Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Z.R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 1469
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Lateral Overgrowth - a Tool for Dislocation Blockade in Multilayer Systems
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969007.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
81.15.Lm
68.60.Bs
61.72.Ff
Opis:
Results on epitaxial lateral overgrowth of GaAs layers are reported. The methods of controlling the growth anisotropy, the effect of substrate defects filtration in epitaxial lateral overgrowth procedure and influence of the mask on properties of epitaxial lateral overgrowth layers will be discussed. The case of GaAs epitaxial lateral overgrowth layers grown by liquid phase epitaxy on heavily dislocated GaAs substrates was chosen as an example to illustrate the processes discussed. The similarities between our results and those reported recently for GaN layers grown laterally by metallorganic vapour phase epitaxy will be underlined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 219-227
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Substrate Defects Filtration During Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968454.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
Opis:
Results on the growth of GaAs on (001) GaAs substrates by the epitaxial lateral overgrowth technique are reported. We show that the ratio of normal to lateral growth rates in the epitaxial lateral overgrowth process can be controlled by the crystallographic orientation of the seeds and by Si adding to the melt. Experimental data showing that the dislocations threading from the substrate are efficiently filtered and cannot propagate to the epitaxial lateral overgrowth layers are presented. These findings prove that the epitaxial lateral overgrowth process is the powerful method to grow epilayers with low dislocation density on high dislocation density substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1079-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 1469

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies