Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Turos, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 20
Tytuł:
X-ray Standing Waves and Rutherford backscattering Studies of the Structure of Si Single Crystals Implanted with Fe Ions
Autorzy:
Vartanyantz, I. A.
Auleytner, J.
Nowicki, L.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945411.pdf
Data publikacji:
1996-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
Opis:
The X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy in channelling geometry were applied for the investigation of the structure of silicon single crystals implanted with 80 keV Fe ions. Both methods were used for the determination of crystal damage and lattice location of implanted metal atoms before and after thermal annealing. Both methods gave consistent results regarding the amorphization of Si due to the Fe-ion implantation. Moreover, using both methods some Fe substitution fraction was determined. The depth profiles of implanted atoms were compared to the results of computer simulations. Complementary use of X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy channelling techniques for studies of radiation damage and lattice location of implanted atoms is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 5-6; 625-633
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne
Effects of composition grading at heterointefaces and variations in thickness of layers on Bragg Mirror quality
Autorzy:
Gaca, J.
Mazur, K.
Turos, A.
Wesołowski, M.
Wójcik, M.
Jasik, A.
Muszalski, J.
Pierściński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192359.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
DBR
HRXRD
XRR
reflektometria optyczna
optical reflectivity
Opis:
Supersieci GaAs/AlAs i AlGaAs/AlAs przeznaczone do wykorzystania jako zwierciadła Bragga otrzymano zarówno metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, jak i epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych LP MOVPE. Supersieci te różniły się między sobą grubościami warstw, liczbą powtórzeń warstwy podwójnej (Al)GaAs/AlAs, jak i warunkami technologicznymi w których je wytwarzano. Dla każdej supersieci wyznaczono jej profil składu chemicznego, wykorzystując do tego celu wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską (HRXRD), reflektometrię rentgenowską (XRR) oraz metodę wstecznego rozpraszania jonów (RBS), wspomagane analizą numeryczną. Szczególną uwagę zwracano na profil interfejsów pomiędzy warstwami i odstępstwa od zakładanej grubości warstw. Następnie stosując spektroskopię odbiciową dla każdej supersieci zmierzono spektralną zależność współczynnika odbicia. Pokazano zależność pomiędzy profilem składu chemicznego a zdolnością odbicia tych supersieci. Zidentyfikowano odstępstwa od typowej struktury zwierciadeł Bragga, którą stanowi supersieć o prostokątnym kształcie profilu składu chemicznego i zbadano ich wpływ na zdolność odbiciową tych zwierciadeł.
GaAs/AlAs, and AlGaAs/AlAs superlattices to be used as Bragg mirrors have been grown by means of Molecular Beam Epitaxy (MBE) or Low-Pressure Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (LP MOVPE) techniques. These superlattices have differed in terms of: the thickness of layers, the number of periods, and growth conditions. The chemical composition profile for each superlattice has been determined by means of High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD), X-ray Reflectometry (XRR), as well as RBS characterization techniques, and at the same time a numerical analysis has been performed. Special attention has been paid to the profile of interfaces between succeeding layers and variations in the thickness of layers. Next, Optical Reflectance (OR) has been applied to measure the reflectivity spectra for each sample. It has been shown that there is a strong correlation between the optical reflectivity of DBR mirrors and their chemical composition profile and structural quality. A departure from the designed structure of the DBR has been identified and its influence on the DBR’s reflectivity has been determined.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Use of Analytical Methods in Evaluation of Coptic Wall Paintings Conservation - A Case Study
Autorzy:
Ali, M.
Abd El Aal, S.
Mahgoub, G.
Sihame, A.
Turos, A.
Korman, A.
Stonert, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504111.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.En
07.60.Pb
Opis:
Egypt has a lot of ancient monasteries and churches, which were decorated with different kinds of wall paintings. Structure of these wall paintings consists of support, plaster and painting layers. Paintings deterioration is primarily due to physicochemical, natural and human factors. The most detrimental factors are bat patches, old varnish and organic waste of birds. All these lead to the gradual disappearance of paintings. Modern technology of conservation is focused on application of new materials for cleaning of wall paintings. Here we report on the use of enzymes, for cleaning surface of coptic wall paintings. Analytical techniques such as particle induced X-ray emission, Fourier transform infrared and optical microscopy were used to evaluate the enzymatic cleaning processes of coptic wall paintings and to identify the chemical composition of red, yellow and white pigments. Particle induced X-ray emission results indicated that there is no change in the chemical composition of the materials and pigments due to enzymatic cleaning. Fourier transform infrared and optical microscopy results confirmed the stability of organic medium before and after treatment of different kind of patches.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 171-176
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
Autorzy:
Turos, A.
Ratajczak, R.
Pągowska, K.
Nowicki, L.
Stonert, A.
Caban, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
Autorzy:
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Turos, A.
Nowicki, L.
Sathish, N.
Jóźwik, P.
Muecklich, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504096.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.82.Fk
61.85.+p
68.55.Ln
68.35.Dv
Opis:
A systematic study on structural defect buildup in 320 keV Ar-ion bombarded GaN epitaxial layers has been reported, by varying ion fluences ranged from 5 × $10^{12}$ to 1 × $10^{17}$ at./$cm^2$. 1 μm thick GaN epitaxial layers were grown on sapphire substrates using the metal-organic vapor phase epitaxy technique. Rutherford backscattering/channeling with 1.7 $MeV^4He$ beam was applied for analysis. As a complementary method high resolution transmission electron microscopy has been used. The later has revealed the presence of extended defects like dislocations, faulted loops and stacking faults. New version of the Monte Carlo simulation code McChasy has been developed that makes it possible to analyze such defects on the basis of the bent channel model. Damage accumulation curves for two distinct types of defects, i.e. randomly displaced atoms and extended defects (i.e. bent channel) have been determined. They were evaluated in the frame of the multistep damage accumulation model, allowing numerical parameterization of defect transformations occurring upon ion bombardment. Displaced atoms buildup is a three-step process for GaN, whereas extended defect buildup is always a two-step process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 153-155
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR
Measurement of long range surface flatness deviation of Si wafers by means of HR XRR method
Autorzy:
Mazur, K.
Sass, J.
Surma, B.
Piątkowski, B.
Wnuk, A.
Gładki, A.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192401.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
płytka Si
reflektrometria rentgenowska
Si wafers
X-Ray reflectrometry
Opis:
Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.
The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 5-22
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Lattice Deformation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As Epitaxial Layers Caused by Implantation with High Doses of 1 Mev Si Ions
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Graeff, W.
Turos, A.
Grötzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011027.pdf
Data publikacji:
1999-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.80.-x
Opis:
A series of highly perfect Al$\text{}_{0.45}$Ga$\text{}_{0.55}$ As epitaxial layers implanted with 1 MeV Si ions to the doses in a range 7×10$\text{}^{13}$-2×10$\text{}^{15}$ ions/cm$\text{}^{2}$ were studied with various conventional and synchrotron X-ray diffraction methods. The presently used methods allowed both the measurement of lattice parameter changes and strain induced deformation. The evaluation of complete strain profiles was also performed by numerical simulation of diffraction curves. It was found that the implantation induced considerable change of lattice parameter reached the maximum at the dose 3×10$\text{}^{14}$ ions/cm$\text{}^{2}$. The recorded curves proved also that the lattice parameter is almost constant in the near surface region of the implanted layers. The applied doses did not cause lattice amorphisation at room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 2; 289-293
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Phosphorus Release during Annealing of Au Contacts to InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923864.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The analysis of phosphorus release from Au/InP contacts heat treated at temperature from the range 360-480°C showed that P evaporation accompanies any stage of contact reaction. The use of encapsulating layer during contact annealing suppresses the loss of phosphorus and changes the kinetics of thermally activated interfacial reaction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Caban, P.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
ZnO monocrystal
ion implantation
radiation defect analysis
wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
monokryształ ZnO
implantacja jonów
analiza defektów radiacyjnych
Opis:
High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Heterogeneous Amorphization of P and As Implanted GaAs at Low Temperatures
Autorzy:
Krynicki, J.
Rzewuski, H.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924215.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.70.Tm
Opis:
Amorphization of P and As implanted GaAs at liquid nitrogen temperature has been investigated. The post-implantation damage was measured by means of Rutherford Backscattering (RBS) He$\text{}^{+}$ channeling technique. The critical dose and critical energy densities for amorphization were determined. From the results obtained it is concluded that for both ions the amorphization process can be satisfactorily described by the heterogeneous model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 871-875
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Microscopy and X-ray Diffraction Study of AlN Layers
Autorzy:
Kowalczyk, A.
Jagoda, A.
Mücklich, A.
Matz, W.
Pawłowska, M.
Ratajczak, R.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035486.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
52.77.Dq
Opis:
AlN nanocrystalline layers and superstructures are used in the modern optoelectronic technology as reflecting mirrors in semiconductor lasers. In the present work the properties of AlN films prepared by sputtering methods from an AlN target in reactive Ar + N plasma were investigated. The characterisation was performed with HRTEM, SEM, glancing angle XRD and RBS methods. The present measurements confirmed the polycrystalline structure of AlN layers and enabled the evaluation of their grain size. The roughness and thickness of the layers were additionally determined by ellipsometric and profilometric measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 221-225
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Transformations in Ion Bombarded InGaAsP
Autorzy:
Ratajczak, R.
Turos, A.
Stonert, A.
Nowicki, L.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504046.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.43.-j
61.72.-y
81.05.-t
82.80.-d
85.40.-e
Opis:
Damage buildup and defect transformations at temperatures ranging from 15 K to 300 K in ion bombarded InGaAsP epitaxial layers on InP were studied by in situ Rutherford backscattering/channeling measurements using 1.4 MeV $\text{}^4He$ ions. Ion bombardment was performed using 150 keV N ions and 580 keV As ions to fluences ranging from 5 × $10^{12}$ to 6 × $10^{14}$ at./$cm^2$. Damage distributions were determined using the McChasy Monte Carlo simulation code assuming that they consist of randomly displaced lattice atoms and extended defects producing bending of atomic planes. Steep damage buildup up to amorphisation with increasing ion fluence was observed. Defect production rate increases with the ion mass and decreases with the implantation temperature. Parameters of damage buildup were evaluated in the frame of the multi-step damage accumulation model. Following ion bombardment at 15 K defect transformations upon warming up to 300 K have also been studied. Defect migration beginning above 100 K was revealed leading to a broad defect recovery stage with the activation energy of 0.1 eV for randomly displaced atoms and 0.15 eV for bent channels defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 136-139
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 20

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies