Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Przybytek, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Hydrostatic-Pressure Deep Level Transient Spectroscopy Study of the Heteroantisite Antimony Level in GaAs
    Autorzy:
    Babiński, A.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Omling, P.
    Samuelson, L.
    Słupiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923855.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    62.50.-p
    Opis:
    We present some preliminary results of the first hydrostatic-pressure study of the electronic level related to the Sb-heteroantisite defect in GaAs. We studied two kinds of n-type GaAs samples doped with antimony: bulk samples grown by liquid encapsulated Czochralski method and thin layers grown by metalorganic chemical vapour deposition technique. We found strongly nonlinear pressure dependence of the activation energy of the emission rate for the level. Moreover, the results obtained for the bulk material were fairly different from those obtained for thin metalorganic chemical vapour deposition layers. The possible explanation of this difference is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 841-844
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On the Pinning of the Fermi Level by Germanium A$\text{}_{1}^{0}\text{}^{/}\text{}^{+}$ Deep Donor State in GaAs Codoped with Ge and Te
    Autorzy:
    Słupiński, T.
    Nowak, G.
    Przybytek, J.
    Stępniewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929765.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    Opis:
    We present the possibility of GaAs:Ge,Te crystals growth from the melt (liquid encapsulated Czochralski method) with partially occupied, at ambient pressure, the A$\text{}_{1}$ localized electronic state of Ge$\text{}_{Ga}$ impurity. In as-grown crystals the amphotericity of Ge and creation of defects (deep acceptor complexes, precipitates etc.) during cooling after growth limit the free electron concentration below the value necessary to populate the A$\text{}_{1}^{0}\text{}^{/}\text{}^{+}$ level. Special annealing of the samples, which enlarges the free electron concentration, was used. The occupation of A$\text{}_{1}^{0}\text{}^{/}\text{}^{+}$ level, at ambient pressure, was observed by pressure dependent Hall effect measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 807-811
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrostatic Pressure Study of MBE CdMnTe Doped with Bromine
    Autorzy:
    Szczytko, J.
    Wasik, D.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Waag, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934026.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Gs
    73.61.Ga
    Opis:
    We present Hall effect and resistivity measurements as a function of pressure performed on MBE-grown Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (with x = 0.14) layer (1 μm) doped with bromine. The experimental data were analysed using positive and negative U model of the Br centres. We found that both models could reproduce the experimental points, but in the case of positive U model - only under assumption that the sample was completely uncompensated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 933-936
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spatial Correlations of Donor Charges in MBE CdTe
    Autorzy:
    Suski, T.
    Wiśniewski, P.
    Litwin-Staszewska, E.
    Wasik, D.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Zakrzewski, A.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934021.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    71.55.Gs
    Opis:
    We present experimental evidence that at high pressures indium donors in CdTe localize electrons in spatially correlated manner. We have studied Hall mobility, μ$\text{}_{H}$, as a function of electron concentration, n$\text{}_{H}$, at T=77 K. Changes of n$\text{}_{H}$ have been achieved by two methods. High pressure freeze-out of electrons onto localized states of In-donors leads to the mobility enhancement with respect to the situation when n$\text{}_{H}$ has been modified by means of a subsequent annealing of the sample. As a result, depending on the degree of spatial correlations in the impurity charges arrangement, different values of μ$\text{}_{H}$ correspond to the same value of n$\text{}_{H}$. The variation of mobility with electron concentration suggests that the localized state of In-donor represents likely negatively charged DX state.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 929-932
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stabilization of the Distorted Configuration of the EL2 Defect Induced by the Free Electron Capture in GaAsP
    Autorzy:
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Słupiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933962.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    Our results of optical absorption, electronic transport and deep level transient spectroscopy measurements performed on n-type GaAs$\text{}_{1-x}$P$\text{}_{x}$ (x ≈ 0.2) strongly suggest that using both an enlarged-gap material (compared to GaAs) and hydrostatic pressure we can push down the acceptor level of the distorted configuration of the EL2 defect, (EL2*) $\text{}^{–}\text{}^{/}\text{}^{0}$ , sufficiently low into the gap that the distorted configuration of the EL2 defect, EL2*, becomes stabilized.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 881-884
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High-Pressure Magnetotransport Measurements of Resonant Tunnelling via X-Minimum Related States in AlAs Barrier
    Autorzy:
    Gryglas, M.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Eaves, L.
    Henini, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2028835.pdf
    Data publikacji:
    2001-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.43.Jn
    73.63.Hs
    Opis:
    In this paper, we present the results of magnetotransport experiments performed on a single barrier GaAs/AlAs/GaAs heterostructures. Tunnel current was measured as a function of magnetic field for different values of bias voltage and hydrostatic pressure. We observed that the amplitude of the magnetooscillations of tunnel current quenched when the requirements for resonant tunnelling were met and it recovered in out-of-resonance conditions. This effect was observed both for tunnelling through donor states and through X-minimum related quasiconfined conduction band states. The fact that also in the latter case the amplitude was restored suggests that this process involved X$\text{}_{z}$ subbands and took place without a participation of phonons (the so-called k$\text{}_{ǁ}$-conserving process).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 403-408
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Current Fluctuations in Single Barrier Vertical GaAs/AlAs/GaAs Tunneling Devices
    Autorzy:
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047380.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.Td
    73.40.Gk
    73.43.Jn
    Opis:
    We report the experimental results of the low temperature (T = 4.2 K) low-frequency current fluctuations measurements in the single-barrier resonant tunneling GaAs/AlAs/GaAs device with Siδ-doping in the center of the 10 nm thick AlAs barrier. The dimensions of the device were 200μm by 200μm. For the biasing voltages 0.1 V<|U|<1 V we observed the Fano factors between F = 0.7 and F = 0.95. We explain it by the existence of the trapping centers/imperfections/resonant levels inside the barrier participating in the transport for this range of voltages. Only for the smallest biasing voltages the Fano factor tends to F = 1, expected for a highly nontransparent barrier.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 221-226
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Observation of Thermally-Activated Electron Traps in GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures in Low-Frequency Noise Measurements
    Autorzy:
    Przybytek, J.
    Stankiewicz, R.
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Baj, M.
    Cavanna, A.
    Faini, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048142.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.50.Td
    73.40.Gk
    Opis:
    During our investigations of tunneling process in thin 7 nm thick GaAs/AlAs/GaAs vertical single-barrier tunneling structure with Si δ-doping inside the barrier we have observed fluctuations of the tunneling current which exhibited large Lorentzian noise with intensity depending on biasing voltage. We have shown that Lorentzian noise originates from multilevel random telegraph noise of the small number of fluctuators which influence the tunneling process. Time-domain analysis of the current noise measured for temperatures between 4.2 K and 50 K enabled to determine the thermal activation energies of these fluctuators lying between 0.8 and 3 meV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 723-725
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
    Autorzy:
    Lewińska, S.
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Jouault, B.
    Gennser, U.
    Ouerghi, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.-r
    71.20.Nr
    73.23.Hk
    73.63.Hs
    72.10.Di
    85.30.Mn
    73.40.Gk
    Opis:
    Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Epitaxial Strain on Magnetic Anisotropy in (Ga,Mn)As
    Autorzy:
    Juszyński, P.
    Wasik, D.
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Przybytek, J.
    Szczytko, J.
    Twardowski, A.
    Sadowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403622.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    75.47.-m
    Opis:
    Two (Ga,Mn)As samples having different magnetic anisotropy (one with in-plane easy axis and another one with out-of-plane easy axis) were studied by means of magnetotransport experiments. Anisotropy field B_{A} was determined for both samples as a function of temperature. For the sample having in-plane easy axis, an inversion of the direction of planar Hall effect hysteresis was observed upon increase of temperature. This result was simulated using the Stoner-Wohlfarth model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1004-1006
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermoplastic elastomer filaments and their application in 3D printing
    Termoplastyczne włókna elastomerowe i ich zastosowanie w druku 3D
    Autorzy:
    Przybytek, A.
    Kucińska-Lipka, J.
    Janik, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/272636.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Inżynierii Materiałów Polimerowych i Barwników
    Tematy:
    3D printing
    flexible filaments
    thermoplastic elastomer
    TPE
    thermoplastic polyurethane
    TPU
    druk 3D
    włókna elastyczne
    elastomer termoplastyczny
    termoplastyczny poliuretan
    Opis:
    The paper provides an overview on the materials used in the 3D printing technology (the Polish and foreign market) with a particular focus on flexible filaments and their possible application in the industry. There are described the techniques of 3D printing and modern filaments available on the market. There is observed the increase of interest in the production of products from filaments based on thermoplastic elastomers (TPE), including the applications in the electronics and medicine, especially in tissue engineering. Ability to modify the physical and mechanical properties of thermoplastic elastomers, combined with their unique elastic and processability properties, opens new possibilities for engineers, designers and bio-engineers. The possibility to use new materials in 3D printing can contribute to faster development of research and accelerates implementation of innovative products.
    Praca stanowi przegląd dostępnych na rynku krajowym i zagranicznym materiałów używanych w technologii druku 3D. Szczególną uwagę poświęcono elastycznym włóknom (ang. flexible filaments) oraz ich potencjalnemu zastosowaniu w przemyśle. Przedstawiono i oceniono stosowane technologie druku 3D. Scharakteryzowano nowoczesne włókna kompozytowe, ich właściwości i zastosowanie. Opisano także najnowsze doniesienia literaturowe związane z otrzymywaniem nowoczesnych termoplastycznych elastomerów (TPE) do wykorzystania w technologii druku 3D. Na podstawie przeanalizowanych publikacji zauważono ogromny wzrost zainteresowania wykorzystaniem termoplastycznych poliuretanów (TPU) w przemyśle elektronicznym, medycznym oraz obuwniczym. Dostępne na rynku nowoczesne produkty wykonane przy użyciu drukarek 3D z wykorzystaniem TPU, potwierdzają te doniesienia. Interesujące jest wykorzystanie wodnych dyspersji TPU z możliwą kontrolą bioaktywności do zastosowań w inżynierii tkankowej. Dodatek do wodnych dyspersji TPU, biopolimerów lub poli(tlenku etylenu) (PEO) powoduje znaczny wzrost ich lepkości. Pozwala to na użycie tego materiału w drukarkach 3D w technologii niskotemperaturowego drukowania (LFDM). Możliwość kontrolowanej zmiany właściwości fizycznych i mechanicznych, wyjątkowa elastyczność, trwałość oraz łatwość przetwórstwa termoplastycznych elastomerów otwierają nowe możliwości wykorzystania druku 3D. Dzięki temu technologia ta przestaje być narzędziem jedynie do prototypowania – umożliwia ona drukowanie materiałów gotowych do użytku na skalę przemysłową.
    Źródło:
    Elastomery; 2016, 20, 4; 32-39
    1427-3519
    Pojawia się w:
    Elastomery
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Polyurethanes as a Potential Medical-Grade Filament for Use in Fused Deposition Modeling 3D Printers – a Brief Review
    Poliuretany jako potencjalnefilamenty klasy medycznej do druku 3D w technologii Fused Deposition Modeling (FDM) – krótki przegląd literatury
    Autorzy:
    Przybytek, A.
    Gubańska, I.
    Kucińska-Lipka, J.
    Janik, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/234343.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
    Tematy:
    medical-grade polyurethanes
    filaments
    Fused Deposition Modeling
    FDM
    3D printing
    medyczne poliuretany
    filamenty
    modelowanie osadzania stopionego
    drukowanie 3D
    Opis:
    The possibility of using 3D printing technology (3DP) in medical field is a kind of revolution in health care. This has contributed to a rapid growth in demand for 3D printers, whose systems and materials are adapted to strict medical requirements. In this paper, we reporta brief review of polyurethanes as a potential medical-grade filament for use in Fused Deposition Modeling (FDM) 3D printer technology. The advantages of polyurethanes as medical materials and the basic operating principles of FDM printers are presented. The review ofpresent solutions in the market and literature data confirms the large interest in 3D printing technologies for the production of advanced medical devices. In addition, it is shown that thermoplastic-elastomer polyurethanes may be an effective widespread class of material inthe market as thermoplastic filament for FDM 3D printers.
    Możliwość stosowania technologii druku 3D (3DP) do zastosowań w medycynie stanowi swego rodzaju rewolucję w służbie zdrowia. Przyczyniło się to do znaczącego wzrostu zapotrzebowania na nowe drukarki oraz materiały, które są dostosowane do wymagań medycznych. W artykule przedstawiono zalety materiałów poliuretanowych, które mogą znaleźć zastosowanie jako filamenty klasy medycznej do druku 3D w technologii Fused Deposition Modeling (FDM). Opisano również podstawowe zasady działania drukarek FDM. Przegląd dostępnych rozwiązań przemysłowych oraz doniesień literaturowych potwierdził słuszność stosowania technologii druku 3D do produkcji spersonalizowanych wyrobów medycznych, wskazując jednocześnie na niewystarczającą liczbę dostępnych certyfikowanych biomedycznych materiałów dedykowanych tej technologii.
    Źródło:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2018, 6 (132); 120-125
    1230-3666
    2300-7354
    Pojawia się w:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies