Heterogeneous Amorphization of P and As Implanted GaAs at Low Temperatures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Heterogeneous Amorphization of P and As Implanted GaAs at Low Temperatures
Autorzy:: Krynicki, J.
Rzewuski, H.
Turos, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924215.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.80.Jh
61.70.Tm
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 871-875
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Amorphization of P and As implanted GaAs at liquid nitrogen temperature has been investigated. The post-implantation damage was measured by means of Rutherford Backscattering (RBS) He$\text{}^{+}$ channeling technique. The critical dose and critical energy densities for amorphization were determined. From the results obtained it is concluded that for both ions the amorphization process can be satisfactorily described by the heterogeneous model.

Informacja

Powiązane pozycje