Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kudła, D." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Analiza niejednorodności mechanicznych nawierzchni i podtorza w obrębie obiektu mostowego
    An analyss of track and subgrade non-homogeneity within the approach zones to bridges
    Autorzy:
    Sołkowski, J.
    Kudła, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/249035.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Komunikacji Rzeczpospolitej Polskiej
    Tematy:
    nawierzchnie podsypkowe
    obiekty mostowe
    nawierzchnie bezpodsypkowe
    strefa przejściowa
    efekt progowy
    ballasted tracks
    bridges
    ballastless track
    track stiffness
    transition zone
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki modelowania niejednorodności nawierzchni i podtorza w strefie przejściowej oraz przedstawiono podsumowanie badań literatury w zakresie tzw. efektu progowego. Do obliczeń wykorzystano dwa modele obliczeniowe i porównano wyniki, które wskazują na dobrą zbieżność. W wyniku analiz oraz przeglądu literatury zaproponowano podział efektu progowego na tzw. pierwotny oraz wtórny. Wskazano, że obecnie stosowane zabiegi w strefie przejściowej są niewystarczające, gdyż nie redukują one pewnych zjawisk na styku różnych nawierzchni, a jedynie zmniejszają skutki niekorzystnych oddziaływań.
    In the paper some results of modelling of track and subgrade non- homogeneities are presented on the basis of literature review with regard to the so-called transition effect. Two models are used: a FEM and FDM. The results are compared with good agreement. In result of the lculations and literature review the so-called transition effects were divided into two types: primary one which concerns mechanical differences between connected tracks and a secondary one which concerns the geometrical degradation of the track and subgrade. A need to extend the current engineering practice of subgrade strengthening by adding an element that would strengthen the track in bending is pointed out.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowo-Techniczne Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Komunikacji w Krakowie. Seria: Materiały Konferencyjne; 2016, 2(109); 165-175
    1231-9171
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowo-Techniczne Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Komunikacji w Krakowie. Seria: Materiały Konferencyjne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wykonawstwo stref przejściowych do obiektów mostowych i aspekty modelowania numerycznego oddziaływania pojazd-nawierzchnia-podtorze
    Performance of transition zones to bridges and aspects of numerical modelling of the vehicle-track-subgrade interaction
    Autorzy:
    Sołkowski, J.
    Kudła, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/249028.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Komunikacji Rzeczpospolitej Polskiej
    Tematy:
    strefa przejściowa
    sztywność nawierzchni
    sztywność podtorza kolejowego
    efekt progowy
    transition zone
    track and subgrade stiffness
    transition effect
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sztywności nawierzchni i podtorza w obszarze obiektów mostowych, które zostały wykonane po ich modernizacji. Na podstawie danych uzyskanych z pomiarów przeprowadzono symulacje komputerowe przejazdów pociągu testowego na analizowanych odcinkach toru (siedem stref przejściowych) stwierdzając dobrą zgodność obliczeń z pomiarami co do przewidywanych ugięć szyny. Ponadto porównano obliczenia z wykorzystaniem modeli w Metodzie Różnic Skończonych z modelami w Metodzie Elementów Skończonych (2D oraz 3D), także stwierdzając dobrą zgodność wyników. Poddano dyskusji wpływ nieliniowości podłoża na uzyskiwane wyniki obliczeń oraz ewentualne rozszerzenie pomiarów.
    In the paper the field measurements concerning track and subgrade stiffness within bridge abutments and transition zones have been presented. On the basis of the field data the numerical calculations have been performed using the Finite Difference Model and Finite Element Models (2D and 3D). Good agreement between the measured rail deflections and calculated deflections has been found. The influence of the foundation nonlinearities on the obtained rail deflections has been discussed.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowo-Techniczne Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Komunikacji w Krakowie. Seria: Materiały Konferencyjne; 2013, 2(101); 275-289
    1231-9171
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowo-Techniczne Stowarzyszenia Inżynierów i Techników Komunikacji w Krakowie. Seria: Materiały Konferencyjne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania czujników ugięć szyn oraz całkowanie sygnału z czujnika przyspieszeń pionowych szyn
    Laboratory testing of rail deflection sensors and research into possibility of obtaining displacements from vertical rail acceleration time histories
    Autorzy:
    Sołkowski, J.
    Górszczyk, J.
    Kudła, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/252635.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    szyna
    ugięcie
    badanie
    czujnik
    splint
    deflection
    study
    sensor
    Opis:
    W artykule przedstawiony został problem dokładności pomiarów przemieszczenia w laboratoryjnych badaniach dynamicznych z użyciem różnych typów czujników. Przeanalizowano trzy typy czujników mierzących ugięcie szyny, czujnik laserowy, magneto-indukcyjny oraz wiroprądowy. Wyniki uzyskane za pomocą poszczególnych czujników porównywano miedzy sobą oraz z wzorcowym wymuszeniem kinematycznym zrealizowanym za pomocą serwohydraulicznej maszyny wytrzymałościowej. Ponadto przedstawiono wynik całkowania rzeczywistego sygnału przyspieszeń szyny w celu uzyskania wykresów ugięć. Wyniki przedstawiono w postaci wykresów i tabel. Stwierdzono, że najlepszą zgodność z sygnałem generowanym przez maszynę wytrzymałościową uzyskał czujnik magneto indukcyjny. W zakresie całowania sygnału przyspieszeń pionowych szyny w celu uzyskania ugięć szyny stwierdzono możliwość stworzenia odpowiedniej metody pomiarowej. Jednakże na obecnym etapie nie może być ona jeszcze zastosowana jako rutynowa metoda pomiarowa, gdyż jej skuteczność wynosi ok. 20%. Autorzy pracują nad jej udoskonaleniem.
    In the paper the problem of accuracy of rail displacement sensors is discussed. The sensors were tested in laboratory conditions using a hydraulic press as the template for cinematically enforced displacement. The measured displacements (up to 30Hz) were compared with one another and the most promising sensor was chosen. In the next step of the investigations, a field research was carried out in order to verify the practicality of the selected sensor (that was magnetic induction sensor). Moreover, an attempt was made to obtain a reliable rail displacement signal by double integration of the vertical rail acceleration. At the moment, however, the efficiency of the proposed method is at a level of 20%, which is not sufficient for practical routine procedures. The authors continue to work in order to refine the method and implement it into railway practice.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2016, 12; 205-215
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure
    Autorzy:
    Kudła, A.
    Przewłocki, H.
    Brzezińska, D.
    Borowicz, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308842.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    MIS structure
    photoelectrical methods
    internal photoemission
    contact potential difference
    Opis:
    We have shown that using focused UV laser beam in photoelectric methods it is possible to measure local phi MS values over the gate area of a single MOS structure. The phi MS distribution is such that its values are highest far away from the gate edges regions, lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. Examples of measurement results and description of the measurement system are presented. The dependence of the phi MS value on the exposure time and the power density of UV light is discussed.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 112-114
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Variability of the local phi MS values over the gate area of MOS devices
    Autorzy:
    Przewłocki, H. M.
    Kudła, A.
    Brzezińska, D.
    Massoud, H. Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308803.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    MOS structure
    photoelectric measurements
    electrical parameters
    mechanical stress
    Opis:
    The local value distributions of the effective contact potential difference (ECPD or the phi MS factor) over the gate area of Al-SiO2-Si structures were investigated for the first time. A modification of the photoelectric phi MS measurement method was developed, which allows determination of local values of this parameter in different parts of metaloxide-semiconductor (MOS) structures. It was found that the phi MS distribution was such, that its values were highest far away from the gate edge regions (e.g., in the middle of a square gate), lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. These results were confirmed by several independent photoelectric and electrical measurement methods. A model is proposed of this distribution in which the experimentally determined phi MS (x; y) distributions, found previously, are attributed to mechanical stress distributions in MOS structures. Model equations are derived and used to calculate phi MS (x; y) distributions for various structures. Results of these calculations remain in agreement with experimentally obtained distributions. Comparison of various characteristics calculated using the model with the results of photoelectric and electrical measurements of a wide range of Al-SiO2-Si structures support the validity of the model.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 34-44
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The lateral distribution of the effective contact potential difference over the gate area of MOS structures
    Autorzy:
    Przewłocki, H. M.
    Kudła, I.
    Brzezińska, D.
    Borowicz, L.
    Sawicki, Z.
    Massoud, H. Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378397.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    The lateral distribution of the effective contact potential difference (ECPD), often referred to as the work-function difference φMS, was determined experimentally for the first time over the gate area of a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. The photoelectric method for measuring φMS in MOS devices was modified to characterize the lateral distribution of ECPD. In square MOS gates, it is found that φMS values were highest in the center area of the gate, lower along the gate edges, and lowest at the gate corners. These results were confirmed by several independent photoelectric and electrical measurement methods. A model is proposed, in which the experimentally determined φ(x,y) distributions, are attributed to mechanical stress distribtitions in MOS structures. Equations are derived allowing calculation of φMS(x,y) distributions for various structures. Results of these calculations remain in agreement with experimentally obtained distributions.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 6; 1-6
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies