity of AlGaN/GaN UV Detector
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Drabińska, A.
    Trajnerowicz, A.
    Bożek, R.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036867.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Kp
    73.50.Pz
    78.40.Fy
    Opis:
    GaN/AlGaN photodetector that exhibits new interesting property is presented. Its spectral sensitivity depends upon bias voltage. Under positive or low negative bias the detector is sensitive mainly to the ultrafiolet radiation absorbed by AlGaN layer 3.7-3.8 eV. Under negative bias U$\text{}_{B}$ below -4 V, the detector is sensitive mainly to the radiation absorbed by GaN (3.4-3.6 eV). The effect can be explained based on numerical calculations of the electric field and potential profiles of this structure. The damping of GaN signal is attributed to activity of 2D electron gas formed on the GaN/AlGaN interface by spontaneous polarization. The reappearing of the signal is attributed to tunneling of holes through AlGaN, stimulated by a high electric field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 675-681
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Properties of Molybdenum Disulfide $(MoS_2)$
    Autorzy:
    Gołasa, K.
    Grzeszczyk, M.
    Korona, K.
    Bożek, R.
    Binder, J.
    Szczytko, J.
    Wysmołek, A.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399110.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.22.-m
    71.35.-y
    78.20.-e
    78.30.-j
    Opis:
    Research of a monolayer and a bulk $MoS_2$ is reported. The room temperature Raman spectra of the natural $MoS_2$ crystals for the both resonant (632.8 nm) and the non-resonant (532 nm) excitation are presented. The apparent differences observed in the spectra from the bulk and the one monolayer $MoS_2$ are discussed. In particular, the feature due to a first order scattering involving the LA(M) phonon in the resonance Raman spectrum of the one monolayer $MoS_2$ was observed and explained in terms of the disorder in the natural crystal. The disorder is also documented by the line-shape of the room-temperature photoluminescence spectra observed from both the bulk and the one monolayer $MoS_2$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 849-851
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structural and optical properties of boron nitride grown by MOVPE
    Autorzy:
    Dąbrowska, A.
    Pakuła, K.
    Bożek, R.
    Rousset, J.
    Ziółkowska, D.
    Gołasa, K.
    Korona, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1160531.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    78.30.Fs
    78.20.-e
    Opis:
    Boron nitride layers were grown on sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy system that was originally designed for growth of GaN. Structures were characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, the Raman spectroscopy, absorption and time resolved photoluminescence. Presented results confirm successful deposition of BN layers and gives information about basic properties of the material. The Raman line at 1370 cm^{-1} and absorption edges at 5.6-5.9 eV were observed which is related to hexagonal phase.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-129-A-131
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Potential and Carrier Distribution in AlGaN Superlattice
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Pakuła, K.
    Bożek, R.
    Drabińska, A.
    Surowiecka, K.
    Stępniewski, R.
    Zielińska-Rohozińska, E.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043725.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.40.+w
    73.61.Ey
    73.21.Cd
    Opis:
    Photocurrent spectroscopy and Kelvin force microscopy have been used in order to determine charge, field, and potential distributions in spontaneously grown superlattice. The spectra show that light can generate currents and potentials in both directions depending on photon energy. A numerical model made for superlattice of periodλ$\text{}_{SL}$ = 33 nm shows that electric field in superlattice oscillates coherently with Al content. The oscillations of electric field explain the different directions of photocurrent. The electric field can also separate electrons and holes, making carrier lifetimes longer and lowering excitation intensity threshold for occupation inversion.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 723-729
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Highly Compensated GaAs Crystal Obtained by Molecular CO Doping
    Autorzy:
    Bożek, R.
    Korona, K. P.
    Nowak, G.
    Wasik, D.
    Słupiński, T.
    Kaczor, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929707.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    78.55.-m
    78.20.Jq
    Opis:
    GaAs:C crystal was grown by liquid encapsulated Czochralski technique with large partial pressure of CO in ambient atmosphere p$\text{}_{CO}$/p$\text{}_{tot}$ = 0.2 and investigated using near and infrared absorption, photoluminescence, photoconductivity, photo-induced current transient spectroscopy and photo-Hall measurements. High resistivity of the crystal was found in electrical measurements (10$\text{}^{7}$ Ω cm, the Fermi level at 0.67 eV below conduction band at 300 K). Local vibrational mode revealed increased concentration of carbon acceptor and presence of oxygen related complexes. Photoluminescence spectra were dominated by two bands with peak energies at 1.49 eV and 0.8 eV. The near band gap emission shifts with excitation intensity up to 4 meV/decade. In photocurrent spectrum a strong photoionization band with E = 0.55 eV is observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 669-672
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Drabińska, A.
    Bożek, R.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Strupiński, W.
    Borysiuk, J.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791292.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Tr
    78.40.Ri
    78.30.Na
    63.20.dd
    63.20.kd
    Opis:
    Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Light Induced Modification of Graphene Oxide Layers on GaN Basis
    Autorzy:
    Łopion, A.
    Stobiński, L.
    Pakuła, K.
    Bożek, R.
    Kaźmierczak, P.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1185429.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.22.-f
    78.55.-m
    78.30.-j
    07.05.Kf
    Opis:
    Graphene oxide suspension in various solvents was spin coated on metal organic vapor phase epitaxy grown GaN/saphire layers. Samples were characterised using the Raman spectroscopy and atomic force microscopy, before and after high temperature treatment. We found that graphene oxide was modifed by high temperature treatment, however a considerable modification was also observed as a result of impinged laser light incident due to the measurements. The Raman spectra were decomposed into two contributions showing different behaviour during the Raman scattering measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1169-1171
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Some aspects of Intelligent Transport System auditing
    Autorzy:
    Bazan, M.
    Bożek, M.
    Ciskowski, P.
    Halawa, K.
    Janiczek, T.
    Kozaczewski, P.
    Rusiecki, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/393760.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polskie Stowarzyszenie Telematyki Transportu
    Tematy:
    intelligent transportation
    system audit
    travel time prediction
    fundamental diagram
    inteligentny transport
    audit systemu
    przewidywanie czasu podróży
    diagram fundamentalny
    Opis:
    Nowadays, in urbanized areas one of the most important matters is to determine a priori the time of driving from one zone of the city to another at various times of the day. The problem of travel time prediction is crucial in Intelligent Transportation Systems. The solution to this problem is a foundation of any route guidance system that will redirect drivers to their target destination via routes that have a lighter traffic load and thus higher travel velocity. In this paper is present a concept of a statistical methodology, developed by the ArsNumerica Group, that enables a quantity audit a travel time prediction algorithm. The methodology assumes that we are given database records of vehicles recognized by their unique identifier as well as duration times for which the messages with the predicted travel time are displayed VMS. the second aspect of ITS auditing considered in this paper is a placement of video cameras to measure vehicle stream velocity. Inappropriate camera location results in the fact that the stream velocity measured by them has a low usefulness for travel time prediction.
    Źródło:
    Archives of Transport System Telematics; 2015, 8, 3; 3-8
    1899-8208
    Pojawia się w:
    Archives of Transport System Telematics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Studies of FR1 and FR2 Defects in GaAs
    Autorzy:
    Dwiliński, R.
    Palczewska, M.
    Kaczor, P.
    Korona, K.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Kamińska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1920972.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    78.50.Ge
    76.30.Mi
    Opis:
    The systematic EPR, optical absorption, photoluminescence and thermally stimulated current studies of acceptor defects in bulk GaAs were performed. For the first time, parallel EPR and optical absorption experiments allowed to find the absorption spectrum due to the photoionization of FR1 defect with the threshold at 0.19 eV. Photoluminescence studies showed two families of bands in the energy range of about 1.25 to 1.35 eV. We tentatively ascribed them to FR1 and FR2 complexes with shallow donors. Thermally stimulated current measurements showed two peaks at 90 K and 110 K assigned to FR1 and FR2 respectively.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 613-616
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Measurements of Low-Temperature InAlAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Kamińska, M.
    Baranowski, J. M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923833.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.60.Br
    78.55.Cr
    Opis:
    Photoluminescence, photocurrent, thermally stimulated current and photoinduced current transient spectroscopy measurements done on molecular beam epitaxy In$\text{}_{0.52}$Al$\text{}_{0.48}$As layer, lattice matched to InP are reported. The investigated layers were grown on semi-insulating InP wafers, at temperature range from 215 to 450°C. It was found that the Fermi level was pinned to a dominant midgap center (most likely similar to EL2 center). Moreover, there were at least 7 other defects but with much smaller concentrations. Their activation energies were equal to 0.076, 0.11, 0.185, 0.295, 0.32 and 0.40 eV. The layers exhibited a very low luminescence and a small photocurrent.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 825-828
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Bożek, R.
    Borysiuk, J.
    Strupinski, W.
    Wysmolek, A.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047919.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.48.Gh
    78.30.Fs
    Opis:
    The Raman scattering studies of multi-layer graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) substrates are presented. Intensity ratio of the D and G bands was used to estimate the average size of the graphene flakes constituting carbon structures. The obtained estimates were compared with flake sizes from atomic force microscopy data. We found that even the smallest structures observed by atomic force microscopy images are much bigger than the estimates obtained from the Raman scattering data. The obtained results are discussed in terms of different average flake sizes inside and on the surface of the multi-layer graphene structure, as well as different type of defects which would be present in the investigated structures apart from edge defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 595-596
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Patriotyzm to miłość Ojczyzny : Wizja Polskiego Patriotyzmu -- konferencja w Sejmie RP
    Autorzy:
    "Janka""Urszula""Teresa" Kulesza-Kurowska, Janina.
    Szatanik, Dominika.
    Bożek, Diana.
    Szycht, Aleksander M.
    Markowski, Damian K.
    Powiązania:
    Biuletyn Informacyjny Światowy Związek Żołnierzy Armii Krajowej. Zarząd Główny, 2007, nr 2, s. 1-3
    Data publikacji:
    2007
    Tematy:
    Konferencja naukowa nt.: Wizja polskiego patriotyzmu (29.11.2006; Warszawa)
    Patriotyzm materiały konferencyjne
    Opis:
    Głosy w dyskusji.
    Fot.
    Dostawca treści:
    Bibliografia CBW
    Artykuł
    Tytuł:
    GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
    Autorzy:
    Bożek, R.
    Babiński, A.
    Baranowski, J. M.
    Stępniewski, R.
    Klusek, Z.
    Olejniczak, W.
    Starowieyski, K.
    Wróbel, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934054.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    68.55.-a
    Opis:
    We report metaloorganic chemical vapour deposition growth of an anisotropic GaSb islands on GaAs (001) surface with a typical dimensions around 200 nm. Results of investigations employing scanning electron microscope, scanning tunnelling microscope and ph9tocapacitance are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 974-976
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spatially Resolved Micro-Luminescence from GaN/AlGaN Quantum Dots
    Autorzy:
    Chwalisz, B.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Stępniewski, R.
    Pakuła, K.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038084.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.66.Fd
    78.67.Hc
    75.75.+a
    68.65.Hb
    Opis:
    We report on the optical experiments performed on low density GaN/AlGaN quantum dots grown on sapphire substrate using SiN during the growth process. The existence of quantum dots in the investigated structures was confirmed by atomic force microscopy. Although macro-luminescence of the investigated structures consist of broad emission lines the micro-photoluminescence experiments performed with the spatial resolution of 0.25 μm revealed sharp emission lines from the individual quantum dot in the energy range of 3.20-3.55 eV. It is shown that the magnetic fields up to 7 T do not influence significantly the electronic states of the dots.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 517-521
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
    Autorzy:
    Chwalisz, B.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Korona, K. P.
    Stępniewski, R.
    Knap, W.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Grandjean, N.
    Massies, J.
    Prystawko, P.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.20.-r
    73.21.-b
    74.40.+k
    Opis:
    Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-28 z 28

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies