Investigation of the Strains at ZnSe/GaAs Interfaces by Raman Scattering

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Investigation of the Strains at ZnSe/GaAs Interfaces by Raman Scattering
Autorzy:: Bała, W.
Drozdowski, M.
Kozielski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1891888.pdf
Data publikacji:: 1991-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Hv
61.70.Wp
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 5; 723-730
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Investigations of the strains at the n-ZnSe epilayers grown on GaAs substrate using polarized Raman spectra are presented. It has been shown that Raman scattering experiment can be used as a method for investigation of the splitting between the heavy- and light-hole bands in n-ZnSe thin films.

Informacja

Powiązane pozycje