Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Figielski, T." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 22
Tytuł:
Electron Emission from Extended Defects in DLTS Experiment
Autorzy:
Figielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879484.pdf
Data publikacji:
1991-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
Opis:
Dislocations parallel to a Schottky junction are considered as an example of well defined extended defects, and their behaviour in DLTS experiment is examined. A possibility of electron hopping between different traps of the defect, and inter-electronic Coulomb interaction are taken into account. Thermal electron emission from the considered defects is no longer exponential with time and consequences of this fact are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 137-140
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transit Time of Electron Tunneling Through a Potential Barrier
Autorzy:
Figielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921563.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.-w
73.40.Gk
Opis:
The average transit time of electron tunneling through a potential barrier is newly defined and examined without using the concept of a wave packet and without solving explicitly the time dependent Schrödinger equation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 653-655
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Traversal Time through Double-Barrier Resonant Tunneling Structure
Autorzy:
Figielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929681.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
There are certain confusing statements in the literature concerning a physical time that is responsible for a high-frequency limit in operation of double-barrier resonant tunneling devices. Here, it is shown that an electron traversal time, introduced earlier by ours, exhibits no singularity on resonance and might be a good candidate for the quantity in question.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 587-589
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantum-Interference Semiconductor Devices Revisited
Autorzy:
Figielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027427.pdf
Data publikacji:
2001-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.23.-b
85.30.De
Opis:
First, a simple semiclassical approach has been applied to the problem of a quantum phase acquired by an electron carrying both the charge and spin, which travels in an electromagnetic field. Basic hypothetical devices whose operation relies on the quantum interference, including spin-related interference, are discussed in the following. Finally, experimental results demonstrating two-beam interference in a planar quantum dot are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 99, 6; 699-708
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Puzzle of the 0.7 Anomaly in Conductance of Quantum Point Contact Reexamined
Autorzy:
Figielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399104.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.23.Ad
73.61.Ey
72.25.-b
03.65.Ge
Opis:
A novel approach to the solution of the long-standing problem, called 0.7 anomaly in quantum point contact, is proposed. It is based on fundamental principles of quantum mechanics and can explain all main properties of the anomaly.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 841-842
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Energy Levels and Electrical Activity of Dislocation Electron States in GaAs
Autorzy:
Wosiński, T.
Figielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924306.pdf
Data publikacji:
1993-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.70.-r
71.55.Eq
Opis:
Experimental results are presented confirming that the two energy levels in GaAs: E$\text{}_{c}$ - 0.68 eV and E$\text{}_{v}$ + 0.37 eV, discovered in plastically deformed crystals, belong actually to dislocations. In view of recent identification of the electron state of misfit dislocations at an InGaAs/GaAs interface, a correspondence between these levels and dislocation types has been reinterpreted. The first mentioned leve1 belongs likely to α while the second one to β dislocations of 60° (glide set) type. Such a correspondence is compatible with the observed effect of irradiation on dislocation glide motion in GaAs. It is also argued that these energy levels are involved in the phenomenon of unquenchability of the EL2 defects placed in high-stress regions near dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 51-58
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Interface Roughness on Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950747.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
68.35.Ct
Opis:
We argue that the well-boundary roughness in a double-barrier heterostructure induces subsidiary subbands in the quantum well which, in turn, lead to the appearance of a broad shoulder beyond the principal resonance peak in the current-voltage characteristics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of the Coulomb Blockade at 77 K in a Lattice-Mismatched GaAs/Si Heterojunction
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Riesz, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968070.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Lk
73.40.Gk
73.40.Kp
Opis:
We investigated current-voltage characteristics of a lattice-mismatched GaAs(n)/Si(p) heterojunction. For low bias voltages at 77 K it exhibits a behaviour characteristic of the Coulomb blockade. We discuss why this unexpected phenomenon can occur in the investigated structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 745-748
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On Electrostatic Aharonov-Bohm Effect in Solids
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969073.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.Bz
72.15.Gd
Opis:
We analyse conditions for an appearance of the electrostatic Aharonov- Bohm interference in two systems: a single-channel quantum-wire loop and an open ballistic quantum dot. We show that in the first system the effect will be destroyed by charge fluctuations, which probably is the reason why it has not been clearly observed, while in the second system the effect is still open for exploration.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 305-308
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures with an Accumulation Layer
Autorzy:
Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wrotek, S.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992612.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
73.50.Jt
85.30.Mn
Opis:
Two modes of electron gas injection in resonant tunnelling through GaAs/AlGaAs double-barrier heterostructures were revealed while studying their current-voltage characteristics. Examining peculiarities of the characteristics within the temperature range 4-350 K and under a high magnetic field, we were able to distinguish the contribution to resonant tunnelling of ballistic electrons injected from a three-dimensional electron gas in the emitter contact and that of electrons injected from a two-dimensional electron gas in the accumulation layer formed near the emitter barrier.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Aharonov-Bohm Effect at Misfit Dislocations in GaAsSb/GaAs Heterostructures
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Raczyńska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950746.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.Fk
73.40.Kp
03.65.Bz
Opis:
We examined the current flowing through p$\text{}^{+}$-n junction of the lattice mismatched GaAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$/GaAs heterostructure in a transverse magnetic field at 1.8 K. We have found the appearance of current oscillations, periodic as a function of the magnetic field, that are due to the Aharonov-Bohm effect of holes passed around charged dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 773-776
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic and Magneto-Transport Characterization of (Ga,Mn)(Bi,As) Epitaxial Layers
Autorzy:
Levchenko, K.
Andrearczyk, T.
Domagala, J.
Wosinski, T.
Figielski, T.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195381.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.30.Gw
73.50.Jt
85.75.-d
Opis:
High-quality layers of the (Ga,Mn)(Bi,As) quaternary compound semiconductor have been grown by the low-temperature molecular-beam epitaxy technique. An effect of Bi incorporation into the (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor and the post-growth annealing treatment of the layers have been investigated through examination of their magnetic and magneto-transport properties. Significant enhancement of the planar Hall effect magnitude upon addition of Bi into the layers is interpreted as a result of increased spin-orbit coupling in the (Ga,Mn)(Bi,As) layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1121-1124
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Inelastic Electron Scattering in Double-Barrier Resonant Tunneling Structure Revealed with Photoexcitation
Autorzy:
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Harness, P. C.
Singer, K. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929767.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
We investigated current-voltage and photocurrent-voltage characteristics of a double-barrier resonant tunneling structure based on AlGaAs. To explain the observed "double-step" feature of the characteristics, we have proposed a mechanism including a multiple phonon emission of an electron dwelling in the quantum well.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 817-819
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistability of (Ga,Mn)As Ferromagnetic Nanostructures Due to the Domain Walls Switching
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791342.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
85.75.-d
Opis:
We designed and investigated four-arm nanostructures, composed of two perpendicularly crossed stripes, fabricated from ferromagnetic (Ga,Mn)As layer by means of electron-beam lithography patterning and chemical etching. The nanostructures exhibit a bistable resistance behavior resulting from two configurations of magnetic domain walls in the central part of the structures. We demonstrate a possibility of switching between two stable resistance states in zero magnetic field by applying a pulse of either weak magnetic field or electric current through the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 901-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Three- versus Two-Dimensional Electron Gas Injection in Resonant Tunnelling
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkοsa, A.
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933735.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
A small "precursor" of resonance is observed before the main resonance peak in the current-voltage characteristic of double-barrier resonant-tunnelling devices. The competition between the precursor and main-peak current is examined within the temperature range 4.2-400 K. The precursor is interpreted as 3DEG contribution to the resonant tunnelling dominated by a 2DEG injection from a triangular well formed under bias in the emitter spacer layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 707-710
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 22

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies