Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Transport in GaAs/AlAs/GaAs [111] Tunnel Junctions
Autorzy:: Lewińska, S.
Gryglas-Borysiewicz, M.
Przybytek, J.
Baj, M.
Jouault, B.
Gennser, U.
Ouerghi, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2047930.pdf
Data publikacji:: 2011-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.61.-r
71.20.Nr
73.23.Hk
73.63.Hs
72.10.Di
85.30.Mn
73.40.Gk
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 606-608
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Resonant tunneling in single-barrier GaAs/AlAs/GaAs junctions grown in [111] direction was studied for samples with different concentration of silicon δ-doping in AlAs. In the I(V) characteristics, measured at 4 K, two kinds of peaks were observed: related to resonant tunneling via donors states in the barrier, and through X-minimum quantum well subbands. The results are compared to those previously obtained for analogous samples grown along [001] direction. The investigations reveal different symmetry of donor states in both cases.

Informacja

Powiązane pozycje