Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "SOI" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 47
Tytuł:
Wymagania dla środków ochrony indywidualnej (SOI) w górnictwie podziemnym
Autorzy:
Lipowczan, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/370737.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wyższa Szkoła Zarządzania Ochroną Pracy w Katowicach
Tematy:
sprzęt ochrony indywidualnej
SOI
klasyfikacja SOI
wybuchowe środowisko pracy
parametry antropometryczne SOI
uniwersalność SOI
personal individualprotector
PIP
classification of PIP
explosives conditions in work environment
anthropometric factors
PIP universality
Opis:
W referacie przedstawiono czynniki determinujące znaczenie stosowania środków ochrony indywidualnej w górnictwie ze szczególnym uwzględnieniem górnictwa podziemnego. Przytoczono klasyfikację SOI. Na tej podstawie omówiono uwarunkowania certy-fikacyjne wynikające z wymagań Unii Europejskiej oraz przedstawiono trzy istotne czynniki charakterystyczne dla górnictwa, które powinny być uwzględniane w procesie wyboru SOI.
The paper presents the importance of personal individual protector (PIP) factors in mining industry with the special stress on coal underground mining. The classification of PIP was quoted in the paper. On these bases the certification conditions which arise from EU directives are also presented. In author opinion there are three main factors which are representative for mining industry and must be taken into account during the selection processes i.e.: explosives conditions in work environment, anthropometric factors of protected population and PIP universality.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Zarządzania Ochroną Pracy w Katowicach; 2009, 1(5); 5-13
1895-3794
2300-0376
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Zarządzania Ochroną Pracy w Katowicach
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology
Autorzy:
Barański, M.
Domański, K.
Grabiec, P.
Grodner, M.
Jaroszewicz, B.
Kociubiński, A.
Kucewicz, W.
Kucharski, K.
Marczewski, J.
Niemiec, H.
Sapor, M.
Tomaszewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308825.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI CMOS technology
pixel detector
test structure
Opis:
This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 85-93
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Trends in hybrid pixel detectors for X-ray imaging using deep submicron VLSI technology
Autorzy:
Drozd, A.
Satława, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/115661.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Fundacja na Rzecz Młodych Naukowców
Tematy:
X-ray imaging
hybrid pixel detectors
3D technologies
SOI technologies
obrazowanie rentgenowskie
hybrydowe detektory pikseli
technologie 3D
technologia SOI
Opis:
The article covers the latest developments in pixel detectors used for X-ray imaging as well as the description of the practical solution – a multichannel integrated circuit dedicated to X-ray imaging. In general introduction a wide range of pixel detector applications is presented. The main part focuses on the challenges and new solutions for the field of X-ray imaging, including 3D integration, silicon-on-insulator and submicron technologies. Since minimization of a pixel size together with implementing more functionality are important issues in the detectors’ and integrated circuits’ design, the aspects of channel-to-channel uniformity and additional effects like charge sharing between pixels are taken into consideration. In the last section, the Authors present the application specific integrated circuit designed in 40 nm technology dedicated to X-ray detection and future prospects are discussed.
Źródło:
Challenges of Modern Technology; 2014, 5, 4; 3-7
2082-2863
2353-4419
Pojawia się w:
Challenges of Modern Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Traduire l'expression «soi-disant» en polonais: le cas des copies d'étudiants
Translation of the expression soi-disant into Polish: a case of students calques
Autorzy:
Dutka-Mańkowska, Anna
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1053091.pdf
Data publikacji:
2003-10-01
Wydawca:
Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu
Tematy:
Expression "soi-disant"
Translation
Opis:
Students' translations into Polish of the French expression soi disant (found in the "Frantext" programme) are considered on two Ievels: that of linguistic means used (modalisers, antonymous modality, apparent reported speech, verb expressions of the type: vouloir/paraitre/passer pour and ways of quoting another discourse (possibility of using explicite/implicite). The semantic and contrastive approach appears to be useful in the description of Polish words (e.g. niejako), particularly difficult from the point of view of the theory of combinations.Translation
Źródło:
Studia Romanica Posnaniensia; 2003, 30; 41-49
0137-2475
2084-4158
Pojawia się w:
Studia Romanica Posnaniensia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs
Autorzy:
Emam, M.
Houri, S.
Vanhoenacker-Janvier, D.
Raskin, J.-P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308245.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
cut-off frequency fT
intrinsic gain
mechanical stress
piezoresistance coefficient
SOI MOSFET
Opis:
This paper presents a complete study of the impact of mechanical stress on the performance of SOI MOSFETs. This investigation includes dc, analog and RF characteristics. Parameters of a small-signal equivalent circuit are also ex- tracted as a function of applied mechanical stress. Piezoresistance coefficientis shown to be a key element in describing the enhancement in the characteristics of the device due to mechanical stress.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 18-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The CFD analysis of influence the start of fuel injection (SOI) on combustion parameters and exhaust gas composition of the marine 4-stroke engine
Autorzy:
Kowalski, Jerzy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/133899.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Naukowe Silników Spalinowych
Tematy:
marine four-stroke engine
NOx emission
CFD model
combustion
SOI
start of injection angle
czterosuwowy silnik okrętowy
emisja NOx
model CFD
spalanie
kąt początku wtrysku
Opis:
The paper presents a theoretical analysis of the impact of injection timing on the parameters of the combustion process and the composition of exhaust gas from a 4-stroke engine designed to shipbuilding. The analysis was carried out based on a three-dimensional multi-zone model of the combustion process. This model has been prepared on the basis of properties of the research facility. The input data to the model were obtained through laboratory tests. Results of calculations showed that the change of the start of injection angle (SOI) from the value of 14 degrees before TDC to 22 degrees before TDC results in changes in the combustion rate and thus an increase in the temperature of the combustion process as well as the increase of nitric oxides fraction in the exhaust gas. Simultaneously the maximum combustion pressure increases also.
Źródło:
Combustion Engines; 2019, 58, 2; 40-45
2300-9896
2658-1442
Pojawia się w:
Combustion Engines
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Symulacyjne badania porównawcze metod identyfikacji struktur liniowych okresowo zmiennych w czasie
Identification and modeling of LPTV systems - referenced experiments
Autorzy:
Staroszczyk, Z.
Figoń, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151428.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
model LPTV
filtr SOI
odpowiedź impulsowa
identyfikacja
interpolacja
LPTV model
FIR filter
impulse response
identification
interpolation
Opis:
W referacie przedstawiono przykład okresowo zmiennego w czasie obiektu liniowego (LPTV linear periodical time variant) i wyniki jego modelowania z wykorzystaniem modeli uproszczonych, niezmiennych w czasie (LTI) oraz modelu LPTV. Modele wypracowywane są poprzez nieliczne eksperymenty identyfikacyjne, rozwijane poprzez interpolacje do dwuwymiarowej macierzy odpowiedzi impulsowych w przypadku korzystania z modelowania LPTV. Pokazano ograniczenie jakości aproksymacji obiektu modelem LTI w stosunku do modelu LPTV. Porównano jakość dwu różnych metod identyfikacji modelu LPTV uzyskując w obydwu przypadkach prawidłowy opis obiektu. Wykazano możliwość praktycznego identyfikowania i modelowania obiektów LPTV z dużą dokładnością.
In the paper detailed studies on identification and modeling of LPTV system are presented. The object of investigations is a FIR lowpass filter with periodically tuned cut-off frequency (Fig. 1), The LPTV systems was identified and modeled with the use of a simplified LTI model (Fig. 4), and with the full LPTV system modeling (Fig. 2, 3). For LPTV modeling the interpolations on a few identification experiments data had to be performed to obtain full two-dimensional impulse response required by the model. The quality of model was verified by referencing the system and its model responses for different input signal excitations. There is no essential discrepancy between the model and the object output signals (Fig. 2, 3, 5). The obtained results confirm that there is a practical method of LPTV system identification and modeling with a very good accuracy. The LPTV model is much superior to any of the LTI models which can be used to approximate the time-varying reality with time invariant methods.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9, 9; 55-57
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example
Autorzy:
Grabiński, W.
Tomaszewski, D.
Lemaitre, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308862.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
Verilog-AMS
compact model coding
SOI MOSFET
Opis:
The initiative to standardize compact (SPICE-like) modelling has recently gained momentum in the semiconductor industry. Some of the important issues of the compact modelling must be addressed, such as accuracy, testing, availability, version control, verification and validation. Most compact models developed in the past did not account for these key issues which are of highest importance when introducing a new compact model to the semiconductor industry in particular going beyond the ITRS roadmap technological 100 nm node. An important application for non-fully depleted SOI technology is high performance microprocessors, other high speed logic chips, as well as analogue RF circuits. The IC design process requires a compact model that describes in detail the electrical characteristics of SOI MOSFET transistors. In this paper a non-fully depleted SOI MOSFET model and its Verilog-AMS description will be presented.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 135-141
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors
Autorzy:
Ohata, A.
Ritzenthaler, R.
Faynot, O.
Cristoloveanu, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308994.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOSFET
SOI
ultra-thin silicon
multiple-gate
mobility
coupling effect
thin gate oxide
gate-induced floating body effect
drain-induced virtual substrate biasing
Opis:
State-of-the-art SOI transistors require a very small body. This paper examines the effects of body thinning and thin-gate oxide in SOI MOSFETs on their electrical characteristics. In particular, the influence of film thickness on the interface coupling and carrier mobility is discussed. Due to coupling, the separation between the front and back channels is difficult in ultra-thin SOI MOSFETs. The implementation of the front-gate split C-V method and its limitations for determining the front- and back-channel mobility are described. The mobility in the front channel is smaller than that in the back channel due to additional Coulomb scattering. We also discuss the 3D coupling effects that occur in FinFETs with triple-gate and omega-gate configurations. In low-doped or tall fins the corner effect is suppressed. Narrow devices are virtually immune to substrate effects due to a strong lateral coupling between the two lateral sides of the gate. Short-channel effects are drastically reduced when the lateral coupling screens the drain influence.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 14-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
SOI nanodevices and materials for CMOS ULSI
Autorzy:
Palestra, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308998.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ballistic transport
gate misalignment
GIFBE
mobility enhancement
SOI
strain engineering
tunneling current
Opis:
A review of recently explored new effects in SOI nanodevices and materials is given. Recent advances in the understanding of the sensitivity of electron and hole transport to the tensile or compressive uniaxial and biaxial strains in thin film SOI are presented. The performance and physical mechanisms are also addressed in multi-gate Si, SiGe and Ge MOSFETs. The impact of gate misalignment or underlap, as well as the use of the back gate for charge storage in double-gate nanodevices and of capacitorless DRAMare also outlined.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 3-13
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Silicon-on-Insulator technology for imaging and application to a switching photodetector
Autorzy:
Abdo, N.
Sallin, D.
Koukab, A.
Estribeau, M.
Magnan, P.
Kayal, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397865.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
photodetectors
silicon-on-insulator
fotodetektory
SOI
Opis:
This paper analyzes some advantages of Silicon-on-Insulator (SOI) based photodetectors for low light imaging. It shows that SOI based sensors not only solve the bulk carriers problem, it can also act as a very selective spectral filter by acting as a resonant cavity, which is useful in application with a very narrow spectrum of interest, such as bioluminescence imaging. The SOI implementation of a switching photodetector based with an hybrid MOS-PN structure is presented and its advantages in terms of dark current minimization and SNR improvement highlighted.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 4; 136-141
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading
Autorzy:
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Pióro, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308029.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOSFET
scaling
SiGe
SOI
Opis:
The paper briefly presents the history of microelectronics and the limitations of its further progress, as well as possible solutions. The discussion includes the consequences of the reduction of gate-stack capacitance and difficulties associated with supply-voltage scaling, minimization of parasitic resistance, increased channel doping and small size. Novel device architectures (e.g. SON, double-gate transistor) and the advantages of silicon-germanium are considered, too.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 7-14
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers
Autorzy:
Walczak, J.
Majkusiak, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308021.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ultrathin SOI
scattering mechanisms
electron mobility
Opis:
Main scattering mechanisms affecting electron transport in MOS/SOI devices are considered within the quantum-mechanical approach. Electron mobility components (i.e., phonon, Coulomb and interface roughness limited mobilities) are calculated for ultrathin symmetrical DG SOI transistor, employing the relaxation time approximation, and the effective electron mobility is obtained showing possible mobility increase relative to the conventional MOSFET in the range of the active semiconductor layer thickness of about 3 nm.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 39-49
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reliability of deep submicron MOSFETs
Autorzy:
Balestra, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307658.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
bulk MOSFETs
SOI devices
deep submicron
transistors
reliability
Opis:
In this work, a review of the reliability of n- and p-channel Si and SOI MOSFETs as a function of gate length and temperature is given. The main hot carrier effects and degradation are compared for bulk and SOI devices in a wide range of gate length, down to deep submicron. The worst case aging, defice lifetime and maximum drain bias that can be applied are addressed. The physical mechanisms and the emergence of new phenomena at the origin of the degradation are studied for advanced MOS transistors. The impact of the substrate bias is also outlined.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 12-17
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs
Autorzy:
Hall, S.
Buiu, O.
Ashburn, P.
de Groot, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308031.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
vertical MOSFET
HBT
SOI
Opis:
There is a well recognised need to introduce new materials and device architectures to Si technology to achieve the objectives set by the international roadmap. This paper summarises our work in two areas: vertical MOSFETs, which can allow increased current drive per unit area of Si chip and SiGe HBT's in silicon-on-insulator technology, which bring together and promise to extend the very high frequency performance of SiGe HBT's with SOI-CMOS.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 26-35
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 47

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies