Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "compact model" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example
Autorzy:
Grabiński, W.
Tomaszewski, D.
Lemaitre, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308862.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
Verilog-AMS
compact model coding
SOI MOSFET
Opis:
The initiative to standardize compact (SPICE-like) modelling has recently gained momentum in the semiconductor industry. Some of the important issues of the compact modelling must be addressed, such as accuracy, testing, availability, version control, verification and validation. Most compact models developed in the past did not account for these key issues which are of highest importance when introducing a new compact model to the semiconductor industry in particular going beyond the ITRS roadmap technological 100 nm node. An important application for non-fully depleted SOI technology is high performance microprocessors, other high speed logic chips, as well as analogue RF circuits. The IC design process requires a compact model that describes in detail the electrical characteristics of SOI MOSFET transistors. In this paper a non-fully depleted SOI MOSFET model and its Verilog-AMS description will be presented.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 135-141
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Double-gate MOSFET Model Implemented in Verilog-AMS Language for the Transient Simulation and the Configuration of Ultra Low-power Analog Circuits
Autorzy:
Smaani, Billel
Meraihi, Yacin
Nafa, Fares
Benlatreche, Mohamed Salah
Akroum, Hamza
Latreche, Saida
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2055208.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
double-gate MOSFET
compact model
ultra low power analog circuits
Opis:
This paper deals with the implementation of a DC and AC double-gate MOSFET compact model in the Verilog-AMS language for the transient simulation and the configuration of ultra low-power analog circuits. The Verilog-AMS description of the proposed model is inserted in SMASH circuit simulator for the transient simulation and the configuration of the Colpitts oscillator, the common-source amplifier, and the inverter. The proposed model has the advantages of being simple and compact. It was validated using TCAD simulation results of the same transistor realized with Silvaco Software.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 4; 609--614
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model
Autorzy:
Chalkiadaki, M. A.
Buchar, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308061.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
compact model
EKV3 model
large-signal
load-pull
MOSFET model
radio frequency
Opis:
This paper presents a validation of the EKV3 MOSFET model under load-pull conditions with high input power at 5.8 GHz, as well as S-parameter measurements with low input power up to 20 GHz. The EKV3 model is able to represent coherently the large- and small-signal RF characteristics in advanced 90 nm CMOS technology. Multifinger devices with nominal drawn gate length of 70 nm are used.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 29-33
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Variation Analysis of CMOS Technologies Using Surface-Potential MOSFET Model
Autorzy:
Mattausch, H. J.
Yumisaki, A.
Sadachika, N.
Kaya, A.
Johguchi, K.
Koide, T.
Miura-Mattausch, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308251.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
compact model
fabrication inaccuracy
field-effect transistor
macroscopic
microscopic
potential at channel surface
silicon
within wafer
Opis:
An analysis of the measured macroscopic withinwafer variations for threshold voltage (Vth) and on-current (Ion) over several technology generations (180 nm, 100 nm and 65 nm) is reported. It is verified that the dominant microscopic variations of the MOSFET device can be extracted quantitatively from these macroscopic variation data by applying the surface-potential compact model Hiroshima University STARC IGFET model 2 (HiSIM2), which is presently brought into industrial application. Only a small number of microscopic parameters, representing substrate doping (NSUBC), pocket-implantation doping (NSUBP), carrier-mobility degradation due to gate-interface roughness (MUESR1) and channel-length variation during the gate formation (XLD) are found sufficient to quantitatively reproduce the measured macroscopic within-wafer variations of Vth and Ion for all channel length Lg and all technology generations. Quantitative improvements from 180 nm to 65 nm are confirmed to be quite large for MUESR1 (about 70%) and Lmin(XLD) (55%) variations, related to the gate-oxide interface and the gate-stack structuring, respectively. On the other hand, doping-related technology advances, which are reflected by the variation magnitudes of NSUBC (30%) and NSUBP (25%), are found to be considerably smaller. Furthermore, specific combinations of extreme microscopic parameter-variation values are able to represent the boundaries of macroscopic fabrication inaccuracies for Vth and Ion. These combinations are found to remain identical, not only for all Lg of a given technology node, but also for all investigated technologies with minimum Lg of 180 nm, 100 nm and 65 nm.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 37-44
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rapid NEGF-based calculation of ballistic current in ultra-short DG MOSFETs for circuit simulation
Autorzy:
Hosenfeld, F.
Horst, F..
Graef, M.
Farokhnejad, A.
Kloes, A.
Iniguez, B.
Lime, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397995.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
ultra-short Double-Gate MOSFET
nonequilibrium Green's function
NEGF
ballistic transport
source-to-drain tunneling
ultra-thin body
UTB
compact model
multi-scale simulation
nierównowagowe funkcje Greena
transport balistyczny
tunelowanie źródło-dren
model kompaktowy
symulacja wieloskalowa
Opis:
Shrinking gate length in conventional MOSFETs leads to increasing short channel effects like source-to-drain (SD) tunneling. Compact modeling designers are challenged to model these quantum mechanical effects. The complexity lies in the set-up between time efficiency, physical model relation and analytical equations. Multi-scale simulation bridges the gap between compact models, its fast and efficient calculation of the device terminal voltages, and numerical device models which consider the effects of nanoscale devices. These numerical models iterate between Poisson- and Schroedinger equation which significantly slows down the simulation performance. The physicsbased consideration of quantum effects like the SD tunneling makes the non-equilibrium Green’s function (NEGF) to a stateof-the-art method for the simulation of devices in the sub 10 nm region. This work introduces a semi-analytical NEGF model for ultra-short DG MOSFETs. Applying the closed-form potential solution of a classical compact model, the model turns the NEGF from an iterative numerical solution into a straightforward calculation. The applied mathematical approximations speed up the calculation time of the 1D NEGF. The model results for the ballistic channel current in DG-MOSFETs are compared with numerical NanoMOS TCAD [1] simulation data. Shown is the accurate potential calculation as well as the good agreement of the current characteristic for temperatures down to 75 K for channel lengths from 6 nm to 20 nm and channel thickness from 1.5 nm to 3 nm.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2016, 7, 2; 65-72
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mesoscale modeling of fracture in cement and asphalt concrete
Autorzy:
Al-Jelawy, Haider M.
Al-Rumaithi, Ayad
Fadhil, Aqeel T.
Naji, Alaa J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/35540382.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
mesoscale model
damage model
fracture energy
cement concrete
asphalt concrete
disk-shaped compact tension test
Opis:
In this paper, mesoscale modeling is performed to simulate and understand fracture behavior of two concrete composites: cement and asphalt concrete using disk-shaped compact tension (DCT) tests. Mesoscale models are used as alternative to macroscale models to obtain better realistic behavior of composite and heterogeneous materials such as cement and asphalt concrete. In mesoscale models, aggregate and matrix are represented as distinct materials and each material has its characteristic properties. Disk-shaped compact tension test is used to obtain tensile strength and fracture energy of materials. This test can be used as a better alternative to other tests such as three points bending tests because it is more convenient for both field and laboratory specimens in addition to its accurate results. Comparing the numerical results of the mesoscale models of cement and asphalt concrete specimens with experimental data shows that these models can predict the behavior of these composite materials very well as seen in the curves of load-crack mouth opening displacement (CMOD). Also, the mesoscale modeling highlights the variability of crack direction where it is dependent on the random distribution of aggregate.
Źródło:
Scientific Review Engineering and Environmental Sciences; 2021, 30, 3; 439-450
1732-9353
Pojawia się w:
Scientific Review Engineering and Environmental Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Propozycja ekonomicznej metody fotogrametrycznej inwentaryzacji zabytków polskiej wsi z wykorzystaniem do rejestracji cyfrowych aparatów fotograficznych
Proposal of the low cost and effective photogrammetric method tact Polish country monuments documentation with digital cameras
Autorzy:
Kosecka, M.
Tokarczyk, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/262231.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
fotogrametria architektoniczna
cyfrowy aparat fotograficzny
fotorealistyczny wirtualny model
architectural photogrammetry
digital compact camera
photorealistic virtual model
Opis:
Zaproponowana w pracy tania i prosta metoda prac terenowych i opracowania wyników pomiaru daje możliwości fotogrametrycznej inwentaryzacji zabytków polskiej prowincji. Oparta jest ona na wykorzystaniu do rejestracji amatorskich, cyfrowych aparatów fotograficznych o wyznaczonych parametrach kalibracji. Nie wymaga umiejętności wykonywania zdjęć stereoskopowych, a co z tym idzie - w późniejszym opracowaniu nie jest wymagany sprzęt umożliwiający przestrzenną obserwację w celu pomiaru zdjęć. Zaproponowana technologia została sprawdzona w wykonaniu trójwymiarowej fotogrametrycznej rekonstrukcji drewnianego zabytkowego młyna w Raciborowicach koło Krakowa. Do opracowania zdjęć, kalibracji aparatu, wykonania obliczeń i sporządzenia wirtualnego modelu obiektu pokrytego rastrem wykorzystano oprogramowanie Orpheus.
A cheap and simple method of terrain measurements and elaboration of measurement results described in this paper gives possibilities of photogrammetric recording of historical objects located at Polish countryside. It is based on the usage of calibrated amateur digital cameras. This method doesn't require any skills in shooting stereoimages, therefore, in further elaborations, the equipment for 3D observations and measurements is not needed. The proposed technology was tested by performing 3D photogrammetric restitution of an ancient wooden mill in Raciborowice, near Cracow. For further measuring images, camera calibration, calculation and bundle adjustment, costruction 3D model filled by raster images, the Orpheus software was used.
Źródło:
Geodezja / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie; 2005, 11, 2; 281-289
1234-6608
Pojawia się w:
Geodezja / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical Investigations Application for Assessment of the Influence of the Spinning Zone Geometry of a Ring Spinning Machine on the Dynamics of Yarn in the Manufacturing Process
Aplikacja badań numerycznych dla oceny wpływu geometrii strefy przędzenia przędzarki obrączkowej na dynamikę przędzy w procesie jej wytwarzania
Autorzy:
Przybyl, K
Jańczyk, R
Kluka, A
Kossowski, Z
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/231801.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
Tematy:
compact spinning
mathematical model
numerical experiment
yarn motion
dynamics
wpływ zmian geometrii
dynamika przędzy
przędzarka obrączkowa
model matematyczny
napięcie przędzy
Opis:
Results of simulation investigations of the influence of changes in the spinning zone geometry of a ring spinning machine on the tension and quality of the yarn manufactured are presented in this study. Changes in the geometry resulted from modification of the conventional drafting system into a compact drafting system. For the investigations, construction parameters of the machine and the technological process of spinning were taken into consideration. Numerical investigations were based on the mathematical model for the dynamics of yarn motion through the twisting-winding unit. Experimental tests were performed on the Polish ring spinning machine type PJ 35, equipped with a conventional drafting system and the author’s compact drafting system. It was shown that changes in the spinning zone geometry on the spinning machine caused by modification of the conventional drafting system into a compact system had no effect on the mean tension value of the yarn. Instead it diminished the amplitude of tension during the revolution around the spindle.
W pracy przedstawiono wyniki badań symulacyjnych wpływu zmiany geometrii strefy przędzenia na przędzarce obrączkowej, na napięcie i jakość tworzonej przędzy. Zmiana geometrii była wywołana modyfikacją klasycznego aparatu rozciągowego w kompaktowy aparat rozciągowy. W badaniach uwzględniono parametry konstrukcje maszyny i technologiczne procesu przędzenia. Eksperymenty numeryczne przeprowadzono w oparciu o model matematyczny dynamiki przędzy przemieszczającej się przez zespół skrętowo-nawojowy. Badania doświadczalne wykonano na polskiej przędzarce obrączkowej, wyposażonej w klasyczny oraz autorski kompaktowy aparat rozciągowy. Wykazano, iż zmiana w geometrii strefy przędzenia przędzarki wywołana modyfikacją klasycznego aparatu do postaci kompaktowej, nie wpłynęła na zmianę średniej wartości napięcia przędzy. Spowodowała zaś zmniejszenie amplitudy zmian chwilowego napięcia przędzy w czasie jej jednego obiegu wokół osi wrzeciona.
Źródło:
Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2013, 1 (97); 41-46
1230-3666
2300-7354
Pojawia się w:
Fibres & Textiles in Eastern Europe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mathematical model-building of rheological and thermodynamical processes in modified concrete mix at vibro impact compact method of compression
Matematicheskoe modelirovanie reologicheskikh i termodinamicheskikh processov v modificiruemojj betonnojj smesti pri vibro-udarnoimpulsom sposobe uplotnenija
Autorzy:
Pilipenko, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/792474.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Komisja Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Tematy:
vibro impact compact compression
thermodynamic process
cementing system
compression
modified mix
Newtonian liquid
mathematical model
Źródło:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa; 2012, 12, 4
1641-7739
Pojawia się w:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mathematical model-building of relax processes taking place in concrete mix at vibro impact compact deformation
Matematicheskoe modelirovanie relaksacionnykh processov, proiskhodjashhikh v betonnojj smesi pri vibro-udarnoimpulsnojj deformacii
Autorzy:
Pilipenko, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/793583.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Komisja Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Tematy:
concrete mix
cementing system
vibro impact compact compression
physical modification
equation
theoretical investigation
mathematical model
Źródło:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa; 2013, 13, 3
1641-7739
Pojawia się w:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
Autorzy:
Grabiński, W.
Bucher, M.
Sallese, J.-M.
Krummenacher, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309312.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultra deep submicron (UDSM) technology
compact modeling
EKV MOS transistor model
MOSFET
matching
low power
RF applications
Opis:
The technology of CMOS large-scale integrated circuits (LSI's) achieved remarkable advances over last 25 year and the progress is expected to continue well into the next century. The progress has been driven by the downsizing of the active devices such as MOSFETs. Approaching these dimensions, MOSFET characteristics cannot be accurately predicted using classical modeling methods currently used in the most common MOSFET models such as BSIM, MM9 etc, without introducing large number of empirical parameters. Various physical effects that needed to be considered while modeling UDSM devices: quantization of the inversion layer, mobility degradation, carrier velocity saturation and overshoot, polydepletion effects, bias dependent source/drain resistances and capacitances, vertical and lateral doping profiles, etc. In this paper, we will discuss the progress in the CMOS technology and the anticipated difficulties of the sub-0.25 žm LSI downsizing. Subsequently, basic MOSFET modeling methodologies that are more appropriate for UDSM MOSFETs will be presented as well. The advances in compact MOSFET devices will be illustrated using application examples of the EPFL EKV model
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 31-42
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recent developments in Qucs-s Equation-Defined modelling of semiconductor devices and IC’s
Autorzy:
Brinson, M.
Kuznetsov, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397783.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
Qucs
Qucs-S
Ngspice
XSPICE Code Models
compact semiconductor device modelling
Equation-Defined Devices
EDD
macromodels
XSPICE Code Model
makromodele
Opis:
The Qucs Equation-Defined Device was introduce roughly ten years ago as a versatile behavioural simulation component for modelling the non-linear static and dynamic properties of passive components, semiconductor devices and IC macromodels. Today, this component has become an established element for building experimental device simulation models. It’s inherent interactive properties make it ideal for device and circuit modelling via Qucs schematics. Moreover, Equation-Defined Devices often promote a clearer understanding of the factors involved in the construction of complex compact semiconductor simulation models. This paper is concerned with recent advances in Qucs-S/Ngspice/XSPICE modelling capabilities that improve model construction and simulation run time performance of Equation-Defined Devices using XSPICE model syntheses. To illustrate the new Qucs-S modelling techniques an XSPICE version of the EPFL EKV v2.6 long channel transistor model together with other illustrative examples are described and their performance simulated with Qucs-S and Ngspice.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 1; 29-35
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analog Circuits Sizing Using the Fixed Point Iteration Algorithm with Transistor Compact Models
Autorzy:
Javid, F.
Iskander, R.
Durbin, F.
Louerat, M.-M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398025.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
IP analogowe
design reuse
graf dwudzielny
model tranzystora
migracja technologii
analog IP
analog sizing
bipartite graphs
transistor compact models
technology migration
Opis:
This paper presents an algorithm, based on the fixed point iteration, to solve for sizes and biases using transistor compact models such as BSIM3v3, BSIM4, PSP and EKV. The proposed algorithm simplifies the implementation of sizing and biasing operators. Sizing and biasing operators were originally proposed in the hierarchical sizing and biasing methodology [1]. They allow to compute transistors sizes and biases based on transistor compact models, while respecting the designer's hypotheses. Computed sizes and biases are accurate, and guarantee the correct electrical behavior as expected by the designer. Sizing and biasing operators interface with a Spice-like simulator, allowing possible use of all available compact models for circuit sizing and biasing over different technologies. A bipartite graph , that contains sizing and biasing operators, is associated to the design view of a circuit, it is the design procedure for the given circuit. To illustrate the effectiveness of the proposed fixed point algorithm, a folded cascode OTA is efficiently sized with a 130nm process, then migrated to a 65nm technology. Both sizing and migration are performed in a few milliseconds.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 7-14
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:
Angelov, G. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:
A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:
Angelov, G. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:
A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies