Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

X-ray Standing Waves and Rutherford backscattering Studies of the Structure of Si Single Crystals Implanted with Fe Ions

Tytuł:
X-ray Standing Waves and Rutherford backscattering Studies of the Structure of Si Single Crystals Implanted with Fe Ions
Autorzy:
Vartanyantz, I. A.
Auleytner, J.
Nowicki, L.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945411.pdf
Data publikacji:
1996-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 5-6; 625-633
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy in channelling geometry were applied for the investigation of the structure of silicon single crystals implanted with 80 keV Fe ions. Both methods were used for the determination of crystal damage and lattice location of implanted metal atoms before and after thermal annealing. Both methods gave consistent results regarding the amorphization of Si due to the Fe-ion implantation. Moreover, using both methods some Fe substitution fraction was determined. The depth profiles of implanted atoms were compared to the results of computer simulations. Complementary use of X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy channelling techniques for studies of radiation damage and lattice location of implanted atoms is discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies