Defect structure of Czochralski grown silicon (Cz-Si) with nitrogen admixture, c_{N} ≤ 5 × $10^{14} cm^{-3}$ (Cz-Si:N), annealed for up to 10 h at 1270-1400 K under hydrostatic Ar pressure ≤ 1.1 GPa, was investigated by synchrotron diffraction topography (HASYLAB, Germany), X-ray reciprocal space mapping, and infrared spectroscopy. Extended defects were not detected in Cz-Si:N processed at up to 1270 K. Such defects were created, however, in Cz-Si:N pre-annealed at 923 K and next processed at 1270 K or in as-grown Cz-Si:N processed at 1400 K. Investigation of temperature-pressure effects in nitrogen-doped silicon contributes to the understanding of defect formation in Cz-Si:N.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00