We report studies on electric field built in GaN/Al$\text{}_{0.09}$Ga$\text{}_{0.91}$N structure of nominally 6 nm wide quantum well. The sample was grown in horizontal metal-organic chemical vapor deposition reactor using innovative technology that decreases the density of screw dislocations. Firstly, using visible and mid infra-red interference pattern along the sample, the layer thickness and consequently the quantum well width was determined to vary linearly with the position. Secondly, photoluminescence spectra was taken at different positions. Correlation of those two measurements allows us to determine the built-in electric field to be 0.66 MV/cm, which is considerably larger than previously reported for similar structures.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00