Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:: Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.60.Bs
68.55.Ln
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.

Informacja

Powiązane pozycje