Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wierzchowski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-22 z 22
    Tytuł:
    The properties of regenerative polymer mass
    Autorzy:
    Rudawska, A.
    Wierzchowski, A.
    Müller, M.
    Petrů, J.
    Náprstková, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/102482.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    regeneration
    regenerative polymer mass
    mechanical properties
    Opis:
    The paper investigates the compression strength of samples of regenerative polymer mass RM 101 Resimetal Metal Repair Pasta manufactured by Rendor. The effect of weather conditions on selected mechanical properties of the tested mass is examined. The samples are subjected to seasoning at room temperature, in an environmental chamber, and in a thermal shock chamber. The samples for strength testing are made according to the adopted method. It has been observed that the samples seasoned at room temperature have the lowest strength, while the highest strength is exhibited by the samples subjected to seasoning in an environmental chamber at a temperature of 70°C and humidity of 95%. In addition, the paper compares the strength properties of regenerative polymer masses manufactured by Chester Molecular, Belzona, and Unirep, as well as of the widely used epoxy compound Epidian 57 mixed with the Z-1 curing agent with those of the Rendor mass. The properties of the above masses are obtained from the available literature.
    Źródło:
    Advances in Science and Technology. Research Journal; 2017, 11, 3; 130-138
    2299-8624
    Pojawia się w:
    Advances in Science and Technology. Research Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stereoscopic Observation of Synthetic Diamond with Haruta Stereo-Pairs of Synchrotron Transmission Double-Crystal Topographs
    Autorzy:
    Moore, M.
    Lang, A. R.
    Wierzchowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931679.pdf
    Data publikacji:
    1994-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.-i
    Opis:
    The Haruta method is used for stereoscopic observation of a 1.5 × 4 × 4 mm$\text{}^{3}$ cuboctahedral synthetic diamond with transmission double-crystal topography. The experiments were performed using a synchrotron double-crystal arrangement with asymmetrical diamond 220 reflection selecting 1.0 Å radiation. The appropriate Haruta pairs were matched from a series taken with positions on the rocking curve changed by small intervals. A reasonable stereoscopic effect was observed for most defect images, particularly dislocations, stacking faults and growth sector boundaries. It was established that some interference fringes do not produce good stereoscopic effects and appear on the exit surfaces of the diamond.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 613-616
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Występowanie i ocena chorobotwórczości izolatów Phytophthora spp. uzyskanych z rzek i zbiornika wodnego
    Occurrence of Phytophthora spp. in forest rivers and water pond and colonization of plants by isolates of that genera
    Autorzy:
    Orlikowski, L.B.
    Ptaszek, M.
    Trzewik, A.
    Wierzchowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/972778.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Leśne
    Tematy:
    cieki wodne
    rzeki
    rzeka Korabiewka
    rzeka Rawka
    rzeka Skierniewka
    rzeka Zwierzynka
    zbiorniki wodne
    wody stojace
    izolaty grzybowe
    grzyby chorobotworcze
    Phytophthora
    wykrywanie
    Phytophthora plurivora
    Phytophthora cambivora
    Phytophthora citrophthora
    Phytophthora megasperma
    Phytophthora lacustris
    chorobotworczosc
    detection
    rivers
    water pond
    colonization
    plant
    Opis:
    Using of rhododendron leaf baits, Phytophthora cambivora, P. citrophthora, P. megasperma, P. plurivora and P. lacustris were detected from 4 rivers running through forests as well as in forest water pond. P. plurivora was the most often detected species from all water sources. The genera was detected all over the year with different population densities in relation to month and water source. Isolates of 4 Phytophthora species colonized roots, stem parts and leaves of tested plants. It points them as a potential pathogens for forest and landscape plants.
    Źródło:
    Sylwan; 2012, 156, 07; 533-541
    0039-7660
    Pojawia się w:
    Sylwan
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Lattice Deformation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As Epitaxial Layers Caused by Implantation with High Doses of 1 Mev Si Ions
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Graeff, W.
    Turos, A.
    Grötzschel, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2011027.pdf
    Data publikacji:
    1999-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.-i
    61.80.-x
    Opis:
    A series of highly perfect Al$\text{}_{0.45}$Ga$\text{}_{0.55}$ As epitaxial layers implanted with 1 MeV Si ions to the doses in a range 7×10$\text{}^{13}$-2×10$\text{}^{15}$ ions/cm$\text{}^{2}$ were studied with various conventional and synchrotron X-ray diffraction methods. The presently used methods allowed both the measurement of lattice parameter changes and strain induced deformation. The evaluation of complete strain profiles was also performed by numerical simulation of diffraction curves. It was found that the implantation induced considerable change of lattice parameter reached the maximum at the dose 3×10$\text{}^{14}$ ions/cm$\text{}^{2}$. The recorded curves proved also that the lattice parameter is almost constant in the near surface region of the implanted layers. The applied doses did not cause lattice amorphisation at room temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 2; 289-293
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Conventional and Synchrotron X-Ray Topography of Defects in the Core Region of $SrLaGaO_4$
    Autorzy:
    Malinowska, A.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Pajączkowska, A.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812255.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Nn
    61.72.Lk
    61.72.Qq
    Opis:
    $SrLaGaO_4$ single crystals are perspective substrate materials for high temperature superconductors thin films, elements of thermal radiation receivers and other electronic devices. The defect structure of the Czochralski grown $SrLaGaO_4$ crystal was investigated by means of X-ray topography exploring both conventional and synchrotron sources. The crystal lattice defects in the core region of the crystal were investigated. The regular network of defects arranged in rows only in ⟨100⟩ direction was observed. Owing to high resolution of synchrotron radiation white beam back reflection topographs one can distinguish individual spots forming the lines of the rows. It can be supposed that these elongated rod-like volume defects are located in 100 lattice planes forming a kind of walls. They are built approximately of the same phase as crystal but crystallize at a different moment than a rest of the crystal due to the constitutional supercooling.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 433-438
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of Lattice Strains in Layered Structures Containing Porous Silicon
    Autorzy:
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Graeff, W.
    Brzozowski, A.
    Nossarzewska-Orłowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035501.pdf
    Data publikacji:
    2002-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.-a
    Opis:
    Silicon layered structures containing porous silicon modified with various thermal treatments and epitaxial layers deposited on porous layers were studied with a number of complementary X-ray diffraction methods using synchrotron source. The methods of characterisation included recording of rocking curves for reflections with various asymmetry as well as projection, section and micro-Laue topography. It was found that oxidising and sintering of porous silicon seriously modified the strains in the porous layer and in some cases even inverting the sense of strain with respect to that in initially formed porous layer. Consequently the deposited epitaxial layer usually was not laterally coherent with the substrate. Some of the investigated layers were not stable in time and after few months period exhibited significant lost of coherence of porous skeleton.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 283-288
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Composition and Structure of Czochralski Silicon Implanted with $H_{2}^{+}$ and Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Kulik, M.
    Kobzev, A.
    Misiuk, A.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Bak-Misiuk, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538976.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.U-
    61.72.uf
    66.10.C-
    61.80.Jh
    81.20.-n
    82.80.Yc
    85.40.-e
    Opis:
    Depth distribution of implanted species and microstructure of oxygen-containing Czochralski grown silicon (Cz-Si) implanted with light ions (such as $H^{+}$) are strongly influenced by hydrostatic pressure applied during the post-implantation treatment. Composition and structure of Si:H prepared by implantation of Cz-Si with $H_{2}^{+}$; fluence D = 1.7 × $10^{17} cm^{-2}$, energy E = 50 keV (projected range of $H_{2}^{+}$, $R_{p}(H)$ = 275 nm), processed at up to 923 K under Ar pressure up to 1.2 GPa for up to 10 h, were investigated by elastic recoil detection Rutherford backscattering methods and the depths distributions of implanted hydrogen and also carbon, oxygen and silicon in the near surface were determined for all samples. The defect structure of Si:H was also investigated by synchrotron diffraction topography at HASYLAB (Germany). High sensitivity to strain associated with small inclusions and dislocation loops was provided by monochromatic (λ = 0.1115 nm) beam topography. High resolution X-ray diffraction was also used.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 332-335
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Synchrotron Studies of Nanostructure Formation in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Graeff, W.
    Misiuk, A.
    Barcz, A.
    Bryja, L.
    Popov, V. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035493.pdf
    Data publikacji:
    2002-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.-a
    61.46.+w
    Opis:
    The effects of various high temperature-pressure treatments in Czochralski grown silicon (Cz-Si) implanted with 130 keV hydrogen to the dose of 4times10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$ were investigated using synchrotron X-ray topographic methods and rocking curve measurements. The high temperature- pressure processes included 10 h annealing at 450°C, 650°C, and 725°C at argon pressure 12 kbar and 1 bar. The topographic investigations were performed with projection and section methods in back-reflection and transmission geometry. It was found that annealing resulted in significantly reduced strain induced by the implantation, which became undetectable with presently used very sensitive synchrotron arrangement. A significant difference between the Cz-Si:H samples annealed at high and atmospheric pressure was observed. In the first case a distinct topographic contrast attributed to the formation of comparatively larger inclusions was observed. This effect was different at different temperatures. The samples annealed at enhanced pressure were more uniform and often produced significant interference effects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 239-244
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Structure of Nitrogen Doped Czochralski Silicon Annealed under Enhanced Pressure
    Autorzy:
    Misiuk, A.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Londos, C.
    Andrianakis, A.
    Bak-Misiuk, J.
    Yang, D.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1539028.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    61.72.-y
    61.72.Ff
    61.72.uf
    62.50.-p
    Opis:
    Defect structure of Czochralski grown silicon (Cz-Si) with nitrogen admixture, c_{N} ≤ 5 × $10^{14} cm^{-3}$ (Cz-Si:N), annealed for up to 10 h at 1270-1400 K under hydrostatic Ar pressure ≤ 1.1 GPa, was investigated by synchrotron diffraction topography (HASYLAB, Germany), X-ray reciprocal space mapping, and infrared spectroscopy. Extended defects were not detected in Cz-Si:N processed at up to 1270 K. Such defects were created, however, in Cz-Si:N pre-annealed at 923 K and next processed at 1270 K or in as-grown Cz-Si:N processed at 1400 K. Investigation of temperature-pressure effects in nitrogen-doped silicon contributes to the understanding of defect formation in Cz-Si:N.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 344-347
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of Si:V Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Misiuk, A.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Barcz, A.
    Bak-Misiuk, J.
    Chow, L.
    Vanfleet, R.
    Prujszczyk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504150.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Dd
    61.72.uf
    64.75.Qr
    66.30.Xj
    81.40.Xj
    Opis:
    It is known that processing of silicon implanted with vanadium, Si:V, at high temperature-pressure, HT-HP, can lead to magnetic ordering within the V-enriched area. New data concerning structure of Si:V (prepared using $V^{+}$ doses, D = (1-5) × $10^{15} cm^{-2}$, and energy, E = 200 keV), as implanted and processed for up to 10 h at HT ≤ 1400 K under enhanced hydrostatic pressure, HP ≤ 1.1 GPa, are presented. In effect of implantation, amorphous (a-Si) area is produced near range of implanted species. Transmission electron microscopy, secondary ion mass spectrometry, X-ray, and synchrotron methods were used for sample characterisation. At HT-HP the a-Si layer is subjected to solid phase epitaxial re-growth. Depending on HP, distinct solid phase epitaxial re-growth and formation of $VSi_2$ are observed at HT ≥ 720 K. HP applied at processing results in the improved solid phase epitaxial re-growth in Si:V. This can be related, among others, to the effect of HP on diffusivity of $V^{+}$ and of implantation-induced point defects. Our results can be useful for development of the new family of diluted magnetic semiconductors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 196-199
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-Ray Topographic Studies of Defect Structure in $YVO_4$ Crystals
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Łukasiewicz, T.
    Wierzbicka, E.
    Malinowska, A.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812259.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The perfection of $YVO_4$ crystals, which are predicted to replace formerly used YAG garnets due to higher quantum efficiency and lower excitation level, was studied. The investigations of Czochralski grown undoped $YVO_4$ single crystals were performed mainly by means of X-ray topographic methods. Both synchrotron and conventional X-ray sources were used. The study revealed relatively high density of weak point-like contrasts which can be most probably interpreted as dislocation outcrops. In regions of the crystal close to its boundary we observed glide bands. It was also found that in some regions the dislocations form local subgrain boundaries. The white beam back reflection and monochromatic beam topography allowed to evaluate a local misorientation which not exceeded several angular minutes. No segregation fringes were observed proving a good homogeneity of chemical composition.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 455-461
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synchrotron Diffraction topography in Studying of the Defect Structure in Crystals Grown by the Czochralski Method
    Autorzy:
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Świrkowicz, M.
    Łukasiewicz, T.
    Pajączkowska, A.
    Paulmann, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399483.pdf
    Data publikacji:
    2013-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The synchrotron diffraction topography had been widely used for investigation of the structural defects in crystals grown by the Czochralski method. Similarly as conventional diffraction topography, the synchrotron topography consists in recording with high spatial resolution of the beam formed by the Bragg reflection from the crystal. The advantages of synchrotron sources come from the possibilities of using the wavelength from a wide spectral range, improved high spatial resolution and collimation of the beam as well as from shortening the time necessary for the investigation. The synchrotron diffraction topography includes experimentally simpler white beam topography and more complicated monochromatic beam (multicrystal) topography, where the beam is formed by monochromators. In the case of Czochralski-grown crystals the synchrotron diffraction topography can be used for studying of the individual dislocations and their complexes such as glide bands or sub-grain boundaries, individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. In addition, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of defects, useful in the improving of the technology. In the present paper the possibilities of the synchrotron diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the Czochralski-grown oxide and semiconductor crystals, performed by the authors at HASYLAB. The majority of the results concern the oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 350-359
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wzrost monokryształów molibdenianu wapnia domieszkowanych jonami ziem rzadkich (CaMoO4 : RE) do badań w zakresie immobilizacji odpadów radioaktywnych
    Single crystal growth of calcium molybdate doped with rare earth ions (CaMoO4 : RE) for investigation of nuclear waste immobilisation
    Autorzy:
    Świrkowicz, M.
    Szyrski, W.
    Kisielewski, J.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Karaś, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192090.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    metoda Czochralskiego
    molibdeniany
    materiały scyntylacyjne
    immobilizacja odpadów radioaktywnych
    ziemie rzadkie
    ICP-OES
    topografia synchrotronowa
    Czochralski method
    molybdates
    scintillator materials
    immobilisation of nuclear waste
    rare earths
    synchrotron topography
    Opis:
    Stosując metodę Czochralskiego oraz układ cieplny z tyglem platynowym o średnicy 55 mm i wysokości 55 mm oraz biernym dogrzewaczem platynowym uzyskano monokryształy CaMoO4 niedomieszkowane i domieszkowane europem, neodymem oraz jednocześnie europem i neodymem o średnicy do 25 mm i długości do 90 mm. Szybkość wzrostu zawarta była w zakresie 1,5 - 3,0 mm/h, a szybkość obrotowa 10 - 15 obr./min. Pierwsze procesy wzrostu przeprowadzono stosując niezorientowane zarodki z CaWO4 (National Institute of Standards and Technology, USA). W oparciu o otrzymane monokryształy przygotowano zarodki o orientacji [001]. Przeprowadzono badania dyfrakcyjne rentgenowskie, synchrotronowe topograficzne, właściwości optycznych i składu chemicznego. Określono współczynniki segregacji europu i neodymu (kEu ≈ 0,40, kNd ≈ 0,28). Stwierdzono, że w przypadku współdomieszkowania rośnie współczynnik segregacji neodymu a maleje europu (kEu ≈ 0,30 i kNd ≈ 0,32). Transmisja optyczna monokryształów silnie zależy od domieszki. W przypadku neodymu obserwuje się wyraźne i ostre pasma absorpcji. Monokryształy z europem wykazują silną absorpcję w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni.
    Single crystals of CaMoO4 either undoped or doped with europium, neodymium and europium and at the same time with neodymium with a diameter of 25 mm and a length of up to 90 mm, were obtained using the Czochralski method and a thermal system with a platinum crucible 55 mm in diameter and 55 mm in height and a passive platinum afterheater. The growth rate was in the 1.5 - 3.0 mm/h range and the rotation rate varied between 10 and 15 r./min. At the beginning, the growth processes were carried out applying un-oriented CaWO4 seeds (from the National Institute of Standards and Technology, USA). Based on the resultant single crystals, [001] - oriented seeds were prepared. X-ray powder diffraction patterns, synchrotron topography, optical transmission and chemical compositions were measured. Segregation coefficients of europium and neodymium were determined to be kEu ≈ 0,40 and kNd ≈ 0,28 respectively. In the case of co-doping, the segregation coefficient of neodymium increases and that of europium decreases (kEu ≈ 0,30 and kNd ≈ 0,32). The optical transmission of single crystals strongly depends on the dopant. Sharp and narrow absorption bands are observed for neodymium, whereas single crystals with europium exhibit a strong absorption in the visible and near-infrared regions.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 10-19
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rentgenowska topografia dyfrakcyjna defektów sieci krystalicznej w monokryształach MgAl2O4 i ScAlMgO4 otrzymywanych w różnych warunkach technologicznych
    X-ray diffraction topography of lattice defects in MgAl2O4 and ScAlMgO4 crystals grown under different technological conditions
    Autorzy:
    Wierzbicka, E.
    Malinowska, A.
    Wierzchowski, W.
    Kisielewski, J.
    Świrkowicz, M.
    Szyrski, W.
    Romaniec, M.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192366.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    topografia rentgenowska
    MgAl2O4
    ScAlMgO4
    defekty krystaliczne
    metoda Czochralskiego
    X-ray diffraction topography
    crystal lattice defects
    Czochralski method
    Opis:
    Za pomocą konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej scharakteryzowana została realna struktura monokryształów spinelu magnezowego MgAl2O4 i monokryształów ScAlMgO4 (SCAM). Badania uzupełniające prowadzono za pomocą dyfraktometrii wysokorozdzielczej, skaningowej mikroskopii elektronowej, mikroanalizy rentgenowskiej oraz metod polaryskopowych. Topogramy MgAl2O4 wskazują na jakość kryształów pozwalającą na przeprowadzenie szczegółowych badań realnej struktury metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej. W żadnej z badanych próbek nie zaobserwowano kontrastów pochodzących od pasm segregacyjnych. Topogramy badanych kryształów ujawniają obecność rdzenia w centralnej części próbek, często z wyraźnie zaznaczonymi obszarami ściankowanymi odpowiadającymi wzrostowi na niskowskaźnikowych płaszczyznach krystalograficznych. W zewnętrznej części rdzenia zaobserwowano liczne kontrasty dyfrakcyjne związane najprawdopodobniej z defektami objętościowymi typu solute trails oraz wyraźne kontrasty związane z grupą dyslokacji. Za pomocą topografii dwukrystalicznej ujawniono naprężenia związane z rdzeniem oraz defektami objętościowymi solute trails. Ze względu na tendencję do rozwarstwiania się kryształu ScAlMgO4 badania przeprowadzono na wybranych próbkach otrzymanych przez mechaniczne rozdzielenie materiału. Topogramy dwukrystaliczne ujawniły kontrast dyfrakcyjny odzwierciedlający poszczególne warstwy materiału. Szczegóły rozdzielania się warstw ujawniły obserwacje SEM.
    Conventional X-ray diffraction topography was used for characterization of the real structure of MgAl2O4 and ScAlMgO4 (SCAM) single crystals. Complementary investigations were performed by means of high resolution X-ray diffractometry, scanning electron microscopy and polariscopic methods. The obtained topographs indicated a good crystallographic quality of the examined MgAl2O4 crystals. In all investigated crystals no segregation fringes were observed. A distinct core region was revealed in all samples, often including three or more facetted regions. Some contrast connected with solute trails and groups of dislocations were observed in the region outside the core. The double-crystal topographs indicated the presence of distinct residual strains connected with the core and other defects. In view of the tendency for ScAlMgO4 to split into layers, the investigations were performed using the samples obtained by mechanical cleavage. The double-crystal topographs revealed diffraction contrast corresponding to consecutive “layers” of the material. The details of splitting were shown by SEM investigation, which also confirmed the homogeneity of the crystal.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 1, 1; 29-39
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of oxide crystals by means of synchrotron and conventional X-ray diffraction topography
    Badanie monokryształów tlenkowych za pomocą synchrotronowej i konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
    Autorzy:
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Wieteska, K.
    Wierzbicka, E.
    Mazur, K.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Świrkowicz, M.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192397.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    X-ray diffraction topography
    crystal lattice defects
    Czochralski method
    dyfrakcyjna topografia rentgenowska
    defekty sieci krystalicznej
    metoda Czochralskiego
    Opis:
    X-ray diffraction topography, exploring both conventional and synchrotron sources of X-rays, has been widely used for the investigation of the structural defects in crystals of oxides. The majority of bulk oxide crystals have been grown by the Czochralski method from a melted mixture of high purity oxides. Some important oxide crystals like quartz and ZnO have been obtained by the hydrothermal method. In the case of crystals grown by the first method, synchrotron diffraction topography can be and was used for studying individual dislocations and their complexes (e.g. glide bands, sub-grain boundaries), individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. What is more, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of the defects, which becomes useful for improving the growth technology. In the present paper the possibilities of the diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the oxide crystals, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates. the majority of the results refer to oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology (ITME). The synchrotron investigations included in the paper were performed by the authors at the HASYLAB Synchrotron Laboratory in Hamburg.
    Rentgenowska topografia dyfrakcyjna, wykorzystująca zarówno konwencjonalne, jak i synchrotronowe źródła promieniowania rentgenowskiego, jest od wielu lat z powodzeniem stosowana do badania defektów strukturalnych w różnego rodzaju monokryształach. Szeroką grupę tych materiałów stanowią kryształy tlenkowe, które w większości są otrzymywane metodą Czochralskiego ze stopionej mieszaniny tlenków o wysokiej czystości. Do otrzymywania kryształów tlenków, takich jak kwarc i ZnO, stosuje się metodę hydrotermalną. rentgenowska topografia dyfrakcyjna może być wykorzystana do badania indywidualnych dyslokacji i ich kompleksów (np. pasma poślizgowe, granice niskokątowe), pojedynczych bloków, zbliźniaczeń, struktury domenowej i różnych efektów segregacyjnych. Wszystkie te defekty mogą wpływać negatywnie na jednorodność i właściwości kryształów. Badania topograficzne mogą również dostarczyć informacji dotyczących przyczyn powstawania defektów, co przydatne jest w doskonaleniu technologii. W niniejszej pracy omówiono możliwości topografii dyfrakcyjnej na podstawie przeprowadzonych badań szeregu kryształów tlenkowych, w szczególności granatów, ortowanadianów, mieszanych niobianów wapnia, baru i strontu oraz glinianów prazeodymu i lantanu. Większość wyników dotyczy monokryształów tlenków otrzymywanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME). uwzględnione badania synchrotronowe zostały przeprowadzone przez autorów w Laboratoriom Synchrotronowym HASYLAB w Hamburgu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 17-32
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Topographic Investigations of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ Crystals
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Turczyński, S.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Pawlak, D.
    Łukasiewicz, T.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538809.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.-t
    81.10.Dn
    61.72.Ff
    Opis:
    In the present paper X-ray diffraction topographic techniques were applied to a number of samples cut from Czochralski grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ crystals with different ratio of praseodymium and lanthanum. Conventional and synchrotron X-ray topographic investigations revealed differently developed domain structures dependent on the composition of mixed praseodymium lanthanum aluminium perovskites. Some large mosaic blocks were observed together with the domains. In the best crystals, X-ray topographs revealed striation fringes and individual dislocations inside large domains. Synchrotron topographs allowed us to indicate that the domains correspond to three different crystallographic planes, and to evaluate the lattice misorientation between domains in the range of 20-50 arc min.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 268-271
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Defect Structure Formed at Different Stages οf Growth Process in Erbium, Calcium and Holmium Doped $YVO_{4}$ Crystals
    Autorzy:
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Łukasiewicz, T.
    Świrkowicz, M.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538950.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The defect structure of $YVO_{4}$ single crystals doped with $Er^{3+},$ $Ho^{3+}$ and $Ca^{2+}$ were studied by X-ray diffraction topographic methods, using laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure was the dominating imperfection of the investigated crystals observed both in conventional Lang and synchrotron topographs. The evaluation of block misorientation was realised by means of superimposed projection and section white beam synchrotron radiation topographs. More possibilities of following the mutual rotation of blocks were provided by means of white beam synchrotron radiation WBSR projection topographs exposed through the fine mesh.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 328-331
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterisation of the Defect Structure in Gadolinum Orthovanadate Single Crystals Grown by the Czochralski Method
    Autorzy:
    Wierzbicka, E.
    Malinowska, A.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Świrkowicz, M.
    Łukasiewicz, T.
    Paulmann, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431600.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    Opis:
    The $GdVO_4$ single crystals, both undoped and doped with erbium or thulium, were studied by means of X-ray diffraction topographic methods exploring laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure, caused probably by thermal stresses, was revealed. The highest crystallographic perfection was observed in the crystal doped with 4 at.% of thulium, which was free of the grain boundaries in the end part. Contrary to that, the differences in structural perfection between samples cut out from various regions of the crystal and for different kinds of doping, were less distinct in other crystals. The diffraction topographic methods enabled the statement that the misorientation between various blocks is in the range of several arc minutes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 906-909
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synchrotron Topographic Studies of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ Crystals
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Malinowska, A.
    Turczyński, S.
    Lefeld-Sosnowska, M.
    Pawlak, D.
    Łukasiewicz, T.
    Paulmann, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431651.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.-t
    81.10.Dn
    61.72.Ff
    Opis:
    A domain structure and crystallographic defects in Czochralski grown single crystals of $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ were characterised with a number of methods including conventional and synchrotron X-ray diffraction topography, and polariscopic micrography. The observed twin domain systems were located perpendicularly to 〈100〉$\text{}_\text{pcub}$ and 〈110〉$\text{}_\text{pcub} (pseudocubic) directions. It has been confirmed that the domains are of the same orientation and a twin character as those described in literature for $LaAlO_3$ and $LaGaO_3$ crystals. The use of section transmission topography enabled to indicate that the domains are perpendicular to the $(100)_\text{pcub}$ surface of the samples. The misorientation of lattice in the domains was evaluated from the white beam topographs and a tendency of its increase with increasing concentration of praseodymium was revealed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 910-914
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Adamczewska, J.
    Misiuk, A.
    Regiński, K.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Kozanecki, A.
    Kuritsyn, D.
    Glukhanyuk, W.
    Trela, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
    Data publikacji:
    2002-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.40.-z
    68.55.Ln
    Opis:
    The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie struktury defektowej w nowych rodzajach scyntylacyjnych monokryształów mieszanych granatów lutetowo-itrowo-glinowych [LuxY1-x]3Al5O12 (LuYAG) niedomieszkowanych oraz aktywowanych prazeodymem
    Investigation of the defect structure in the new types of undoped and Pr-doped scintillator single crystals of mixed lutetium-yttrium-aluminum garnets [LuxY1-x]3Al5O12 (LuYAG)
    Autorzy:
    Malinowska, A.
    Wierzbicka, E.
    Wierzchowski, W.
    Mazur, K.
    Romaniec, M.
    Kisielewski, J.
    Świrkowicz, M.
    Szyrski, W.
    Drozdowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192074.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    dyfrakcyjna topografia rentgenowska
    defekty sieci krystalicznej
    metoda Czochralskiego
    materiały scyntylacyjne
    mieszane granaty lutetowo-itrowo-glinowe
    X-ray diffraction topography
    crystal lattice defects
    Czochralski method
    scintillator crystals
    mixed lutetium-yttrium--aluminum garnets
    Opis:
    Przedmiotem pracy jest ujawnienie i charakteryzacja realnej struktury nowych typów scyntylacyjnych monokryształów mieszanych granatów lutetowo-itrowo-glinowych (LuxY1-x)3Al5O12 (LuYAG) aktywowanych prazeodymem oraz niedomieszkowanych. Badania wykonano przy użyciu konwencjonalnego źródła promieniowania rentgenowskiego metodą rentgenowskiej topografii dwukrystalicznej oraz za pomocą dyfraktometrii wysokorozdzielczej. Wykonano również badania polaryskopowe. Na wybranych próbkach przeprowadzono badanie jednorodności składu chemicznego za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego z przystawką do spektroskopii z dyspersją energii (EDX). Topogramy rentgenowskie przebadanych próbek wskazują na dobrą jakość strukturalną badanych monokryształów. Pewnym problemem strukturalnym zaobserwowanym na wykonanych topogramach dwukrystalicznych są naprężenia sieci, których pierwotną przyczyną są efekty segregacyjne i różne obszary ściankowane.
    The present paper concerns revealing and detailed characterization of the real structure of the new scintillator crystals of mixed lutetium-yttrium-aluminum garnets (LuxY1-x)3Al5O12 (LuYAG) , either undoped or activated by praseodymium. The characterization of the crystals has been performed by means of the following methods, using conventional X-ray sources: double crystal topography and high resolution diffractometry. Polariscopic investigations have also been performed. Moreover, selected samples have been studied by scanning electron microscopy with energy dispersive X-ray spectrometer (EDX) attachment, among others to investigate their chemical homogeneity. The topographs of the analyzed samples indicate a good crystallographic quality of the crystals. Some crystallographic imperfections include residual strains, primarily caused by dopant and chemical composition segregation as well as some facetted regions.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 1, 1; 11-28
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Revealing the Defects Introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ Irradiation and High Temperature-High Pressure Treatment
    Autorzy:
    Wieteska, K.
    Misiuk, A.
    Prujszczyk, M.
    Wierzchowski, W.
    Surma, B.
    Bąk-Misiuk, J.
    Romanowski, P.
    Shalimov, A.
    Capan, I.
    Yang, D.
    Graeff, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812256.pdf
    Data publikacji:
    2008-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.c-
    61.72.-y
    61.82.-d
    Opis:
    Effect of processing under high hydrostatic pressure (= 1.1 GPa), applied at 1270 K, on Czochralski grown silicon with interstitial oxygen content $(c_O)$ up to $1.1×10^{18} cm^{-3}$, admixed with N or Ge (Si-N, c_N ≤ $1.2×10^{15} cm^{-3}$, or Si-Ge, $c_{Ge} ≈ 7×10^{17} cm^{-3}$, respectively), pre-annealed at up to 1400 K and next irradiated withγ-rays (dose, D up to 2530 Mrad, at energy E = 1.2 MeV), was investigated by high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, and synchrotron topography. Processing of γ-irradiated Si-N and Si-Ge under high pressure leads to stimulated precipitation of oxygen at the nucleation sites created by irradiation. It means that radiation history of Si-N and Si-Ge can be revealed by appropriate high temperature-high pressure processing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 439-446
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-22 z 22

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies