Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "metal-insulator" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 23
Tytuł:
A DNA Biosensor Based Interface States of a Metal-Insulator-Semiconductor Diode for Biotechnology Applications
Autorzy:
Al-Ghamdi, A.
Al-Hartomy, O.
Gupta, R.
El-Tantawy, F.
Taskan, E.
Hasar, H.
Yakuphanoglu, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1489876.pdf
Data publikacji:
2012-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Jn
81.05.Fb
73.30.+y
Opis:
We studied how a DNA sensor based on the interface states of a conventional metal-insulator-semiconductor diode can be prepared for biotechnology applications. For this purpose, the p-type silicon/metal diodes were prepared using $SiO_2$ and DNA layers. The obtained results were analyzed and compared with interfaces of DNA and $SiO_2$. It is seen that the ideality factor (1.82) of the $Al//p-Si//SiO_2//DNA//Ag$ diode is lower than that (3.31) of the $Al//p-Si//SiO_2//Ag$ diode. This indicates that the electronic performance of DNA/Si junction was better than that of $SiO_2//Si$ junction. The interface states of the $Al//p-Si//SiO_2//DNA//Ag$ and $Al//p-Si//SiO_2//Ag$ junctions were analyzed by conductance technique. The obtained D_{it} values indicate that the DNA layer is an effective parameter to control the interface states of the conventional Si based on metal/semiconductor contacts. Results exhibited that DNA based metal-insulator-semiconductor diode could be used as DNA sensor for biotechnology applications.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 3; 673-677
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A review of the current state-of-the-art in Fano resonance-based plasmonic metal-insulator-metal waveguides for sensing applications
Autorzy:
Adhikari, R.
Chauhan, D.
Mola, G. T.
Dwivedi, R. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2063886.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
coupled resonator
Fano resonance
finite element method
plasmonic nanosensor
sensitivity
waveguide
Opis:
Fano resonance is an optical effect that emerges from the coherent coupling and interference (constructive and destructive) between the continuous state (background process) and the Lorentzian state (resonant process) in the plasmonic waveguide-resonator system. This effect has been used in the applications like optical sensors. These sensors are extensively used in sensing biochemicals and gases by the measurement of refractive index changes as they offer high sensitivity and ultra-high figure of merit. Herein, we surveyed several plasmonic Fano sensors with different geometries composed of metal-insulator-metal waveguide(s). First, the resonators are categorized based on different architectures. The materials and methods adopted for these designs are precisely surveyed and presented. The performances are compared depending upon the characterization parameters like sensitivity and figure of merit. Finally, based on the survey of very recent models, the advances and challenges of refractive index sensing deployed on Fano resonances are discussed.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 4; 148--166
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Challenges for 10 nm MOSFET process integration
Autorzy:
Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309004.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate
Opis:
An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 25-32
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectris
Autorzy:
Janik, T.
Jakubowski, A.
Majkusiak, B.
Korwin-Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308423.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MIS structures
ultrathin dielectrics
high-k dielectrics
Opis:
Numerical simulations of the gate leakage current in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures based on the transfer matrix approach were carried out. They show contribution of different components of this current in MIS structures with best known high-k dielectrics such as Ta2O5 and TiO2. The comparison of the gate leakage current in MIS structures with SiO2 layer as well Ta2O5 and TiO2 layers is presented as well. Additionally, the minimum Si electron affinity to a gate dielectric which allows to preserve given level of the gate leakage current is proposed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 65-69
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductivity Near the Metal-to-Insulator Transition in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se:Sc
Autorzy:
Głód, P.
Sawicki, M.
Lenard, A.
Dietl, T.
Plesiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1887158.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
71.55.Jv
Opis:
Earlier studies of transition metal impurities in II-VI compounds suggest that Sc acts as a resonant donor. We performed Hall effect and conductivity measurements of CdSe:Sc and Cd$\text{}_{0.95}$Mn$\text{}_{0.05}$Se:Sc. The results, particularly the critical concentration of the metal-to-insulator transition, turned out to be similar to those obtained previously for Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se doped with hydrogenic-like impurities, such as In and Ga. Therefore, if the ground state of Sc impurity is indeed located above the bottom of the conduction band, our data demonstrate that the metal-to-insulator transition is primarily driven by the scattering, i.e. it corresponds to the Anderson localization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 389-392
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Correlation between Magnetic Phases and Insulator-Metal Transition in La$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Nd$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Ca$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ MnO$\text{}_{3}$ Perovskite
Autorzy:
Baszyński, J.
Idzikowski, B.
Toliński, T.
Hoser, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013369.pdf
Data publikacji:
2000-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
75.25.+z
Opis:
The La$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Nd$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ Ca$\text{}_{1}\text{}_{/}\text{}_{3}$ MnO$\text{}_{3}$ ceramic perovskites are investigated using the neutron diffraction technique and resistance measurements in the temperature range from 260 K down to 5 K. We have found that the integrated intensity of the antiferromagnetic peaks was growing with decreasing temperature and reached the maximum at a temperature about 20 K lower than that of the semiconductor-metal transition and did not vanish at 5 K. The semiconductor-metal transition is correlated with the temperature of the maximum of the lattice c-parameter and the percolation of ferromagnetic domains. Our results suggest that although the ferromagnetic long-range order is established through the semiconductor-metal transition induced percolation network, locally the antiferromagnetic correlation can remain.zapisz
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 779-782
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Correlation-Driven Metal-Insulator Transitions
Autorzy:
Honig, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011236.pdf
Data publikacji:
2000-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
71.45.Gm
Opis:
The effect of correlation-driven electronic transitions are described for the V$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$, NiS$\text{}_{2-x}$Se$\text{}_{x}$, and Fe$\text{}_{3}$O$\text{}_{4}$ systems. The various tranformations can all be rationalized in terms of elementary concepts pertaining to the Mott-Hubbard intraatomic electronic interactions or in terms of an order-disorder formalism involving Coulomb interactions among electrons on adjacent sites. Attention is directed to some outstanding issues that require further resolution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 1; 141-156
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Critical Exponents for Metal-Insulator Transition in Two-Dimensional Systems
Autorzy:
Wojtkiewicz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808033.pdf
Data publikacji:
2009-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
71.10.Fd
02.40.Xx
Opis:
Three years ago, a new universality class, associated with the metal-insulator transition in quasi-two-dimensional compounds, was discovered. Imada has given explanation of the observed critical behaviour. Considerations in this work are based on the assumption that the one-particle dispersion is quartic one instead of the standard quadratic behaviour. In this paper, it is shown that other possible natural non-standard dispersions lead to other possible critical behaviour and critical exponents.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 5; 931-934
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
DC conductivity mechanisms in granular nanocomposite films Cux(SiO2)1-x, deposited in Ar gas atmosphere
Autorzy:
Fedotov, A.
Swito, I.
Patryn, A.
Kalinin, Y.
Sitnikov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118468.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
DC conductivity
metal-insulator transition
nanocomposites
percolation
przewodnictwo DC
metal przejściowy-izolator
nanokompozyty
przesączanie
Opis:
In the article are presented the results of the study of structure of Cux(SiO2)1-x nanocomposites with a wide range of metallic fraction content and their DC conductivity measured in the temperature range between 3 and 300 K. The Cux(SiO2)1-x thin film samples with 0.36 < x < 0 and thicknesses 3 to 5 μm were fabricated by ion-beam sputtering of the compound Cu/SiO2 target with argon onto the glass ceramic substrate. The as-deposited films displayed their evolution from practically homogeneous (at x < 0.50) to granular (in the range of 0.50 < x < 0.58) structure with x increase where the granules dimensions approached approximately 100 - 200 nm. The study of conductivity have shown that the studied nanocomposite films with x < 0.68 are on dielectric side of metal-insulator transition and possess thermally activated tunneling of electrons between Cu nanoparticles whereas the samples with x > 0.68 indicate the metallic-like character of conductance along the percolating net of Cu nanoparticles inside of silica matrix. In dielectric regime (for nanocomposites with x < 0.68) DC carrier transport is realized by VRH mechanism described by Shklowski-Efros law, by jumps of electrons between Cu nanoparticles.
W artykule przedstawiono rezultaty badań struktury nanokompozytów Cux(SiO2)1-x w szerokim zakresie zawarcia fazy metalicznej and ich DC przewodnictwo zmierzone w zakresie temperatur od 3 do 300K. Cienkie warstwy Cux(SiO2)1-x z 0.36 < x < 0 i grubością 3 I 5 μm były przygotowane poprzez rozpylanie wiązką argonową jonową kompaunda Cu/SiO2 tarczy na podłoże ze szklanej ceramiki. Wszystkie warstwy po napylaniu wykazywały transformację struktury od praktycznie jednorodnej (dla x < 0.50) do granulowanej (0.50 < x < 0.58) gdzie, ze wzrostem x liniowe rozmiary granul osiągają 100-200 nm. Badania przewodnictwa wykazało że nanokompozytowe filmy z x < 0.68 są po dielektrynej stronie przejścia metal-izolator i wykazują termiczne aktywowane tunelowanie elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami, w tym czasie jak przy x > 0.68 zauważono przewodność podobną do metalicznej wzdłuż perkolacyjnej sieci nanocząstek Cu wewnątrz matrycy silicydu. W trybie dielektrycznym (dla nanocząstek z x<0.68) transport nośników jest realizowany wg VRH mechanizmu zgodnie z prawem Shklowskiego-Efrosa, poprzez skoki elektronów pomiędzy Cu nanocząstkami.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2012, 4; 29-42
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Matrix onto Oxidation of Metallic Nanoparticles in Metal-Insulator Nanocomposite Films
Autorzy:
Fedotova, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1381794.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
73.40.Rw
73.63.Bd
62.23.Pq
68.37.Lp
68.37.Og
Opis:
Paper reports the results of X-ray diffraction, X-ray absorption spectroscopy and the Mössbauer spectroscopy of metal-insulator films sintered in Ar+O atmosphere evidencing the difference in oxidation of FeCoZr nanoparticles embedded into $Al_2O_3$ and $Pb(ZrTi)O_3$ matrixes. It is proved that $Al_2O_3$ matrix with high resistance to oxidation favors the formation of nanoparticles with "metal core-oxide shell" structure, while fully oxidized nanoparticles are observed inside $Pb(ZrTi)O_3$ matrix.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1418-1420
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ferromagnetism and Metal-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems with Alloy Disorder
Autorzy:
Byczuk, K.
Yu, U.
Hofstetter, W.
Vollhardt, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1810278.pdf
Data publikacji:
2009-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.23.-k
75.20.Hr
75.30.Mb
Opis:
Alloy disorder can affect ferromagnetism and metal-insulator transitions of correlated lattice fermion systems in subtle and often unexpected ways. Solving the Hubbard model and the periodic Anderson model within dynamical mean-field theory we show that alloy disorder can increase the Curie temperature of a non-disordered system, and also yields novel Mott or Kondo insulators at fractional electronic densities.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 7-12
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Quantum Effects in Carbonaceous Materials Near the Metal-Insulator Transition by Means of THz Photoconductivity
Autorzy:
Dorosinets, V.
Ksenevich, V.
Seliuta, D.
Martūnas, Z.
Valušis, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813203.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
72.15.Rn
Opis:
A series of carbonaceous fibers with conductivity tuned to the metal-insulator transition were prepared by heat treatment of chemically modified polymer precursors. Peculiar behaviour of the resistivity versus temperature dependence R(T) at low temperatures suggests quantum corrections to the Drude conductivity due to weak localization and electron-electron interaction dominating in the conductivity. The THz conductivity method is employed to study the modification of the density of states and provides evidence for a strong change in density of states at the Fermi level caused by the quantum effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 875-878
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me=Cr, Fe) cobaltites
Autorzy:
Troyanchuk, I.
Bushinsky, M.
Tereshko, N.
Fedotova, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118524.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
magnetic interactions
magnetization
magnetoresistance
metal-insulator transition
oddziaływania magnetyczne
namagnesowanie
magnetorezystancja
przejście metal-izolator
Opis:
Magnetic and magnetotransport properties of La0.5Sr0.5Co0.8Me0.2O3 (Me = Cr, Fe) stoichiometric cobaltites has been investigated in magnetic fields up to 14 T. It is shown that doping with Fe ions changes spontaneous magnetization only slightly herewith the Curie point significantly decreases. The chromium doping leads to dramatic decrease of magnetization and the Curie point and a strong increase in magnetoresistance at low temperature. The obtained results indicate that the magnetic interactions between Co and Fe are positive whereas those between Co and Cr ions are negative. Enhancement of magnetoresistance is attributed to the magnetic field induced transition from antiferromagnetic order to ferromagnetic one.
Właściwości magnetyczne i magnetotransportowe stoichiometrycznych kobaltytów zbadano w polach magnetycznych do 14T. Ustalono, że domieszkowanie przez jony Fe zmienia namagnesowanie spontaniczne bardzo słabo w tym czasie jak punkt Curie obniża się znacząco. Domieszkowanie przez atomy chromu powoduje dramatyczne zmniejszenie namagnesowania i obniżenie punktu Curie i mocny wzrost magneto rezystancji w niskich temperaturach. Otrzymane rezultaty wskazują oddziaływanie magnetyczne pomiędzy Co i Fe jest pozytywne w tym czasie jak pomiędzy Co a Cr jest negatywne. Wzmocnienie magnetorezystancji przypisano do pola magnetycznego indukowanego przejściem z antyferromagnetycznego układu do ferromagnetycznego.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2015, 8; 69-76
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metal-Insulator Transition in Doped Semiconductors
Autorzy:
Jaroszyński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888088.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
Opis:
A survey is given of different kinds of metal-insulator transitions (MIT) in doped semiconductors. The role of electron-electron Coulomb interactions and of disorder is discussed vis-a-vis millikelvin experimental results for semimagnetic semiconductors (SMSC) in the vicinity of MIT. Critical behavior of conductivity tensor components and dielectric susceptibility at the magnetic field-induced MIT in p-type Hg$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te is compatible with the model in which the MIT is a result of quantum localization driven by disorder-modified electron-electron interactions. At the same time the critical behavior of the Hall coefficient suggests that, in addition to electrons forming the Fermi liquid (FL) and undergoing localization at the MIT, there is certain a concentration of local electron moments, even on the metallic side of the MIT. The formation of these moments can presumably be described in terms of a disordered Hubbard-Mott model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 255-265
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metal-Insulator Transition in Zinc-Doped LaSrCuO
Autorzy:
Malinowski, A.
Cieplak, M. Z.
Berkowski, M.
Plesiewicz, W.
Skośkiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046782.pdf
Data publikacji:
2006-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.72.-h
71.30.+h
74.25.Fy
Opis:
The magnetotransport in the vicinity of the metal-insulator transition in La$\text{}_{1.85}$Sr$\text{}_{0.15}$Cu$\text{}_{x}$Zn$\text{}_{1-x}$O$\text{}_{4}$ is studied in the mK temperature range. Both longitudinal and transverse magnetoresistance are negative indicating the importance of spin effects. The magnitude of transverse magnetoresistance is larger than the magnitude of longitudinal magnetoresistance, indicating the absence of positive orbital magnetoresistance, in sharp contrast to strongly underdoped La$\text{}_{2-x}$Sr$\text{}_{x}$CuO$\text{}_{4}$. Both transverse and longitudinal magnetoresistance are proportional to the relative change of zero-field conductivity. This suggests that low-temperature localization of carriers may originate in the spin-disorder scattering on the spin droplets around Zn-impurities.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 4-5; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 23

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies