Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zakrzewski, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 31
Tytuł:
On the Symmetry of the Sulfur Pair-Related Defect in Silicon
Autorzy:
Bennebroek, M. T.
Zakrzewski, A.
Frens, A. M.
Schmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929739.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.Lh
71.55.Ht
Opis:
A sulfur-related-pair defect in silicon has been studied with optically detected magnetic resonance spectroscopy. Measurement of the angular dependence of the optically detected magnetic resonance signals supplemented by the analysis of the spectrum "quality" yield to the conclusion that the point group symmetry of the defect studied is C$\text{}_{1h}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 725-728
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cubic MnTe - Growth by Molecular Beam Epitaxy and Basic Structural Characterization
Autorzy:
Zakrzewski, A.
Janik, E.
Dynowska, E.
Leszczyński, M.
Kutrowski, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873112.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
68.55.Bd
68.55.Jk
Opis:
We report on growth by molecular beam epitaxy of thick layers of MnTe with zinc blende structure. Films as thick as 5.6 µm were obtained. Characterization by X-ray diffraction proved their good structural quality. We determined the lattice constant and its temperature dependence. Broad luminescence due to internal Mn$\text{}^{2+}$- transitions was observed. It showed an unexpected temperature dependence.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 433-436
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Electron Traps in CdTe:In Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Żakrzewski, A. K.
Dobaczewski, L.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934051.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
73.61.Ga
Opis:
N-type indium doped CdTe grown on n$\text{}^{+}$-GaAs by molecular beam epitaxy has been studied by the standard deep level transient spectroscopy and the isothermal Laplace-transform deep level transient spectroscopy. It was found that the Cd/Te flux ratio strongly influences the deep level transient spectroscopy results. The unusual temperature dependence of the electron emission rate in films grown at nearly stoichiometric conditions may point out that the observed defect is resonant with the conduction band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 961-964
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Digital Magnetic Quantum Wells for the Study of Interface Sharpness of Molecular Beam Epitaxy Grown Structures
Autorzy:
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Żakrzewski, A.
Kutrowski, M.
Janik, E.
Dynowska, E.
Kopalko, K.
Kret, S.
Kossut, J.
Laval, J. Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931933.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
78.55.Et
Opis:
We report on the growth and basic characterization of digital magnetic quantum wells, that is, quantum wells in which the well material is itself a short period superlattice composed of alternating diluted magnetic and nonmagnetic semiconductor layers each only a few monolayers thick. These novel structures can be useful in a variety of studies, including studies of barrier-well interface sharpness.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 165-168
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts to n-Type and High Resistivity CdTe
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Guziewicz, M.
Gierlotka, S.
Papis, E.
Łusakowski, J.
Szadkowski, K.
Kwiatkowski, S.
Dietl, T.
Grabecki, G.
Jaroszyński, J.
Karczewski, G.
Zakrzewski, A. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873052.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The interaction between CdTe and In during the formation of an ohmic contact has been investigated. Emphasis is placed on the study of the effect of thermally induced sublimation of cadmium on electrical properties of contacts. Presented results prove the effectiveness of cap annealing and rapid thermal processing in fabrication of improved ohmic contacts with limited Cd losses during the contacting procedure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 411-414
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Energy Level Position of Ni and Band Offsets in Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Sc:Ni and ZnS$\text{}_{x}$Sc$\text{}_{1-x}$:Ni
Autorzy:
Surkova, T.
Giriat, W.
Godlewski, M.
Kaczor, P.
Zakrzewski, A. J.
Permogorov, S.
Tenishev, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934015.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Wc
71.55.Gs
Opis:
Absorption and reflectivity measurements have been carried out for Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Se:Ni and ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Ni solid solutions. Energy level positions of nickel 2+/1+ charge state have been used for estimation of band offsets for the valence and conduction bands of ZnCdSe/ZnSe and ZnSSe/ZnSe. Intra-shell transitions of Ni$\text{}^{2+}$ were also studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 925-928
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Indium Doping of CdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Karczewski, G.
Zakrzewski, A.
Kutrowski, M.
Jaroszyński, J.
Dobrowolski, W.
Grodzicka, E.
Janik, E.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Barcz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932089.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
73.61.Ga
Opis:
We report on n-type indium doping of CdTe films grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrates. By adjusting the flux of In atoms we can precisely control the carrier concentration over three orders of magnitude - from 8 × 10$\text{}^{14}$ up to 1.3 × 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. In agreement with earlier reports we confirmed that Cd overpressure plays an important role in the doping process. The doping appears to be most effective for Cd/Te pressure ratio of 1.5. For this value of Cd/Te pressure ratio essentially 100% efficiency of doping is achieved at low In concentrations (< 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$). At higher In concentrations acceptor impurities compensate shallow donors limiting the concentration of free carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 241-244
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Lattice Parameter Relaxation during MBE of ZnTe/Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{0.5}$Zn$\text{}_{0.5}$Te Buffer Layers by RHLED and HRTEM
Autorzy:
Kret, S.
Karczewski, G.
Zakrzewski, A.
Dłużewski, P.
Dubon, A.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Delamarre, C.
Laval, J. Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933838.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Bg
61.14.Hg
68.35.-p
Opis:
The dynamics of the lattice relaxation processes were investigated using a reflection of a high energy electron diffraction analysis system during growth by molecular beam epitaxy of ZnTe/Cd$\text{}_{1-x}$Ζn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{0.5}$Mn$\text{}_{0.5}$Te buffers on GaAs substrates. The variation of the lattice parameter recorded by the high energy electron diffraction during the growth was later confirmed by an analysis of high resolution transmission electron microscopy images. We report also on an observation of oscillations of the lattice parameter during the deposition of several first layers of ZnTe on CdTe.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 795-798
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence Decay in Deep Quantum Wells CdTe/Cd_{0.5}Mn_{0.5}Te at Room Temperature
Autorzy:
Kowalczyk, L.
Fancey, S.
Buller, G.
Massa, J.
Kutrowski, M.
Janik, E.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Zakrzewski, A.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876908.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Hf
78.47.+p
78.55.Et
Opis:
Time-resolved photoluminescence was used to study exciton recombination in deep CdTe/Cd_{0.5}Mn_{0.5}Te single quantum well. The width of the investigated well was 100 A. The study was performed at room temperature. The lifetime of the exciton determined in this work has a value comparable to that observed in shallow CdTe/Cd_{0.85}Mn_{0.15}Te quantum wells. A strong enhancement of the photoluminescence decay time with increasing intensity of the exciting laser beam is observed which is indicative of saturation of the non-radiative recombination centers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 508-513
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Characterization of Molecular Beam Epitaxy Grown $Cd_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Structures
Autorzy:
Sawicki, M.
Kolesnik, S.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Janik, E.
Kutrowski, M.
Żakrzewski, A.
Dynowska, E.
Dietl, T.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931934.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.-y
75.50.Rr
75.50.Ee
Opis:
The paper reports on the application of SQUID magnetometry to probe magnetic ion distribution in epilayers and at interfaces of diluted magnetic semiconductors. We present also new results on the possible influence of the magnetic confinement on the formation of the spin-glass phase, and on antiferromagnetic phase transition in zinc-blende MnTe.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 169-172
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Studies of Ni doped ZnS and ZnSe
Autorzy:
Surma, M.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932084.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.He
78.55.Et
Opis:
The results of electron spin resonance experiments are presented for nickel doped ZnS and ZnSe. Energy level position of Ni$\text{}^{1+}$ state in band gap of ZnS and ZnSe is determined. The nonradiative recombination processes of donor-acceptor pairs in Ni doped samples are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 221-224
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spatial Correlations of Donor Charges in MBE CdTe
Autorzy:
Suski, T.
Wiśniewski, P.
Litwin-Staszewska, E.
Wasik, D.
Przybytek, J.
Baj, M.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Zakrzewski, A.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934021.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
71.55.Gs
Opis:
We present experimental evidence that at high pressures indium donors in CdTe localize electrons in spatially correlated manner. We have studied Hall mobility, μ$\text{}_{H}$, as a function of electron concentration, n$\text{}_{H}$, at T=77 K. Changes of n$\text{}_{H}$ have been achieved by two methods. High pressure freeze-out of electrons onto localized states of In-donors leads to the mobility enhancement with respect to the situation when n$\text{}_{H}$ has been modified by means of a subsequent annealing of the sample. As a result, depending on the degree of spatial correlations in the impurity charges arrangement, different values of μ$\text{}_{H}$ correspond to the same value of n$\text{}_{H}$. The variation of mobility with electron concentration suggests that the localized state of In-donor represents likely negatively charged DX state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 929-932
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Temperature Study of Photoluminescence from Deep CdTe/Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Quantum Wells
Autorzy:
Kutrowski, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kopalko, K.
Zakrzewski, A. K.
Janik, E.
Grasza, K.
Łusakowska, E.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876361.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
78.55.Et
Opis:
The photoluminescence studies in CdTe/CdMnTe quantum wells are reported in the temperature range 10-300 K. The MnTe concentration in the barriers is x = 0.3, 0.5, 0.63 and 0.68. Thus the potential wells in our samples are very deep, of the order of ≈ 800 meV in the conduction band and ≈ 200 meV in the valence band in the case of the x = 0.68 sample. In spite of the large lattice mismatch (related to high x value) between the wells and the barriers the observed line widths are as narrow as 2 meV in the case of 100 Å. Clear manifestations of internal strain are observed. In particular, the temperature coefficient of the luminescence energies shows strong dependence on the width of wells.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 500-504
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transmission SecondHarmonic Generation in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te at 1.064 µm
Autorzy:
Koziarska, B.
Kowalczyk, L.
Suchocki, A.
Wojtowicz, T.
Zakrzewski, A. K.
Karczewski, G.
Janik, E.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873081.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.65.Ky
68.70.+w
Opis:
Second harmonic generation, created by nanosecond Nd : YAG laser pulses at 1.064 µm with relatively low intensity in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te bulk crystals and thin layers was measured in transmission geometry. The effect practically occurs in a very thin surface layer of the material and it is used as a relatively straightforward method of layer quality characterization. It is shown that the angular dependence of the second harmonic generation intensity in thin layers of CdTe with good crystallographic (and optical) quality agrees very well with the theory in contrary to the samples with some distortions from the ideal structure which exhibits large distortions from the theory.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 423-426
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-Electron DX State in CdTe:In
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Wiśniewski, P.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Wilamowski, Z.
Zakrzewski, A. K.
Karczewski, G.
Jantsch, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952096.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
73.61.Ga
Opis:
In this paper we investigate electron emission/capture from/to the DX state of indium in CdTe by means of high pressure freeze-out cycle and steady-state photo-conductivity experiments. The results indicate that the DX state is occupied by two electrons. A comparison with deep level transient spectroscopy data shows that two-electron emission occurs at low temperatures, while one-electron emission takes place at high temperatures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 927-930
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 31

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies