Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Fedotov, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-22 z 22
    Tytuł:
    Micro-Raman Investigation of Hydrogen Localized in Cone-Shaped Defects Formed on the Silicon Wafer Surface
    Autorzy:
    Frantskevich, N.
    Fedotov, A.
    Frantskevich, A.
    Mazanik, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1366278.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Am
    61.72.uf
    Opis:
    The goal of this work is the micro-Raman study of molecular hydrogen localized in cone-shaped defects, which are formed on the surface of previously helium implanted and annealed Czochralski Si wafers as a result of hydrogen plasma treatment. The line at ≈ 4158 $cm^{-1}$ corresponding to molecular hydrogen is observed in the Raman spectra when the laser beam is focused both on cone-shaped defects or defect-free regions of the surface. The laser irradiation of cone-shaped defects during micro-Raman experiments leads to intensity increase of this line when the irradiation time is increasing, with subsequent appearance of lines at ≈ 3621 and ≈ 3698 $cm^{-1}$ and simultaneous disappearance of 4158 $cm^{-1}$ line. No such effect was observed when the laser beam was focused on defect-free regions. The experiments have shown that heat treatment of the samples studied causes the appearance in the Raman spectra of lines at ≈ 3468, ≈ 3621, and ≈ 3812 $cm^{-1}$, which can be associated with molecular hydrogen.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1332-1334
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of effective management in electric power companies
    Mechanizmy efektywnego zarządzania w przedsiębiorstwach energetycznych
    Autorzy:
    Vagapova, N.
    Fedotov, A.
    Sidorov, A.
    Vagapov, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/405611.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska
    Tematy:
    efficiency
    electric power company
    manager
    soft skills
    self-management skill
    wydajność
    przedsiębiorstwo energetyczne
    menedżer
    umiejętności miękkie
    umiejętność samozarządzania
    Opis:
    The problem of efficiency of electric power companies is quite relevance. The conducted researches in this area are directed on different aspects of activity of the companies. However, the problem of effective management from the point of the competency approach is researched in a less degree. Competency approach is one of the important factors of the success of business projects. The reason is in its effects of the development of organizations, and consequently the business success and profit. The paper gives analysis of significance value of soft skills and self-management skill for effective activity of managers of electric power companies. The authors indicate the high importance of the group of soft skills and self-management skill as one of the base of soft skills for effective manager of electric power companies. Performed research has shown that soft skill and self-management skill are the important property of managers. Soft skills and self-government skill are able to influence the overall performance of managers. The processes of managing of soft skills and self-management skill are becoming important.
    Problem efektywności przedsiębiorstw energetycznych jest dość istotny. Przeprowadzone badania w tej dziedzinie są kierowane na różne aspekty działalności firm. Jednakże problem skutecznego zarządzania z punktu podejścia kompetencyjnego bada się w mniejszym stopniu. Podejście kompetencyjne jest jednym z najważniejszych czynników powodzenia projektów biznesowych. Powodem jest jego wpływ na rozwój organizacji, a w konsekwencji biznesowego powodzenia i zysku. Niniejszy artykuł analizuje znaczenie wartości umiejętności miękkich i umiejętności samozarządzania dla efektywnej działalności menedżerów przedsiębiorstw energetycznych. Autorzy wskazują na duże znaczenie grupy miękkich umiejętności i umiejętności samozarządzania jako jednej z podstaw miękkich umiejętności skutecznego menedżera przedsiębiorstw energetycznych. Przeprowadzone badania wykazały, że miękkie umiejętności i umiejętność samozarządzania są ważnymi cechami menedżerów. Miękkie umiejętności i umiejętność samozarządzania są w stanie wpływać na ogólną wydajność menedżerów. Procesy zarządzania umiejętnościami miękkimi i umiejętnością samodzielnego zarządzania stają się ważne.
    Źródło:
    Polish Journal of Management Studies; 2016, 13, 2; 183-191
    2081-7452
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Management Studies
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Annealing on the Electrical Properties οf Cz-Si Wafers Previously Subjected to the Hydrogen Ion-Beam Treatment
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Korolik, O.
    Mazanik, A.
    Kołtunowicz, T.
    Żukowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503985.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uf
    81.40.Ef
    Opis:
    The main goal of this work is to establish the influence of annealing on the properties of Cz-Si wafers previously subjected to the hydrogen ion-beam treatment at 25 or 300-350°C. It is demonstrated by the conducted study that, despite similarity in the effects of the hydrogen ion-beam treatment at different temperatures on some electrical properties of the wafers (photovoltage spectra, thermoelectromotive force sign), thermal stability of changes in these properties due to the hydrogen ion-beam treatment depends on the hydrogenation temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 108-110
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Annealing of $(CoFeZr)_{x}(CaF_2)_{100-x}$ Nanocomposites Produced by the Ion-Beam Sputtering in the Ar and $O_2$ Ambient
    Autorzy:
    Kołtunowicz, T.
    Zhukowski, P.
    Bondariev, V.
    Fedotova, J.
    Fedotov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400483.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.23.Pq
    79.20.Rf
    81.40.Ef
    72.80.Le
    Opis:
    This paper presents the investigations of electrical properties and effect of annealing on conductivity of $(CoFeZr)_{x}(CaF_2)_{100-x}$ nanocomposites produced by ion-beam sputtering in the Ar and $O_2$ ambient. Investigations into conductivity of $(CoFeZr)_{x}(CaF_2)_{100-x}$ nanocomposites depending on the measuring temperature and the annealing temperature have been performed. The application of a combined argon-oxygen beam brings about lowering of the potential barrier on the surface of nanoparticles. In the course of annealing the additional oxidation occurs. First it proceeds on the surface and then all through the metallic-phase particles.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 932-934
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Percolation Phenomena in $Cu_{x}(SiO_{y})_{100-x}$ Nanocomposite Films Produced by Ion Beam-Sputtering
    Autorzy:
    Koltunowicz, T.
    Zukowski, P.
    Czarnacka, K.
    Svito, I.
    Fedotov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402230.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    84.37.+q
    72.80.Ga
    73.22.-f
    61.46.Df
    64.60.ah
    Opis:
    In this paper the results of examinations of nanocomposites $Cu_{x}(SiO_{y})_{100-x}$ produced by ion beam sputtering using argon ions were presented. The examinations were performed by the use of ac devices for measuring frequency in the range 50 Hz-1 MHz and temperatures from 81 K to 273 K. The measurements were performed for the samples directly after production. Based on temperature dependences of conductivity σ , which were determined at the frequency 100 Hz, the Arrhenius graphs were prepared. From these graphs conductivity activation energies ΔE were calculated. Dependences of conductivity and activation energy of electrons on the metallic phase content x at the frequency 100 Hz were determined. Analysis of the obtained dependences shows that conductivity is a parabolic function of the metallic phase content x in nanocomposites. Changes of activation energies of nanocomposites, in which metallic phase contents are in the ranges x < 12 at.% and x > 68 at.%, demonstrate negative values - metallic type of conductivity. In the range 12 at.% < x < 68 at.% activation energies have positive values - the dielectric type of conductivity. It was established that for the metallic phase content of about 68 at.% the real percolation threshold occurs, and the conduction changes from dielectric to metallic type.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 908-911
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DC conductivity mechanisms in granular nanocomposite films Cux(SiO2)1-x, deposited in Ar gas atmosphere
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Swito, I.
    Patryn, A.
    Kalinin, Y.
    Sitnikov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118468.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    DC conductivity
    metal-insulator transition
    nanocomposites
    percolation
    przewodnictwo DC
    metal przejściowy-izolator
    nanokompozyty
    przesączanie
    Opis:
    In the article are presented the results of the study of structure of Cux(SiO2)1-x nanocomposites with a wide range of metallic fraction content and their DC conductivity measured in the temperature range between 3 and 300 K. The Cux(SiO2)1-x thin film samples with 0.36 < x < 0 and thicknesses 3 to 5 μm were fabricated by ion-beam sputtering of the compound Cu/SiO2 target with argon onto the glass ceramic substrate. The as-deposited films displayed their evolution from practically homogeneous (at x < 0.50) to granular (in the range of 0.50 < x < 0.58) structure with x increase where the granules dimensions approached approximately 100 - 200 nm. The study of conductivity have shown that the studied nanocomposite films with x < 0.68 are on dielectric side of metal-insulator transition and possess thermally activated tunneling of electrons between Cu nanoparticles whereas the samples with x > 0.68 indicate the metallic-like character of conductance along the percolating net of Cu nanoparticles inside of silica matrix. In dielectric regime (for nanocomposites with x < 0.68) DC carrier transport is realized by VRH mechanism described by Shklowski-Efros law, by jumps of electrons between Cu nanoparticles.
    W artykule przedstawiono rezultaty badań struktury nanokompozytów Cux(SiO2)1-x w szerokim zakresie zawarcia fazy metalicznej and ich DC przewodnictwo zmierzone w zakresie temperatur od 3 do 300K. Cienkie warstwy Cux(SiO2)1-x z 0.36 < x < 0 i grubością 3 I 5 μm były przygotowane poprzez rozpylanie wiązką argonową jonową kompaunda Cu/SiO2 tarczy na podłoże ze szklanej ceramiki. Wszystkie warstwy po napylaniu wykazywały transformację struktury od praktycznie jednorodnej (dla x < 0.50) do granulowanej (0.50 < x < 0.58) gdzie, ze wzrostem x liniowe rozmiary granul osiągają 100-200 nm. Badania przewodnictwa wykazało że nanokompozytowe filmy z x < 0.68 są po dielektrynej stronie przejścia metal-izolator i wykazują termiczne aktywowane tunelowanie elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami, w tym czasie jak przy x > 0.68 zauważono przewodność podobną do metalicznej wzdłuż perkolacyjnej sieci nanocząstek Cu wewnątrz matrycy silicydu. W trybie dielektrycznym (dla nanocząstek z x<0.68) transport nośników jest realizowany wg VRH mechanizmu zgodnie z prawem Shklowskiego-Efrosa, poprzez skoki elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2012, 4; 29-42
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hopping Conductance in Nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1 - x}$ Manufactured by Ion-Beam Sputtering of Complex Target in $Ar+O_2$ Ambient Gas
    Autorzy:
    Kołtunowicz, T.
    Zhukowski, P.
    Fedotova, V.
    Saad, A.
    Fedotov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503812.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.20.Rf
    73.22.-f
    84.37.+q
    72.20.Ee
    Opis:
    We report the investigation of a real part of the admittance σ of granular nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1 - x}$ with 0.30 < x < 0.70 in the dielectric (hopping) regime. An analysis of the σ(T, f, x) dependences in the as-deposited and annealed films over the temperature 77 K < T < 300 K and frequency 50 < f < $10^6$ Hz ranges displayed the predominance of an activation (hopping) conductance mechanism with dσ/ dT > 0 for the samples below the percolation threshold $x_{C}$ ≈ 0.76 ± 0.05. Based on the earlier models for hopping AC conductance, computer simulation of the frequency coefficient $α_{f}$ of hopping conductance depending on the probability of jump p, frequency f, and also on the shape of σ(f) curve was performed. The experimental and simulation results revealed a good agreement.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 39-42
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Presence of Inductivity in $(CoFeZr)_x(PZT)_{1-x}$ Nanocomposite Produced by Ion Beam Sputtering
    Autorzy:
    Kołtunowicz, T.
    Żukowski, P.
    Boiko, O.
    Fedotov, A.
    Larkin, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402211.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.23.Pq
    79.20.Rf
    81.40.Ef
    72.80.Le
    Opis:
    This paper presents the investigations of the electrical properties of the $(CoFeZr)_{x}(PZT)_{1-x}$ nanocomposite with the metallic phase content x=43.8 at.%, which was produced by ion beam sputtering. Such preparation took place under an argon atmosphere with low oxygen content with its partial pressure $P_{O_2} = 2 \times 10^{-3} Pa$. The measurements were performed using alternating current within the frequency range of 50 Hz-10⁵ Hz for measuring temperatures ranging from 238 K to 328 K. The $(CoFeZr)_{43.8}(PZT)_{56.2}$ nanocomposite sample subjected to a 15 min annealing process in air at the temperature Tₐ=423 K demonstrates a phase angle of -90° ≤ θ ≤ 0° in the frequency range 50 Hz-10⁵ Hz. It corresponds to the capacitive type of conduction. In the frequency range 10⁴-10⁵ Hz sharp minima in selected conductivity vs. frequency characteristics occur, which corresponds to a current resonance phenomenon in RLC circuits. In case of a sample annealed at Tₐ=498 K the inductive type of conduction with 0° ≤ θ ≤ +90° occurs in a high frequency area. At the frequency $f_{r}$ characterized by the phase angle θ = 0°, the capacity value reaches its local minimum. It indicates a voltage resonance phenomenon in conventional RLC circuits. The θ = +90° crossing in the frequency dependence of phase angle corresponds to the current resonance phenomenon, which is represented by a strong local minimum in the conductivity vs. frequency characteristics.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 853-856
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spin-Polarized and Normal Hopping Magnetoresistance in Heavily Doped Silicon
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Prischepa, S.
    Danilyuk, A.
    Svito, I.
    Zukowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1365745.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uf
    72.20.My
    75.76.+j
    Opis:
    Investigation of electrical resistivity ρ and magnetoresistance in single crystalline n-type silicon heavily doped with antimony in the temperature range ΔT=5-300 K and at the magnetic inductance B up to 8 T was performed. It was established that, for the temperature range ΔT=25-300 K the conductivity is of activation type, while for ΔT=5-25 K it is of variable range hopping and is described by the Mott law. Parameters of the Mott hopping were calculated. It was shown that, to explain the experimental data, the spin polarized hopping via the occupied states has to be taken into account. The obtained parameters revealed that for the low temperature range ΔT=5-11 K the spin polarized hopping dominates, while for ΔT=11-20 K the spin polarized transport is accompanied by the wave function contraction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1271-1274
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Features of Real Part of Admittance in the Nanocomposites $(Fe_{45}Co_{45}Zr_{10})_{x}(Al_2O_3)_{100 - x}$ Manufactured by the Ion-Beam Sputtering Technique with Ar Ions
    Autorzy:
    Kołtunowicz, T.
    Zhukowski, P.
    Fedotova, V.
    Saad, A.
    Larkin, A.
    Fedotov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503798.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.20.Rf
    73.22.-f
    84.37.+q
    72.20.Ee
    Opis:
    The temperature and frequency dependences of the admittance real part σ (T, f) in granular $(Fe_{45}Co_{45}Zr_{10})_{x}(Al_2O_3)_{100 - x}$ nanocomposite films around the percolation threshold $x_{C}$ were investigated. The behaviour of σ (T, f) vs. the temperature and frequency over the ranges 77-300 K and 50 Hz-1 MHz, respectively, displays the predominance of an activation (hopping) conductance mechanism for the samples below the percolation threshold $x_{C}$ and of a metallic one beyond the $x_{C}$ determined as 54 ± 2 at.%. The mean hopping range d for the nanoparticles diameter D was estimated at different metallic phase content x.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 35-38
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Formation of Noncoil-Like Inductance in Nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1-x}$ Manufactured by Ion-Beam Sputtering of Complex Targets in $Ar+O_2$ Atmosphere
    Autorzy:
    Zhukowski, P.
    Kołtunowicz, T.
    Węgierek, P.
    Fedotova, J.
    Fedotov, A.
    Larkin, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503848.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    73.22.-f
    81.40.Ef
    84.37.+q
    72.20.Ee
    Opis:
    This paper investigates the inductive contribution to AC conductance in the granular nanocomposites $(Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1-x}$. The initial nanocomposites studied were manufactured in $Ar+O_2$ atmosphere by ion-beam sputtering of the target containing $Fe_{0.45}Co_{0.45}Zr_{0.10}$ and alumina stripes and then subjected to the annealing procedure in air over the temperature range 373 K < $T_{a}$ < 873 K. These samples, before and after annealing, were studied using the temperature 77 K < $T_{p}$ < 300 K and frequency 50 Hz < f < 1 MHz dependences of a real part of the admittance σ(T, f). Analysis of the observed σ (f, $T_{p}$) dependences for x < 0.5 demonstrated that in the studied samples the equivalent circuits with the capacitive and noncoil-like inductive contributions can be accomplished. Just in this case, the capacitive properties of RLC circuit with the phase angle - 90° ≤ $\Theta_{L}$ < 0° are exhibited at low frequencies and the inductive properties with 0° ≤ $\Theta_{H}$ < 90° become apparent at high frequencies. A value of the critical frequency $f_{R}$, where $\Theta_{H}$ changes sign, depends on the metallic phase concentration x, measuring temperature $T_{p}$, and annealing temperature $T_{a}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 43-45
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Low-Temperature DC Carrier Transport in $(Co_{0.45}Fe_{0.45}Zr_{0.10})_{x}(Al_2O_3)_{1-x}$ Nanocomposites Sputtered in Mixed Argon-Oxygen Atmosphere
    Autorzy:
    Svito, I.
    Fedotov, A.
    Saad, A.
    Koltunowicz, T.
    Zukowski, P.
    Bury, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1366313.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.22.-f
    72.20.Ee
    64.60.ah
    Opis:
    This paper studies the temperature dependences (2 < T < 300 K) of the DC conductivity σ(T) for the $(Co_{0.45}Fe_{0.45}Zr_{0.10})_x(Al_2O_3)_{1-x}$ nanocomposites (30 < x < 65 at.%) sputtered in Ar + $O_2$ atmosphere. It is shown that at temperatures lower than 100-150 K dependences of DC conductance on temperature for all the studied samples are due to the Shklovski-Efros variable range hopping mechanism. It was also observed that σ(x,T) dependences can be attributed to the formation of FeCo-based oxide "shells" around metallic alloy nanoparticles due to incorporation of oxygen in the vacuum chamber during the deposition procedure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1351-1354
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of Carrier Transport in $Cu_x(SiO_2)_{1-x}$ Nanocomposites Manufactured by Ion-Beam Sputtering with Ar Ions
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Saad, A.
    Fedotova, V.
    Czarnacka, K.
    Koltunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402220.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    84.37.+q
    72.80.Ga
    73.22.-f
    61.46.Df
    64.60.ah
    Opis:
    The present paper investigates the temperature/frequency dependences of admittance Z in the granular $Cu_x(SiO_2)_{1-x}$ nanocomposite films around the percolation threshold $x_{C}$ in the temperature range of 4-300 K and frequencies of 20-10⁶ Hz. The behavior of low-frequency ReZ(T) dependences displayed the predominance of electrons hopping between the closest Cu-based nanoparticles for the samples below the percolation threshold $x_{C}$ ≈ 0.59 and nearly metallic behaviour beyond the $x_{C}$. The high-frequency curves ReZ(f) at temperatures T > 10 K for the samples with x < $x_{C}$ exhibited behavior close to ReZ(f) ≈ $f^{-s}$ with s ≈ 1.0 which is very similar to the known Mott law for electron hopping mechanism. For the samples beyond the percolation threshold (x > $x_{C}$), the frequency dependences of ReZ(f) displayed inductive-like (not capacitive) behaviour with positive values of the phase shift angles.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 883-886
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Admittance and Permittivity in Doped Layered $TlGaSe_2$ Single Crystals
    Autorzy:
    Dawood, S.
    Fedotov, A.
    Mammadov, T.
    Zukowski, P.
    Koltunowicz, T.
    Saad, A.
    Drozdov, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1365735.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    84.37.+q
    64.70.Nd
    Opis:
    In doped $TlGaSe_2$ crystals the phase transitions at low temperatures (100-170 K) were observed using admittance and dielectric spectroscopy in a temperature range of 80-320 K. The admittance and permittivity measurements in the studied samples indicated that after Fe or Tb doping by impurities with concentrations $N_\text{imp}$ < 0.5 at.% nonequilibrium electronic phase transition is observed. Doping with $N_\text{imp}$ > 0.5 at.% resulted in full suppression of this phase transition presence.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1267-1270
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Voltage and Current Resonance in Nanocomposite $(FeCoZr)_x(CaF_2)_{100-x}$ Produced by Ion-Beam Sputtering in Pure Argon Atmosphere
    Autorzy:
    Koltunowicz, T.
    Zukowski, P.
    Bondariev, V.
    Fedotov, A.
    Svito, I.
    Fedotova, J.
    Saad, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402224.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.23.Pq
    79.20.Rf
    81.40.Ef
    72.80.Le
    Opis:
    In this paper the results of investigations of electrical properties of metal-dielectric nanocomposites $(FeCoZr)_x(CaF_2)_{100-x}$ are presented. The samples with the metallic phase content x=45.7 at.% were produced by ion-beam sputtering method in pure argon atmosphere, and subsequently annealed at 398 K for 15 min. The measurements of electrical properties were performed in the frequency range from 50 Hz to 1 MHz. The frequency dependences of phase angle θ, capacity $C_{p}$, conductivity σ and dielectric loss factor tanδ were measured at seven different temperatures ranging from 148 K to 263 K. It was found that the nanocomposite exhibits the phenomena of voltage resonance and current resonance, characteristic of the conventional RLC circuits with series and parallel connections of elements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 897-900
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetotransport in Si ⟨Sb⟩ Delta-Layer after Swift Heavy Ion-Induced Modification
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Skuratov, V.
    Yurasov, D.
    Novikov, A.
    Svito, I.
    Apel, P.
    Zukowski, P.
    Fedotova, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1030140.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.My
    73.20.Fz
    73.40.-c
    61.80.Jh
    Opis:
    In the present paper the investigations of the influence of swift heavy ion irradiation on the magnetotransport in the antimony (Sb) δ-layer in silicon are reported. Temperature and magnetic field dependences of the resistance R(T,B) and the Hall coefficient R_H(T,B) in the temperature range of 2K < T < 300K and B ≤ 8T before and after the 167 MeV Xe⁺²⁶ ion irradiation (ion fluence of 10⁸ cm¯²) were measured. At the temperatures below 50K there is observed the transition from the Arrhenius log R(1/T) to a logarithmic R ≈ -log(T) dependence both before and after the swift heavy ion exposure which confirms the assumption that the carrier transport goes through the δ-layer mainly. Moreover, the transition from the positive to negative magnetoresistance was observed with the temperature decrease that is characteristic of the two-dimensional quantum corrections to the conductivity in the case of weak localization regime. The appropriate Thouless lengths L_{Th}(T) ≈ A × T^{p} (where p and A are dependent on the scattering mechanism) indicated their ≈ 25-30% decrease after the swift heavy ion exposure. It was shown that the exponent p values were close to the theoretical one of p = 1, confirming the realization of 2D weak localization regime in the carrier transport.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysis
    Autorzy:
    Fedotov, A. K.
    Streltsov, E.A.
    Baranov, I. L.
    Svito, I. A.
    Malashchonak, M. V.
    Mazanik, A. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118386.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    Ni/TiO2/Ti
    Ni/SiO2/Si
    magnetoresistance
    magnetorezystancja
    Opis:
    Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.
    Właściwości magnetyczne struktur Ni/TiO2/Ti oraz Ni/SiO2/Si otrzymanych z zastosowaniem tzw. „podejścia szabłonowego” zostały zbadane w zakresie temperatur od 2 do 300 K. Ustalono, że główny wkład do obserwowanej magnetorezystancji jest rezultatem wpływu podłoża krzemowego , podczas gdy wpływ Ni jest znikome mały.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2015, 8; 61-67
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermoelectric Properties of $Ca_3Co_4O_9$-Based Ceramics Doped with Fe and/or Y
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Saad, A.
    Troyanchuk, I.
    Bushinski, M.
    Fedotova, V.
    Zukowski, P.
    Koltunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1366301.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    46.25.Hf
    62.20.D-
    82.45.Xy
    Opis:
    We describe here structure and temperature dependences of conductivity σ(T), the Seebeck coefficient α(T), thermal conductivity λ(T) and figure-of-merit ZT(T) in $Ca_3Co_4O_9$ ceramics, doped with Fe and Y, depending on compacting pressure (0.2 or 6 MPa) and temperature (300 < T < 700 K). It is shown that introduction of iron and yttrium to ceramics does not alter the crystalline structure of the material. Increasing the pressure in the compacting process before the additional diffusion annealing leads to a smaller-grained structure and increase σ and λ due to reducing of the synthesized samples porosity. The Seebeck coefficients of nanocomposite ceramics $Ca_3Co_{3.9}Fe_{0.1}O_9$ and $(Ca_{2.9}Y_{0.1})(Co_{3.9}Fe_{0.1})O_9$ have linear dependences on temperature is not changed after increase of compacting pressure. Electrical-to-heat conductivity ratio (σ/λ) for the samples compacted at high (6 GPa) pressure increases not more than 20-30% in comparison with ones compacted at low (0.2 GPa) pressure, whereby ZT is increased more than 50%. The main reason for this effect is samples porosity reduction with the compacting pressure increase.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1344-1347
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anisotropic Magnetoresistance of Ni Nanorod Arrays in Porous SiO₂/Si Templates Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification
    Autorzy:
    Fedotova, J.
    Ivanou, D.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Streltsov, E.
    Saad, A.
    Zukowski, P.
    Fedotov, A.
    Bury, P.
    Apel, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402223.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.Km
    81.15.Jj
    75.47.De
    Opis:
    In this work anisotropic magnetoresistance in nanogranular Ni films and Ni nanorods on Si(100) wafer substrates was studied in wide ranges of temperature and magnetic field. To produce Ni films and nanorods we used electrochemical deposition of Ni clusters either directly on the Si substrate or into pores in SiO₂ layer on the Si substrate. To produce mesopores in SiO₂ layer, SiO₂/Si template was irradiated by a scanned beam of swift heavy 350 MeV ¹⁹⁷Au²⁶⁺ ions with a fluence of 5×10⁸ cm¯² and then chemically etched in diluted hydrofluoric acid. Pores, randomly distributed in the template have diameters of 100-250 nm and heights about 400-500 nm. Comparison of temperature dependences of resistance and magnetoresistance in Ni films and n-Si/SiO₂/Ni structures with Ni nanorods showed that they are strongly dependent on orientation of magnetic field and current vectors relative to each other and the plane of Si substrate. Moreover, magnetoresistance values in n-Si/SiO₂/Ni nanostructures can be controlled not only by electric field applied along Si substrate but also by additionally applied transversal bias voltage.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 894-896
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetoresistance in n-Si/$SiO_2$/Ni Nanostructures Manufactured by Swift Heavy Ion-Induced Modification Technology
    Autorzy:
    Fedotova, J.
    Ivanou, D.
    Ivanova, Y.
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Streltsov, E.
    Saad, A.
    Tyutyunnikov, S.
    Kołtunowicz, T.
    Demyanov, S.
    Fedotova, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504014.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    81.05.Rm
    73.22.-f
    73.50.Jt
    Opis:
    A study of magnetotransport in the n-Si/$SiO_2$/Ni nanostructures with granular Ni nanorods in $SiO_2$ pores was performed over the temperature range 2-300 K and at the magnetic fields induction up to 8 T. The n-Si/$SiO_2$/Ni Schottky nanostructures display the enhanced magnetoresistive effect at 25 K due to the impurity avalanche mechanism.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 133-135
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electric and magnetic properties of nickel and nickel-plladium nanowires deposited in anodic aluminum oxide template
    Autorzy:
    Bayev, V.
    Fedotova, J.
    Maximenko, A.
    Streltsov, E.
    Malashchonak, M.
    Azarko, I.
    Fedotov, A.
    Svito, I.
    Patryn, A.
    Apel, P.
    Tyutyunnikov, S.
    Milosavljević, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118462.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    template-assisted electrodeposition
    magnetic anisotropy
    magnetoresistance
    porous alumina templates
    anizotropia magnetyczna
    elektroosadzanie
    magnetoopór glinu
    Opis:
    Structure, electric and magnetic properties of ordered Ni and Ni-Pd nanostructures synthesized by means of electrochemical deposition in porous anodic aluminum oxide templates were investigated. Templates were filled with nickel and nickel-palladium compositions using the alternative current. Matrix parameters (pores diameter and depth) determine the sizes and morphology of the formed metal nanowires. Negative sign of magnetoresistance was observed at T < 50 K and attributed to TMR effect due to variable range hopping carrier transport mechanism. Positive magnitoresistance was observed at T > 100 K and explained by Lorence-like mechanism. The presence of magnetic perpendicular anisotropy towards template plane in synthesized nanostructures was revealed. Demagnetizing factors of individual nanowire in parallel and perpendicular direction towards template plane were determined by magnetic resonance spectroscopy. Revealed increase of coercivity in nanowires containing palladium was explained by the formation of quasi- multilayered structure of Ni/Pd nanowires during the ac electrochemical deposition.
    Struktura, właściwości elektryczne i magnetyczne uporządkowanych Ni Ni-Pd nanostruktur syntezowanych metodą elektrochemicznego nanoszenia w porowatej matryce z utlenionego aluminiowego anodu. Matryca została wypełniona Ni lub Ni-Pd mieszanką z wykorzystaniem prądu zmiennego. Parametry matrycy (średnica i głębokość pór) wpływały na rozmiary i morfologię tworzących się metalicznych nanodrutów. Ujemna magnetorezystancja była obserwowana w temperaturze T<50K i mogła być opisana w ramkach mechanizmu skokowej przewodności. Pozytywna magnetorezystancja została obserwowana dla T>100K i odpowiada mechanizmowi typu Lorence. Obecność magnetycznej prostopadłej anizotropii w stosunku do płaszczyzny matrycy była zanotowana. Demagnezujący czynnik pojedynczych nanodrutów w kierunkach równoległych i prostopadłych do płaszczyzny matrycy był wyznaczony z badań metodą magnetycznej spektroskopii rezonansowej. Zaobserwowany wzrost komercyjności w nanodrutach zawierających palladium może być związany z formowaniem kwasi-wielowarstwowej struktury w Ni/Pd nanodrutach w trakcie elektrochemicznego osadzenia.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2012, 4; 43-54
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Research to longevity brake lines on the exploitations
    Исследование долговечности тормозных накладок в эксплуатации
    Autorzy:
    Tujrin, S.
    Boyko, G.
    Revin, A.
    Fedotov, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/374407.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
    Tematy:
    longevity of the brake linings
    vehicles
    brake system
    brake linings
    resource of the brake lining
    żywotność okładzin hamulcowych
    pojazd
    układ hamulcowy
    okładzina hamulcowa
    Opis:
    Brake lines are tested for strength and durability. However, tests of strength are short-term, but tests of durability are durable, since their aim is to assess the effectiveness of the brake linings during operation. Therefore, reduction of time evaluating the durability of brake linings exploitation is urgent. The article describes the results of the research on the longevity of the brake linings of different types of vehicles based on their controllable operation and the method of accelerated estimation of the longevity of brake linings based on the operation of their analogues.
    Тормозные накладки проверяют на прочность и долговечность. Но, испытания на прочность – кратковременны, а на долговечность – длительны, так как их цель заключается в оценке эффективности работы тормозных накладок в процессе эксплуатации. Поэтому сокращение времени оценки долговечности тормозных накладок в эксплуатации является актуальным. В работе приведены результаты исследований долговечности тормозных накладок различных автотранспортных средств по результатам подконтрольной эксплуатации и метод ускоренной оценки долговечности тормозных накладок по результатам эксплуатации аналога.
    Źródło:
    Transport Problems; 2015, 10, 2; 75-81
    1896-0596
    2300-861X
    Pojawia się w:
    Transport Problems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-22 z 22

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies