Numerical simulations of the gate leakage current in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures based on the transfer matrix approach were carried out. They show contribution of different components of this current in MIS structures with best known high-k dielectrics such as Ta2O5 and TiO2. The comparison of the gate leakage current in MIS structures with SiO2 layer as well Ta2O5 and TiO2 layers is presented as well. Additionally, the minimum Si electron affinity to a gate dielectric which allows to preserve given level of the gate leakage current is proposed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00