We present experimental evidence that at high pressures indium donors in CdTe localize electrons in spatially correlated manner. We have studied Hall mobility, μ$\text{}_{H}$, as a function of electron concentration, n$\text{}_{H}$, at T=77 K. Changes of n$\text{}_{H}$ have been achieved by two methods. High pressure freeze-out of electrons onto localized states of In-donors leads to the mobility enhancement with respect to the situation when n$\text{}_{H}$ has been modified by means of a subsequent annealing of the sample. As a result, depending on the degree of spatial correlations in the impurity charges arrangement, different values of μ$\text{}_{H}$ correspond to the same value of n$\text{}_{H}$. The variation of mobility with electron concentration suggests that the localized state of In-donor represents likely negatively charged DX state.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00