Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Large-Signal RF Modeling with the EKV3 MOSFET Model
Autorzy:: Chalkiadaki, M. A.
Buchar, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308061.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: compact model
EKV3 model
large-signal
load-pull
MOSFET model
radio frequency
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 29-33
1509-4553
1899-8852
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

This paper presents a validation of the EKV3 MOSFET model under load-pull conditions with high input power at 5.8 GHz, as well as S-parameter measurements with low input power up to 20 GHz. The EKV3 model is able to represent coherently the large- and small-signal RF characteristics in advanced 90 nm CMOS technology. Multifinger devices with nominal drawn gate length of 70 nm are used.

Informacja

Powiązane pozycje