Photoluminescence, Reflectivity and Raman Investigations of Nanocrystallites in Luminescent Porous Silicon

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Photoluminescence, Reflectivity and Raman Investigations of Nanocrystallites in Luminescent Porous Silicon
Autorzy:: Bała, W.
Głowacki, G.
Łukasiak, Z.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1876076.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
78.66.-w
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 445-448
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Raman scattering, reflectivity and photoluminescence measurements of the porous silicon layers prepared on (001) p/p$\text{}^{+}$ silicon epitaxial wafers by anodization method are presented. We have studied dependence of the frequency shift and halfwidth of LO mode in Raman spectra and shift of the luminescence peak in photoluminescence spectra vs. anodization conditions.

Informacja

Powiązane pozycje