Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Z.R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-50 z 1469
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Lateral Overgrowth - a Tool for Dislocation Blockade in Multilayer Systems
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969007.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
81.15.Lm
68.60.Bs
61.72.Ff
Opis:
Results on epitaxial lateral overgrowth of GaAs layers are reported. The methods of controlling the growth anisotropy, the effect of substrate defects filtration in epitaxial lateral overgrowth procedure and influence of the mask on properties of epitaxial lateral overgrowth layers will be discussed. The case of GaAs epitaxial lateral overgrowth layers grown by liquid phase epitaxy on heavily dislocated GaAs substrates was chosen as an example to illustrate the processes discussed. The similarities between our results and those reported recently for GaN layers grown laterally by metallorganic vapour phase epitaxy will be underlined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 219-227
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Substrate Defects Filtration During Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968454.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
Opis:
Results on the growth of GaAs on (001) GaAs substrates by the epitaxial lateral overgrowth technique are reported. We show that the ratio of normal to lateral growth rates in the epitaxial lateral overgrowth process can be controlled by the crystallographic orientation of the seeds and by Si adding to the melt. Experimental data showing that the dislocations threading from the substrate are efficiently filtered and cannot propagate to the epitaxial lateral overgrowth layers are presented. These findings prove that the epitaxial lateral overgrowth process is the powerful method to grow epilayers with low dislocation density on high dislocation density substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1079-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of optical-microwave mixing process in electro-optical modulators
Autorzy:
Galwas, B.A.
Szczepaniak, Z.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308368.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
electro-optical modulator
nonlinear effects
microwave-optical mixing
Opis:
The principle of operation and the general parameters of the electro-optical Mach-Zehnder modulators are reminded in the paper. With the use of the mathematical relationships describing the transmission of the optical signal through the modulator, the theoretical model of the optical signal transmission with two modulating signals at two frequencies will be presented. The theoretical relationships describing the efficiency of the optical-microwave mixing and frequency multiplying in the two-tone operation will be derived. The analysis and the simulations will be performed for different operating points, where the nonlinearity of the transmission characteristic is specially strong.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 2; 57-63
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-devices for optical controlling of microwave circuits
Autorzy:
Szczepaniak, Z.R.
Galwas, B.A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309090.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microwave optoelectronic switch
photodiode
phototransistor
Opis:
The most important optical devices which can be used for controlling microwave circuits will be presented in the paper. The performance and the parameters of the devices such as semiconductor microwave optoelectronic switches, photodiodes and phototransistors were described. The influence of the optical illumination on their microwave parameters will be described in details, including the our own investigations and simulations results. Several applications of such devices and their potential possibilities will be presented.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 3; 86-94
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fault detection and isolation for power electronic systems featuring parameter uncertainty
Detekcja i lokalizacja uszkodzeń układu energoelektronicznego zawierającego niedokładnie określone parametry
Autorzy:
Juszczyk, W.
Kich, Z.R.
Zając, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159700.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
system diagnostyczny
układy energoelektroniczne
Opis:
An assumption was made in this paper that monitoring both the converter and its control means actually continuous formulation (i.e. repeatedly) of diagnoses of their states automatically via a suitable computer diagnostic system. In other words it is diagnosing on-line carried out in real time. The authors assume that mainly the operating signals are used for diagnostic purposes since it is not recommendable to disturb the process with any additional test signals. This paper presents a fault detection and isolation scheme for systems with modeling uncertainties where not all the state variables are measurable. The proposed fault diagnosis architecture consists of a fault detection estimator and a set of isolation estimators. Each estimator corresponds to a specific fault type. Employing orthogonal transforms made it possible to depict the power electronics state variable in terms of appropriate linear combination of base functions, so far approximated by a time set. There were families of binary orthogonal Walsh and Haar functions used in the investigation. The presented approach may be considered a numeric-analytical method. The investigation of power electronic converter signals was carried out using fast processing algorithms.
W pracy przyjęto, że monitorowanie przekształtnika i jego sterowania jest prowadzone w sposób ciągły (cyklicznie) poprzez automatyczne formułowanie diagnoz jego stanu przez komputerowy system diagnostyczny. Innymi słowy diagnozowanie jest prowadzane w czasie rzeczywistym. Autorzy zakładali, że jako sygnały diagnostyczne użyte będą sygnały procesu, ponieważ wprowadzanie dodatkowych sygnałów testowych mogło by zakłócać jego dynamikę. Praca przedstawia układ wykrywania i lokalizacji uszkodzeń układu energoelektronicznego zawierającego niedokładnie określone parametry przy braku możliwości pomiaru wszystkich zmiennych stanu. Zaproponowana architektura diagnostyki uszkodzeń obejmuje estymator ich wykrywania oraz zbiór estymatorów lokalizacji. Każdy estymator lokalizacji odpowiada konkretnemu typowi uszkodzenia. Zastosowanie przekształceń ortogonalnych umożliwia przedstawienie zmiennej stanu układu energoelektronicznego w postaci odpowiednich kombinacji liniowej funkcji bazowych, dotychczas aproksymowanej szeregiem czasowym. W badaniach zastosowano rodziny binarnych funkcji ortogonalnych Walsha i Haara. Opisane podejście można zaliczyć do metod analityczno - numerycznych. Badanie własności sygnałów przekształtników energoelektronicznych przeprowadzono w oparciu o opracowane przez autorów algorytmy szybkich przekształceń.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2003, 218; 61-78
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tolerance of Paramysis lacustris and Limnomysis benedeni (Crustacea, Mysida) to sudden salinity changes: implications for ballast water treatment
Autorzy:
Ovcarenko, I.
Audzijonyte, A.
Gasiunaite, Z.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/48901.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Oceanologii PAN
Tematy:
experiment
Curonian Lagoon
Ponto-Caspain mysid
mysid
Paramysis lacustris
Baltic Sea
Crustacea
Sopot
invasive species
conference
Mysida
Limnomysis benedeni
salinity tolerance
Opis:
In order to draw implications for ballast water management, we tested the tolerance of two Ponto-Caspian mysid species Paramysis lacustris and Limnomysis benedeni to sudden salinity changes. The naturally stenohaline P. lacustris was more susceptible to higher salinities; its mortality rate at 19 PSU was 60%, whereas exposure to 23 PSU was 100% lethal. The euryhaline L. benedeni survived in salinities of up to 19 PSU, but experienced 100% mortality at 34 PSU. The return of both mysid species to fresh water after the 24 h exposure to higher salinities did not prevent further mortality. Considering the rather high short-term salinity tolerance of both species, a salinity of at least 30 PSU should be used as an appropriate biocide.
Źródło:
Oceanologia; 2006, 48, S
0078-3234
Pojawia się w:
Oceanologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:
A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fault detection in power electronics systems based on qualitative and quantitative models
Detekcja uszkodzeń w układach energoelektronicznych oparta na modelach jakościowych i ilościowych
Autorzy:
Juszczyk, W.
Kich, Z.R.
Zając, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158608.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Opis:
It is assumed in this paper that monitoring both the converter and its control states means continuous formulation (i.e. in a repeatable way) of a diagnosis of the plant's state automatically via a suitable computer diagnostic system. In other words it is on-line diagnosing carried out in real time. The authors assume that mainly the operating signals are used for diagnostic purposes since it is not recommendable to disturb the process with any additional test signals. Implementation of the orthogonal expansion made it possible to depict the system state approximated by a sequence of its values' observations in a form of some linear combination of basic functions. Complete families of binary orthogonal Walsh and Haar functions are emploed. The employed research methods may be considered numeric-analytical ones. The investigation of the signal properties in power electronics inverters was carried out using fast processing algorithms (both in serial and parallel modes). Along with the simulational modeling the presented approach made it possible to execute a complex fault detection and isolation for a typical arrangement of the inverter. The fast transform algorithm used in this paper is based on the Haar matrix factorization.
