Photoinduced Defects Creation on Sulfur Passivated Surface of GaAs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Photoinduced Defects Creation on Sulfur Passivated Surface of GaAs
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Gomez, D.
Briones, F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968456.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.35.Dv
68.45.Da
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We report on photoinduced defect creation on the sulfurized (100) GaAs surface. The process manifests itself by unrecoverable temporal decrease in the photoluminescence intensity of the GaAs surface treated by (NH$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$S$\text{}_{x}$ solution. The results are discussed in terms of a photoinduced process of the As$\text{}_{Ga}$ antisite generation on the sulfurized surface of GaAs.

Informacja

Powiązane pozycje