Photoluminescence, photocurrent, thermally stimulated current and photoinduced current transient spectroscopy measurements done on molecular beam epitaxy In$\text{}_{0.52}$Al$\text{}_{0.48}$As layer, lattice matched to InP are reported. The investigated layers were grown on semi-insulating InP wafers, at temperature range from 215 to 450°C. It was found that the Fermi level was pinned to a dominant midgap center (most likely similar to EL2 center). Moreover, there were at least 7 other defects but with much smaller concentrations. Their activation energies were equal to 0.076, 0.11, 0.185, 0.295, 0.32 and 0.40 eV. The layers exhibited a very low luminescence and a small photocurrent.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE W OKRESIE WAKACYJNYM BIBLIOTEKA BĘDZIE FUNKCJONOWAŁA W ZMIENIONYCH GODZINACH::
od 15 do 31 lipca:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
Czytelnia Działu Zbiorów Specjalnych:
9.00 - 15.00
(poniedziałek-piątek)
od 1 do 31 sierpnia:
BIBLIOTEKA BĘDZIE NIECZYNNA
UWAGA:
Zwrotu wypożyczonych materiałów można dokonać u dyżurującego bibliotekarza w Wypożyczalni Głównej od 9.00 do 15.00.
Na pozycje, których termin zwrotu przypadnie od 1 do 31 sierpnia, wprowadzona zostanie prolongata (nowy termin zwrotu – 6 września).