Przyjęto, że monitorowanie stanu wybranego przekształtnika i jego układu sterowania jest powtarzalnym cyklicznie w sposób automatyczny komputerowym formułowaniem diagnoz o jego stanie. Innymi słowy jest to diagnozowanie prowadzone na bieżąco w czasie rzeczywistym. Autorzy założyli, że do celów diagnostyki układów energoelektronicznych wykorzystywane są głównie sygnały robocze, niewskazanym jest bowiem zakłócanie procesu dodatkowymi sygnałami testowymi. Przedstawione typowe schematy możliwych testów diagnostycznych używanych do oceny własności wybranych sygnałów przekształtnika, oraz sklasyfikowano spotykane w literaturze metody detekcji uszkodzeń, które mogą znaleźć zastosowanie do oceny niezawodności działania podobnych układów energoelektronicznych. Przedstawiono schemat blokowy procesu monitorowania przekształtnika. Szczególną uwagę zwrócono na przyczyny istnienia opóźnień czasowych powstawania symptomów. Sklasyfikowano czynniki od których zależą te opóźnienia. Zaproponowano formalizację opisu stanu pracy przekształtnika i opisu możliwych testów diagnostycznych. Do badań wybrano testy oparte na zastosowaniu analizy spektralnej sygnałów. Obiektem badań był typowy prostownik sterowany. Zastosowanie teorii rozwinięć ortogonalnych umożliwiło przedstawienie stanu układu aproksymowanego ciągiem obserwacji jego wartości w postaci pewnej kombinacji liniowej funkcji bazowych. W badaniach zastosowano pełne rodziny binarnych funkcji ortogonalnych Walsha i Haara. Użyty w tej pracy algorytm szybkiego przekształcenia oparto na faktoryzacji macierzy Haara. Zastosowane metody badawcze można zaliczyć do metod numeryczno-analitycznych. Badania własności sygnałów prostownika przeprowadzono w oparciu o wykorzystanie szybkich algorytmów przetwarzania (w wersjach szeregowej i równoległej). Wykazały one swą przydatność dla formułowania diagnoz o miejscach i zakresach pojawiania się typowych uszkodzeń w zasilaniu, sterowaniu czy też obciążeniu prostownika. W połączeniu z modelowaniem symulacyjnym prezentowane podejście pozwoliło na przeprowadzenie kompleksowego procesu detekcji i lokalizacji uszkodzeń dla typowego układu prostownika sterowanego.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2002, 211; 167-202
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena wybranych odmian jeczmienia jarego [Hordeum vulgare L.], zgromadzonych w banku genow, pod wzgledem odpornosci na maczniaka prawdziwego [Erysiphe graminis f.sp. hordei]
Autorzy:
Nadziak, J
Malysa, M.
Bilinski, Z.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/810149.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
odpornosc na choroby
Erysiphe graminis f.sp.hordei
hodowla roslin
choroby roslin
maczniak prawdziwy
odpornosc roslin
choroby grzybowe
jeczmien jary
odmiany roslin
banki genow
Opis:
W przeprowadzonych w latach 1996-1998 trzech doświadczeniach polowych badano odporność jęczmienia jarego na mączniaka prawdziwego (Erysiphe graminis f. sp. hordei). Łącznie przebadano 120 form dwurzędowych jęczmienia i 26 form wielorzędowych. Odporność badanych genotypów określono poprzez powierzchnię pod krzywą rozwoju choroby w sezonie wegetacji. Testowane w 3 doświadczeniach odmiany jęczmienia istotnie różniły się pod względem odporności polowej na mączniaka prawdziwego. Część badanych genotypów posiadała zidentyfikowane główne geny odporności o zróżnicowanej efektywności. Natomiast odporność części odmian może mieć charakter rasowo- niespecyficzny. We wszystkich 3 doświadczeniach można wyróżnić odmiany o wysokim poziomie odporności na mączniaka prawdziwego. Stanowić one mogą cenne źródła dla hodowli odpornościowej i powinny być wykorzystywane w programach hodowlanych.
Spring barley resistance to powdery mildew (Erysiphe graminis f. sp. hordei) was estimated in 3 field experiments during 3 years. 120 two-row and 26 six-row spring barley varieties were tested for mildew resistance. The level of powdery mildew severity was determined by the area under disease progress curve. The tested varieties signifficantly differed in the level of resistance to powdery mildew. Some of the varieties have the major resistance genes of differentiated effectivenes. However, there were also the varieties the resistance of which was not race-specific. The experiments showed that among the tested barley varieties collected in the gene bank there are genotypes of high resistance to powdery mildew. These varieties may beavaluable source of resistance breeding and should be included into breeding programmes.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1998, 463; 423-435
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoinduced Defects Creation on Sulfur Passivated Surface of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Gomez, D.
Briones, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968456.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Dv
68.45.Da
Opis:
We report on photoinduced defect creation on the sulfurized (100) GaAs surface. The process manifests itself by unrecoverable temporal decrease in the photoluminescence intensity of the GaAs surface treated by (NH$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$S$\text{}_{x}$ solution. The results are discussed in terms of a photoinduced process of the As$\text{}_{Ga}$ antisite generation on the sulfurized surface of GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Faraday Rotation in Multiple Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:
Dudziak, E.
Bożym, J.
Pruchnik, D.
Wasilewski, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952529.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
73.20.Dx
78.66.Fd
Opis:
We report on the results of first measurements of the Faraday rotation of modulated n-doped multiple quantum wells of GaAs/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.312). The measurements have been performed in the magnetic fields up to 13 T at the temperature of 2 K, in the spectral region of interband transitions. A rich structure of magneto-excitons has been found in the measured spectra. Faraday rotation (phase) measurements are proposed as an alternative method to photoluminescence excitation for investigations of magneto-excitons in quantum wells. The dependence of the measured Faraday rotation on magnetic field and hypothetical connections with quantum Hall effect are also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1022-1026
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Picosecond Transient Absorption Spectra and the Twisted Intramolecular Charge Transfer Phenomenon
Autorzy:
Dobkowski, J.
Grabowski, Z. R.
Jasny, J.
Zieliński, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933607.pdf
Data publikacji:
1995-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
06.60.In
36.20.Kd
Opis:
An improved model of a computer-controlled picosecond absorption spectrometer was designed and constructed. Its operation is described, and applied to the measurement of transient spectra of p-N, N-dioctylamino-acetophenone. The spectroscopy and photophysics of this compound are compared to the other compounds exhibiting the dual fluorescence, assigned usually to the adiabatic formation of the "twisted" intramolecular charge transfer excited state. The data are discussed in relation to alternative suggestion of an inversion of the pyramidal amino nitrogen atom. The whole evidence supports the decoupling of the π-electronic systems of D+ and A- in the D+-A- polar excited state, in full accord with the "twisted" intramolecular charge transfer model. The peculiar behaviour of the long alkyl -NR2 derivatives (favouring the "twisted" intramolecular charge transfer state emission) seems to be primarily due to the decreasing oxidation potential of such electron donor groups.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 3; 455-468
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Large Filling-Factor-Dependent Spin Splitting in Magnetooptic Kerr Effect in GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells
Autorzy:
Dudziak, E.
Bozym, J.
Pruchnik, D.
Wasilewski, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969050.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
73.20.Dx
78.66.Fd
Opis:
Magnetooptic Kerr effect in GaAs/Al$\text{}_{0.312}$Ga$\text{}_{0.688}$As multiple quantum wells was investigated in the integer quantum Hall regime. The measurements have been performed in magnetic fields up to 14.5 T, at the temperature of 1.8 K. Experimental data indicate the discontinuous behavior of the magnetooptic Kerr effect spectrum as a function of the filling factor. For odd filling factor values ν=3 and 5 we observe the large spin splitting. The effects cannot be explained in the one-particle model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 291-296
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular Beam Epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As: New Donor Doping Sources
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Missous, M.
Singer, K. E.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929771.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Bd
61.50.Cj
71.55.Eq
Opis:
The first results obtained with the use of Ga$\text{}_{2}$S$\text{}_{3}$ and Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ compounds as sources of donor elements for molecular beam epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb (0 ≤ x ≤ 1) and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (0 ≤ x ≤ 0.4) are reported. In GaAs free electron concentrations obtained when incorporating the donors from these sources can be easily controlled in the range of three orders of magnitude. For Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb it was possible to compensate the high concentration of native acceptors and to obtain n-type of conductivity.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 826-828
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Koncepcja szerokopasmowego radaru pracującego na platformie mobilnej przeznaczonego do wykrywania ładunków wybuchowych ukrytych w ziemi
Concept of ultra-wideband radar on mobile platform for landmine and dengerous objects buried in ground detection
Autorzy:
Szczepaniak, Z. R.
Łuszczyk, M.
Samczyński, P.
Arvaniti, A.
Popkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/236215.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowy Instytut Techniczny Uzbrojenia
Tematy:
radary
platforma mobilna
radars
mobile platform
Opis:
Jednym z kierunków rozwoju radarów - lub ogólnie rzecz ujmując sensorów mikrofalowych - są urządzenia przeznaczone do zobrazowania struktury geologicznej ziemi bądź do wykrywania obiektów w niej ukrytych. W zastosowaniach wojskowych radary typu GPR (ang. Ground Penetrating Radar) wykorzystywane są do wykrywania min oraz obiektów szczególnie niebezpiecznych ukrytych w przypowierzchniowych warstwach ziemi. Szczególnym wyzwaniem dla układów wykrywania są ładunki wybuchowe bez obudowy metalicznej. W artykule zaprezentowano koncepcję demonstratora radaru wraz z omówieniem najistotniejszych zagadnień projektowych, tj. dobór sygnału sondującego ze względu na rozdzielczość, struktura układu nadawczo-odbiorczego oraz metody przetwarzania sygnału.
One of rapidly growing field of modern radar technique and technology - or generally microwave sensors - are ground penetrating radars (GPR). They are suitable for applications of variety of areas such geology and archeology as well as unknown object detection buried in ground. In military application GPR are used for landmine, unexploded ordnance (UXO) or improvised explosive device (IED) detection. The great challenge for GRP devices is detection of explosive charges without metal case. This paper comprises the concept of ultra-wideband radar on mobile platform for landmines detection. Aspects of radar signal synthesis and resolution as well as radar signal processing are considered.
Źródło:
Problemy Techniki Uzbrojenia; 2009, R. 38, z. 109; 93-101
1230-3801
Pojawia się w:
Problemy Techniki Uzbrojenia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Ostermayer, G.
Jantsch, W.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Wilamowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 769-772
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Surma, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Fronc, K.
Stalinga, P.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
76.30.Lh
78.66.Fd
Opis:
Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Karpińska, K.
Godlewski, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Chen, W. M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:
The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.Bs
68.55.Ln
Opis:
Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High-Pressure Diffraction Study of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As
Autorzy:
Paszkowicz, W.
Dynowska, E.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Otto, J. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964159.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
64.30.+t
62.50.+p
64.70.Kw
Opis:
The Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As sample of x=0.5 was prepared from a high quality single crystal grown by electroepitaxy on GaAs. The high-pressure diffraction experiments were performed using a diamond anvil cell and a germanium solid state detector. The zinc-blende phase is stable up to about 17.5 GPa on uploading. A high-pressure phase manifests itself at about 17 GPa, a complete phase change occurs at 18.7 GPa. On downloading, the zinc-blende phase reappears at about 10 GPa. The powder pattern of the high-pressure phase shows some similarities with the GaAs high pressure phases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 993-996
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fatigue life prediction for Ni-based superalloy GH4169 considering machined surface roughness and residual stress effects
Autorzy:
Wu, Z. R.
Wang, S. Q.
Yang, X.
Pan, L.
Song, Y. D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1839712.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
surface roughness
residual stress
fatigue crack
life prediction
GH4169
Opis:
Establishing a fatigue life prediction model considering the machined surface state is of great significance to improve fatigue life prediction accuracy. Fatigue tests with different machined surface states of GH4169 alloy were conducted firstly. The influence of surface state parameters on the fatigue life was analyzed. Then, the machined surface stress concentration factor and residual stress were introduced into the fatigue crack initiation and propagation models. Finally, the fatigue life prediction model of GH4169 material considering the surface states was established. The prediction results based on the proposed model are almost within a factor of two scatter band of the test results.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 2021, 59, 2; 215-226
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Kaczor, P.
Missous, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Peaker, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.38.+i
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:
A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Lattice Sites of Silicon Impurities in AlGaAs Grown by Liquid Phase Epitaxy
Autorzy:
Kaczor, P.
Ashwin, M. J.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Newman, R. C.
Dobaczewski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1951990.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
63.20.Pw
61.72.-y
Opis:
Localised vibrational mode infrared absorption (10 K) and Hall measurements were made on a series of Si doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As samples with 0 ≤ x ≤ 0.25 grown by liquid phase epitaxy. Localised vibrational modes were detected from Si$\text{}_{Ga}$ donors, Si$\text{}_{As}$ acceptors and Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pairs which increased in frequency as x increased. The assignments of new lines observed at 386, 388 and 391 cm$\text{}^{-1}$ are discussed in relation to possible perturbations of the lines from Si$\text{}_{Ga}$ or Si$\text{}_{As}$. The presence of DX centres was inferred from observed persistent photoconductivity and attempts were made to relate this result to the presence of the new IR lines.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 865-868
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Genetic profile for the detection of susceptibility to poisoning by exposure to pesticides
Autorzy:
Galvez, H.R.C.
Flores, J.S.
Sanchez, E.D.T.
Bravo, D.R.
Villela, M.Z.R.
Uribe, E.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/28762819.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 2; 208-213
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Doping on Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As Structural Properties
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Paszkowicz, W.
Trela, J.
Żytkiewicz, Z. R.
Leszczyński, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Härtwig, J.
Ohler, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964092.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Ea
81.40.-z
68.55.Ln
61.10.Nz
Opis:
The microstructure of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As layers was studied using methods of high resolution diffractometry and topography. Mapping out the reciprocal space in the vicinity of 004 reciprocal lattice points shows a difference in diffuse scattering between doped and undoped layers. This result is attributed to a difference in a point-defect density. From the measurements of lattice parameters at different temperature it was found that the thermal expansion coefficients for the doped layers are higher than for the undoped ones. This phenomenon is attributed to the change of the anharmonic part of lattice vibrations by free electrons or/and point defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 911-915
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Breakdown of the Quantum Hall Effect
Autorzy:
Maude, D. K.
Rigal, L. B.
Desrat, W.
Potemski, M.
Portal, J. C.
Eaves, L.
Wasilewski, Z. R.
Toropov, A. I.
Hill, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027467.pdf
Data publikacji:
2001-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.10.Pm
74.25.Dw
Opis:
The breakdown of the dissipationless conductance in the integer and fractional quantum Hall effect regime is reviewed. The temperature dependence of the critical current and of the critical magnetic field at breakdown bears a striking resemblance to the phase diagram of the phenomenological two-fluid Gorter-Casimir model for superconductivity. In addition, a remarkably simple scaling law exists between different filling factors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 2; 213-226
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Prognozowanie cen aktywów: Eugen F. Fama, Lars P. Hansen, Robert Shiller – laureaci Nagrody Nobla w dziedzinie ekonomii w 2013 r
Autorzy:
K, Waldemar F R Ą C K O W I A
A, Adam Z A R E M B
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/701814.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Źródło:
Ekonomista; 2014, 4
0013-3205
2299-6184
Pojawia się w:
Ekonomista
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determinanty natychmiastowych stóp zwrotu z akcji spółek Skarbu Państwa dokonujących pierwotnych ofert publicznych
Autorzy:
I, Leszek C Z A P I E W S K
I, Tomasz J E W A R T O W S K
I, Michał K A Ł D O Ń‑ S K
A, Jacek M I Z E R K
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/701809.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Źródło:
Ekonomista; 2014, 4
0013-3205
2299-6184
Pojawia się w:
Ekonomista
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solving the problem of vehicle routing by evolutionary algorithm
Autorzy:
Iwańkowicz, R. R.
Sekulski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/102797.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
vehicle routing
travelling salesman
genetic algorithm
Opis:
In the presented work the vehicle routing problem is formulated, which concerns planning the collection of wastes by one garbage truck from a certain number of collection points. The garbage truck begins its route in the base point, collects the load in subsequent collection points, then drives the wastes to the disposal site (landfill or sorting plant) and returns to the another visited collection points. The filled garbage truck each time goes to the disposal site. It returns to the base after driving wastes from all collection points. Optimization model is based on genetic algorithm where individual is the whole garbage collection plan. Permutation is proposed as the code of the individual.
Źródło:
Advances in Science and Technology. Research Journal; 2016, 10, 29; 97-108
2299-8624
Pojawia się w:
Advances in Science and Technology. Research Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-50 z 1469

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies