The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs
Autorzy:: Emam, M.
Houri, S.
Vanhoenacker-Janvier, D.
Raskin, J.-P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308245.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: cut-off frequency fT
intrinsic gain
mechanical stress
piezoresistance coefficient
SOI MOSFET
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 18-24
1509-4553
1899-8852
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

This paper presents a complete study of the impact of mechanical stress on the performance of SOI MOSFETs. This investigation includes dc, analog and RF characteristics. Parameters of a small-signal equivalent circuit are also ex- tracted as a function of applied mechanical stress. Piezoresistance coefficientis shown to be a key element in describing the enhancement in the characteristics of the device due to mechanical stress.

Informacja

Powiązane pozycje