Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering

Tytuł:
Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering
Autorzy:
Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929718.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 689-692
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this paper we present the Raman scattering measurements of the ZnSe epilayers grown on (001) GaAs substrate by molecular beam epitaxy method. We have studied dependence of the frequency shift of LO(ZnSe) mode in the Raman spectra vs. thickness of the ZnSe layer. The intensity of LO(ZnSe)/LO(GaAs) ratio vs. orientation angle α of the E vector of the exciting light on the ZnSe/GaAs interface relatively to the sample orientation is presented too.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies