Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Study of Misfit Dislocations Profiles in ZnSe/GaAs Structures by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929718.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 689-692
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In this paper we present the Raman scattering measurements of the ZnSe epilayers grown on (001) GaAs substrate by molecular beam epitaxy method. We have studied dependence of the frequency shift of LO(ZnSe) mode in the Raman spectra vs. thickness of the ZnSe layer. The intensity of LO(ZnSe)/LO(GaAs) ratio vs. orientation angle α of the E vector of the exciting light on the ZnSe/GaAs interface relatively to the sample orientation is presented too.

Informacja

Powiązane pozycje