Effect of Interface Roughness on Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Effect of Interface Roughness on Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950747.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
68.35.Ct
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We argue that the well-boundary roughness in a double-barrier heterostructure induces subsidiary subbands in the quantum well which, in turn, lead to the appearance of a broad shoulder beyond the principal resonance peak in the current-voltage characteristics.

Informacja

Powiązane pozycje