Photoreflectance Measurements of InGaAs/GaAs Quantum Wells

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Photoreflectance Measurements of InGaAs/GaAs Quantum Wells
Autorzy:: Tomaszewicz, T.
Korona, K. P.
Bożek, R.
Baranowski, J. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952324.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Bd
73.20.Dx
78.66.Fd
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Samples with InGaAs/GaAs quantum wells were grown by metallo-organic chemical vapour deposition in order to detect and analyze GaSb islands deposited on the surface. Results of photoreflectance measurements of quantum wells are reported. The correspondence between broadening of quantum well transition lines and GaSb structures has been observed.

Informacja

Powiązane pozycje