Characterization of the Band Bending in ZnSe-GaAs Heterojunctions by Raman Scattering

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Characterization of the Band Bending in ZnSe-GaAs Heterojunctions by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1879935.pdf
Data publikacji:: 1991-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 225-228
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The band bending effect at the ZnSe-GaAs interface Was studied by means of Raman scattering induced by electric-field related to longitudinal-optical (LO) phonons. It has been shown that the variation of the band bending in GaAs can be modifled by changes in the electron concentration of ZnSe epilayer and the variation of the sample temperature.

Informacja

Powiązane pozycje