Main scattering mechanisms affecting electron transport in MOS/SOI devices are considered within the quantum-mechanical approach. Electron mobility components (i.e., phonon, Coulomb and interface roughness limited mobilities) are calculated for ultrathin symmetrical DG SOI transistor, employing the relaxation time approximation, and the effective electron mobility is obtained showing possible mobility increase relative to the conventional MOSFET in the range of the active semiconductor layer thickness of about 3 nm.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00