Temat: 78.30.Hv - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929718.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
Opis:: In this paper we present the Raman scattering measurements of the ZnSe epilayers grown on (001) GaAs substrate by molecular beam epitaxy method. We have studied dependence of the frequency shift of LO(ZnSe) mode in the Raman spectra vs. thickness of the ZnSe layer. The intensity of LO(ZnSe)/LO(GaAs) ratio vs. orientation angle α of the E vector of the exciting light on the ZnSe/GaAs interface relatively to the sample orientation is presented too.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 689-692
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Photoluminescence, Reflectivity and Raman Investigations of Nanocrystallites in Luminescent Porous Silicon
Autorzy:: Bała, W.
Głowacki, G.
Łukasiak, Z.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1876076.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
78.66.-w
Opis:: Raman scattering, reflectivity and photoluminescence measurements of the porous silicon layers prepared on (001) p/p$\text{}^{+}$ silicon epitaxial wafers by anodization method are presented. We have studied dependence of the frequency shift and halfwidth of LO mode in Raman spectra and shift of the luminescence peak in photoluminescence spectra vs. anodization conditions.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 445-448
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of Free Carrier Concentration on Nonlinear Absorption of n-Type ZnSe Crystals
Autorzy:: Sahraoui, B.
Chevalier, R.
Nguyen Phu, X.
Rivoire, G.
Bała, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952689.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.20.Jq
78.30.Hv
Opis:: The dependence of nonlinear absorption at 532 nm of n-type ZnSe crystals upon annealing temperature and free carrier concentration is reported. The nonlinear optical absorption as well as the efficiency of degenerate four wave mixing of ZnSe are investigated. It is found that the magnitude of the nonlinear absorption decreases with an increase in the electron concentration. The nonlinear refractive index change is estimated.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1070-1074
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Investigation of the Strains at ZnSe/GaAs Interfaces by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1891888.pdf
Data publikacji:: 1991-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:: Investigations of the strains at the n-ZnSe epilayers grown on GaAs substrate using polarized Raman spectra are presented. It has been shown that Raman scattering experiment can be used as a method for investigation of the splitting between the heavy- and light-hole bands in n-ZnSe thin films.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 5; 723-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Exciton Electroluminescence of ZnSe/ZnO Structures under Biaxial Stress
Autorzy:: Bała, W.
Firszt, F.
Łęgowski, S.
Męczyńska, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924234.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:: The strained ZnSe/ZnO structures grown on (111) ZnSe crystals by plasma oxidation was investigated by electro- and photoluminescence methods. The lines of heavy and light hole excitons under biaxial compressive stress are measured as a function of the temperature.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 896-899
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Characterization of the Band Bending in ZnSe-GaAs Heterojunctions by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1879935.pdf
Data publikacji:: 1991-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Opis:: The band bending effect at the ZnSe-GaAs interface Was studied by means of Raman scattering induced by electric-field related to longitudinal-optical (LO) phonons. It has been shown that the variation of the band bending in GaAs can be modifled by changes in the electron concentration of ZnSe epilayer and the variation of the sample temperature.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 225-228
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja